Способ образования потенциального рельефа

 

1 ласс 21а 34 № 147151

ceca ),ф:

К ПАТЕНТУ

П<>дни< ная группа Л"" 86

Заявитель инофирма Ассошиэйтед Электрикал Индастриз Лимитед

Действительный изобретатель иностранец

Эйнштейн Питер Алекс (Англия)

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО РЕЛЬЕФА

Заявлено 4 феврали 1961 г. за ¹ 696156/26 в Комитет ио делам изобретений и открь<тий при Совете Министров С(.СР

Опубликовано в «Бюллетене изооретений» ¹ 9 за 1962 г.

В состав известных типов приборов усиления электрических изображений входит подсвечивающая пластина. Подсвечивающая пластина содержит слой чувствительного материала, электрические характеристики которого могут изменяться под воздействием бомбардировки электро нами, обладающими большой энергией, причем величина такого изменения зависит от плотности электронов. Одна из сторон подсвечивающей пластины покрывается пластинкой из электропроводного материала, через которую будут проходить электроны, обладающие большой энергией. Эта проводящая пластинка соединяется с соответствующим источником напряжения постоянного тока. Свободная поверхность проводящей пластинки бомбардируется несущим изображение лучом элекгронов, обладающих большой энергией, который через проводящую пластинку проникает в проводящий слой. Электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного слоя изменяются в соответствии с плотностью падающих электронов

Свободная поверхность чувствительного слоя подсвечивающей пластины сканируется лучом электронов, обладающих малой энергией, и так как электрические характеристики каждого элементарного участка чувствительного слоя изменяются под воздействием бомбардирующего луча электронов, то на проводящей пластине будут наводиться заряды, обусловливающие протекание меняющегося тока с этой проводящей пластины. Мгновенное значение этого тока будет соответствовать электрическим характеристикам элементарных участков чувствительного слоя при его сканировании, и этот ток можно использовать для модуляции луча кинескопа

Ко 147151

По предлагаемому способу образования потенциального рельефа на диэлектрической мишени для уменьшения инерционности и улучшения качества изображения мишень изготовляют из материала (например, окиси магния или хлористого калия), обладающего возбужденной электронной проводимостью и коэффициентом вторичной эмиссии на «прострел», большим единицы.

На фиг. 1 приведена схема, показывающая относительное расположение основных составных частей прибора усиления электрических изображений, с введенной в соответствии с изобретением подсвечивающей

nластиноЙ; >ta фиг. 2 показана no qcae >Haaiom asr пластина H поперечном сечении (увеличенный масштаб).

Тонкая мембрана 1 из пластичного материала, например мелинекса, натягивается на раму 2 с таким расчетом, чтобы поверхность мембраны была ровной. Тонкая пластинка 8 из электропроводного материала, например алюминия, располагается на одной поверхности мембраны (, причем с таким расчетом, чтобы она не доходила до внутренних краев рамы 2. Чувствительный слой 4, который имеет наведенную электронную проводимость и хорошо эмитирует вторичные электроны, покрывается сверху свободной поверхностью проводящей пластинки.

Число вторичных электронов, эмитируемых материалом чувствительного слоя 4, находится р соответствии с интенсивностью луча элекгронов, обладающих оольшой энергией, Материалом для чувстБитсльного слоя может служить окись магния либо хлористый калий. Слой 5 электропроводного материала может располагаться вокруг части свободной поверхности чувствительного слоя 4, причем слой 5 выполнен с центральным отверстием б, которое обычно имеет прямоугольную форму

Проводящая пластинка 8 подключается через сопротивление 7 к соответствующему источнику 8 положительного напряжения. Кинескоп 9 включен через сопротивление 7 таким образом, что ток, проте. кающий по сопротивлению 7, будет модулировать интенсивность электронного луча в кинескопе 9.

