Способ ультразвукового теневого контроля изделий

 

Изобретение относится к ультразвуковому теневому неразрушающему контролю изделий. Цель изобретения - повышение точности определения глубины залегания дефектов и расширение области применения способа. Повьштение точности определения глубины залегания дефектов достигается за счет измерения расстояния .от излучающих или приемных преобразователей до ближайшей к ним поверхности контролируемого изделия в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей. Расширение области применения способа достигается за счет установки излучающих преобразователей по одцу сторону изделия таким образом, чтобы углы между направлениями излучения преобразователей и нормалью к поверхности изделия были меньше критического угла. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11>

А1 (511 4 6 01 М 29/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ к втоескоью свидктйльствм (21) 4216330/25-28 (22) 30.03.87 (46) 07.09.88. Бюл. У 33 (72) Е.А.Пахомов (53) 620.179.16 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 947748, кл. G 01 N 29/04, 1980.

Авторское свидетельство СССР

Р 1262362, кл. G 01 N 29/04, 1986. (54) СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ТЕНЕВОГО

КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЙ (57) Изобретение относится к ультразвуковому теневому неразрушающему контролю иэделий. Цель изобретения— повышение точности определения глубины залегания дефектов и расширение области применения способа. Повышение точности определения глубины залегания дефектов достигается эа счет измерения расстояния .от излучающих или приемных преобразователей до ближайшей к ним поверхности контролируемого иэделия в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей. Расширение области применения способа достигается за счет установки излучающих преобразователей по одну сторону изделия таким образом, чтобы углы между направлениями излучения преобразователей и нормалью к поверхности изделия были меньше критического угла. 1 ип.

1422140

Изобретение относится к нераэрушающему контролю изделий, а именно к способам ультразвукового теневого контроля, и может быть использовано для обнаружения дефектов и определе5 ния глубины их залегания.

Целью изобретения является повышение точности определения глубины залегания дефектов и расширение области10 применения.

На чертеже представлена блок- схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство, содержит генератор 1 зондирующих импульсов, соединенный с излучающими преобразователями 2 и 3, установленными на изделии 4, приемные преобразователи 5 и 6, каждый из которых последовательно соединен с сооъ 0 ветствующими усилителями 7 и 8, поро говыми устройствами 9 и 10 - и индика. торами 11 и 12, первый датчик 1 3 положения, соединенный с первым входом дифференциального сумматора 14, выход 2 которого соединен с индикатором 15> второй датчик 16 положения, последовательно соединенный с делителем 17 и умножителем 18, задатчик 19 угла, выход которого соединен с вторым р входом умножителя 18.

Сущность способа состоит в том, что относительно контролируемого иэделия 4 устанавливают две пары преобразователей 2, 6 и 3, 5 по схеме Х так, чтобы излучающие преобразователи находились по одну сторону изделия

4, а половина угла между направлениями излучения излучающих преобразователей была меньше критического. Излу-,® чают в изделие 4 ультразвуковые колебания излучающими преобразователями 2 и 3 и принимают прошедшие через изделие 4 колебания приемными преобразователями 5 и 6. По уменьшению амплитуды принятого ультразвукового сигнала судят о наличии дефекта между преобразователями каждой пары

Последовательно перемещают каждую пару преобразователей относительно неподвижного изделия 4 и другой пары преобразователей до регистрации наличия дефекта соответствующей парой преобразователей. В момент регистрации дефекта обеими парами преобразо-вателей измеряют расстояние между излучающими или приемными преобразователями, а также расстояние от излучающих или приемных преобразователеи до ближайшей к ним поверхности контролируемого иэделия с помощью лю ых датчиков положения (например б

9 потенциометрических), обеспечивающих требуемую точность измерений, которая обуславливается требуемой точностью определения глубины залегания дефектов. По измеренным расстояниям и известному углу между направлениями излучения преобразователей опре" деляют глубину залегания дефекта со стороны расположения, соответственно, излучающих или приемных преобразователей по формуле

H = - ctge(- h

2 6 где Н вЂ” глубина залегания дефекта ь

L — - расстояние между излучающими . или приемными преобразователями в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей;

h — расстояние от излучающих или приемных преобразователей до ближайшей к ним поверхности контролируемого изделия в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей; . (- половина угла между направлениями излучения излучающих преобразователей.

