Способ изготовления пассивного затвора лазера

 

Способ изготовления пассивного затвора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание кристалла, легированного двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов, аддитивное его окрашивание в парах щелочного металла, закаливание при 300 - 400^oC, измерение коэффициента поглощения в максимуме F-полосы поглощения, отбор кристаллов с коэффициентом поглощения 30 - 300 см^-1, облучение отобранных кристаллов светом с длинами волн от 400 до 900 нм, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн лазера, кристаллы облучают таким образом, чтобы длительность облучения t_обл удовлетворяла соотношению где D - оптическая плотность кристалла при длине волны излучения 2,1 мкм; a - коэффициент пропорциональности.