После установки подсвечивающей пластины свободная поверхность пластичной мембраны 1 бомбардируется несущим изображение лучом 10 электронов, обладающих большой энергией, достигающей

40 — 100 кв. Интенсивность электронного луча вдоль поперечного сечения пластичной мембраны изменяется в соответствии с содержащимся в луче изображением. Электроны, обладающие большой энергией, проходят через мембрану 1 и проводящую пластинку 3 с незначительным ослаблением и бомбардируют чувствительный слой 4, вызывая эмиссию вторичных электронов со свободной поверхности чувствительного слоя 4, и, одновременно с этим, вызывая электропроводность каждого элементарного участка чувствительного слоя 4, изменяющуюся в соответствии с интенсивностью электронов, бомбардирующих эти участки. Каждый элементарный участок чувствительного слоя 4 эмитирует вторичные электроны, число которых зависит от интенсивности электронов, бомбардирующих этот участок, в результате чего свободная поверхность каждого элементарного участка теряет соответствующий заряд. Следовательно, электрическое изображение (в виде зарядов), соответствующее изображению, содержащемуся в бомбардирующем луче электронов, формируется на свободной поверхности чувствительного слоя.

Свободная поверхность чувствительного слоя 4 внутри отверстия 6 в слое 5 затем сканируется лучом 11 электронов, обладающих малой энергией. Эти электроны, достигающие свободной поверхности чувствигельного слоя 4, одновременно выполняют две функции. Во-первых, они постепенно восстанавливают заряд, теряемый каждым элементарЛо 147151 ным участком поверхности чувствительного слоя 4 путем эмиссии вторичных электронов, и при этом наводят соответствующий заряд на проводящей пластинке 8. Во-вторых, электроны, обладающие малой энергией, вызывают протекание через чувствительный слой 4 меняющегося тока, вследствие возросшей электропроводности каждого элементарного участка чувствительного слоя. Это второе влияние также приводит и наведению заряда на проводящей пластинке 3, который соответствует току, протекающему через чувствительный слой. Благодаря сочеташпо влияний вторичной электронной эмиссии и электронной проводимости, порожденных обегаюшпм лучом 11 электронов, обладающих малой энергией, на проводящей пластинке 3 наводится суммарный меняющийся заряд. Этот суммарный заряд имеет мгновенное значение, соответствующее возросшей проводимости и количеству вторичных электронов, эмитированных элементарными участками слоя 4, при его обегании лучом П и, следовательно, соответствующее интенсивности луча 10 электронов, который бомбардирует эти элементарные участки.

Под воздействием суммарного заряда, наведенного HB проводящей пластинке 8, с пластинки через сопротивление 7 потечет меняющийся ток. Этот меняющийся ток вызовет падение напряжения на сопротивлении 7, которое после усиления может быть использовано для модуляции интенсивности луча кинескопа 9. Следовательно, на экране кинескопа появится усиленное изображение.

Проводящий слой 5 с помощью вывода 12 может быть подсоединен к соответствующему напряжению, что уменьшит рассеивание усиливаемого изображения, которое обусловливается влиянием случайных электронов на краях обегаемой лучом ll площади. Постоянная времени чувствительного слоя описанного типа является настолько малой, что скорость нарастания сигналов, производимых подсвечивающей пластичой, использующей такой слой, получается во много раз большей скорости нарастания сигналов, производимых аналогичной подсвечивающей пластиной. в которой используется такой слой фотопроводящего материала, как селен. Поэтому прибор усиления электрических изображений, использующий описанную подсвечивающую пластину, может работать в более высокочастотном диапазоне сигналов.

Предложение может найти применение в электронны.; микроскопах и электронографах.

Предмет изобретения

Способ образования потенциального рельефа на диэлектрической мишени, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью уменьшения инерционности и улучшения качества изображения, мишень изготовляют из материала (например, окиси магния илп хлористого калия), обладающего возбужденной электронной проводимостью и коэффициентом вторичной эмиссии на «прострел», большим единицы. № 147151

Фиг r

Фиа 2

Составитель описания Я. Б. Герчиков

Редактор Н. С. Кутафина Техред А. А. Кудрявнцкая Корректор И. А. Шпынева

Поди. к печ. 20.IV-б2 г. Формат бум. 70 Х! 081/is Объем 0,35 изд.л.

Зак. 4058 Тираж 800 Цена 4 коп.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/б.

Типография ЦБТИ Комитета, Москва Петровка 14.