Способ радиационной обработки транзисторов

Авторы патента:

H01L21/363 - с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления

Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450^oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины и дозой от 7 10¹³ до 25 10¹³ см^-2, а термообработку проводят в течение от 20 до 30 мин.

Похожие патенты:

Способ получения изображения // 775761

Способ изготовления полупроводниковых структур // 774476

Фотошаблон // 508974

Эталонный фотошаблон // 508973

Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот // 113403

Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках // 2139596

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457

Изобретение относится к области технической физики

Способ получения квазибикристаллических структур оксида цинка // 2202138

Изобретение относится к области электронного материаловедения

Способ создания нанотрубок // 2238239

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2318269

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2318270

Способ выращивания слоев оксида цинка // 2384914

Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем

Полупроводниковый источник света // 1774400

Способ изготовления волноводов миллиметрового диапазона // 2560804

Изобретение относится к технологии точного приборостроения и может быть использовано для изготовления волноводных трактов постоянного и/или переменного сечения миллиметрового диапазона, применяемых в СВЧ приборах. Достигаемый технический результат - повышение качества токопроводящего покрытия внутреннего канала волновода путем повышения точности и адгезионной прочности внутреннего токопроводящего покрытия равномерно по длине волновода. Способ изготовления волноводов миллиметрового диапазона заключается в изготовлении оправки из алюминиевого сплава, наружная поверхность которой повторяет форму внутреннего канала волновода и имеет требуемые шероховатость поверхности и точность размеров, в нанесении на наружную поверхность оправки металлических слоев для формирования токопроводящего покрытия внутреннего канала и корпуса волновода и дальнейшем вытравливании оправки, а также в анодировании оправки и нанесении на ее наружную поверхность методом вакуумной металлизации слоя серебра, на который далее гальванопластическим методом осаждают слой меди до достижения заданной толщины корпуса волновода.