Способ осуществляется следующим образом.

Генератор 1 зондирующих импульсов. возбуждает излучающие преобразователи

2 и 3, которые излучают в контролируемое изделие 4 ультваэвуковые колебания. Прошедшие через изделие 4 колебания принимаются приемными преобразователями 5 и 6 и преобразуются в электрические сигналы, которые усиливаются усилителями 7 и 8 и поступают на входы пороговых устройств 9 и 10.

В пороговых устройствах 9 и 10 обеспечивается сравнение сигналов U(t), поступающих на их вход, с пороговым сигналом U1, При выполнении условкя

U(t) U „ aa выходе пороговых устройств 9 и 10 формируется сигнал логического "0", при U(t)

H =- ctgd — h

Э. 35

Формула изобретения

Составитель В.Юровский

Редактор И.Шулла Техред А.Кравчук КоРРектоР Л.Пилипенко ю

Заказ 4424/44 Тираж 847 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 142214 ния обеспечивает формирование на своем выходе сигнала, амплитуда которого пропорциональна расстоянию h от приемных преобразователей 5.и 6 до бли5 жайшей к ним поверхности контролируемого изделия 4, Второй датчик 16 положения обеспечивает формирование на своем выходе сигнала, амплитуда которого пропорциональна расстоянию

L между приемными преобразователями

5 и 6, который через делитель 17, обеспечивающий определение величины

L поступает на первый вход умножите2

15 ля 18. На второй вход умножителя 18 поступает сигнал с выхода задатчика

1 9 угла, пропорциональный величине сЦф, Умножитель 18 обеспечивает определение

L величины - ctga . Сигнал с.выхода умножи- >0

2 теля 18, пропорциональный указанной величине, поступает на первый вход дифференциального сумматора. 14, на второй вход которого поступает сиг- 25 нал с выхода первого датчика 13 положения. Дифференциальный сумматор 14 обеспечивает опр едел ение глубины з аа

L легания дефекта H = -ctgd-Ь.Сигнал

2 пропорциональный глубине залегания дефекта, с выхода дифференциального сумматора 14 поступает на индикатор 15.

Способ ультразвукового теневого контроля иэделий, заключающийся в том, что устанавливают две пары пре- 40. образователей относительно изделия по схеме Х, излучают в изделие колебания, принимают прошедшие через иэделие колебания, определяют их амплитуды, по изменению амплитуды регистрируют наличие дефекта, последовательно перемещают каждую пару преобразователей относительно неподвижного

L изделия и другои пары преобразователей до регистрации наличия дефекта, измеряют расстояние между излучающими или приемными преобразователями в момент регистрации дефекта и с учетом измеренного расстояния определяют глубину залегания дефекта, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности определения глубины залегания дефекта и расширения области применения, излучающие преобразователи устанавливают по одну сторону изделия так,чтобы угол между направлениями излучения преобразова- „ телей был меньше критического угла, в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей измеряют расстояние от излучающих или приемных преобразователей до ближайшей к ним поверхности контролируемого изделия, а глубину залегания дефекта со сторо= ны расположения соответственно излучающих или приемных преобразователей определяют по формуле где Н вЂ” глубина залегания дефекта;

1 — расстояние между излучающими или приемными преобразователями в момент регистрации дефекта обеими парами преобразователей;

h — расстояние от излучающих или приемных преобразователей до ближайшей к ним поверхности;

Ы вЂ” половина угла между направлениями излучения преобразователей.