Наклеечная планшайба

 

ИзоАретеиие относится к блок ировочиым приспособлениям для обработки тонких плос1фпараллельных пластин и может быть использовано при изготовлении мииеней из водорастворюшх кристаллов. Целью изобретения является повыЕсение точности и качества пластин из водорастворимых кристаллов. Для этого на: одной из поверхностей ппаншайбы, на которой закрепляют пластины , выполняют ортогональ1пле по отношению к ее поверхности канавки в двух взаимно пересекающихся направлениях с отношением шага к ширине канавки 20 t/a 23, при этом ширина канавки равна ее глубине. 4 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ социАлиСтичесних

РЕСПУБЛИН

А1,.SU„„4 0981 (51)4 В 24 В 13/005 ( г;

1 .1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHHM

ПРИ ГННТ СССР

Н АВтсеСксьМ СВиД=тальСтвМ (21) 4102074/31-08

I (22) 05.06.86 (46) 15.01.89. Бюл. В 2 (71) Киевский политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской срциалистической революции (72) Г,Г.Григорович, С.А.Воронов и А.Н.Иващенко (53) 621.923.5(088.8) (56) Ардамацкий П.Л. Изготовление оптических детапей. М.: Оборонмаш, 1955, с. 142, фиг. 89. (54 ) НАКЛЕЕЧНАЯ IUIAHgfAARA (57) Изобретение относится к блокировочным приспособлениям для обработки тонких плоскопараллельных пластин и может быть использовано при изготовлении мишеней из водорастворимых кристаллов. Целью изобретения является повышение точности и качества пластин из водорастворимых кристаллов.

Для этого на одной из поверхностей ппаншайбы, на которой закрепляют пластины, выполняют ортогональные по отношению к ее поверхности канавки в г двух взаимно пересекающихся направлениях с отношением шага к ширине канавки 20 (С/а <23, при этом ширина канавки равна ее глубине. 4 ил.

1450981

ЩЕ1

И зобретение относится к приспособлениям для изготовления. тонких плос1 копараллельных пластин, например, для изготовления мишеней иэ. водораствори5 мых кристаллов для преобразователей теплового излучения.

Целью изобретения является повышение точности изготовления тонких

;плоскопараллельных пластин из водорастворимых кристаллов.

На фиг. 1 изображена предлагаемая наклеечная планшайба, вид спереди; на фиг. 2 — то хе вид сверху, на фиг. 3 — узел Т на фиг. 1; на фиг.4 — 15 крепление тонкой пластины на поверхности наклеечной планшайбы.

Наклеечная планшайба представляет собой плоскопараллельный диск 1, выполненный из кварцевого стекла диа метром 20«30 ьи и толшиной 10 мм. На поверхности 2 этого диска (на эту . поверхность -в дальнейшем будут закре пляться заготовки) выполнены канавки

; 3 с шагом t 2-3 мм, глубиной b и ши- 25 риной а 0,09-0 15 мм..

Шаг, глубина и ширина канавок 3 выбраны опытным путем из следующих соображений: уменьшение шага менее

2-3 мм приводит к уменьшению площади 30 участков поверхности, которые обеспечивают параллельность блокировки.

Кроме того, в этом случае возрастают затраты на изготовление наклеечных планшайб, так как необходимо сделать 35, большее число канавок 3. Увеличение,, шага канавок 3 усложняет, параллельную блокировку, т.е. воск попадает .между канавками 3 и удалить его из этих участков очень сложно. Это, в. 40 свою очередь, нарушает оптический контакт между пластиной 4 и планшайбой, Глубина и ширина канавок 3 выбрана из следующих соображений. При размерах канавки 3 менее 0,09 " 0,09 мм 45 количество воска и площадь приклейки недостаточны для надежной блокировки пластины 4 на поверхности наклеечной планшайбы. При увеличении размеров канавок более 0,15 0,15 ми увеличивается расход воска, усложняется изготовление планшайбы, а самое главное при блокировке и выдавливании излишков воска возможно разрушение пластин 4 (образование трещин, сколов и т,д.). Таким образом, оптимальное отношение шага канавки к ее ширине

t выбрано из условия 20 c — (23.

Блокировка заготовки пластины 4 производится следующим образом.

На обезжиренную поверхность 2 наклеечной планшайбы устанавливают заготовку пластины 4. По краям пластины 4 располагают несколько кусочков воска. После этого наклеечную планшайбу нагревают до температуры плав« ления воска, и воск по канавкам 3 затекает под пластину 4. Излишек воска выдавливается иэ-под пластины 4. Следовательно, пластина 4 строго параллельно заблокирована на поверхности наклеечной планшайбы. После остывания она держится на поверхности пластины только на участках канавок 3. Параллельность блокировки пластины 4 на поверхности наклеечной планшайбы обеспечивается непосредственным оптическим контактом между пластиной 4 и поверхностью наклеечной планшайбы.

Формула и з о б р е т е н и я

Наклеечная планшайба для изготовления тонких плоскопараллельных плас. тин, выполненная в виде диска с канавками в двух взаимно пересекающихся направлениях на его рабочей поверхности, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности и качества изготовления пластин из водорастворимых кристаллов, отношение шага канавки к ее ширине выбрано

t в пределах 20 (- <23, при этом ширина а канавки равна ее глубине.

1450981

Составитель А.Козлова

Редактор Т.Парфенова Техред М. Ходанич Корректор С.Черни

Заказ 7019/ll Тирам 663 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Увгород, ул. Проектная, 4

Наклеечная планшайба Наклеечная планшайба Наклеечная планшайба 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано при шлифовании деталей ответственного назначения на круглогалифовальных станках

Изобретение относится к приборостроению , в частности к технологии изготовления магнитных головок

Изобретение относится к оптико-механической промышленности и может быть использовано при обработке сферических оптических деталей в блоках

Изобретение относится к области обработки материалов резанием и может быть использовано при шлифовании плоских поверхностей деталей

Изобретение относится к приборои машиностроению, в частности к способам обработки покрытий, нанесенных на изделия, которые работают на износ в агрессивных средах

Изобретение относится к машийостроению и может быть использовано при изготовлении цилиндрических деталей

Изобретение относится к абразивной обработке и может быть использовано для обработки деталей золотниковых и плунжерных пар трения гидромашин

Изобретение относится к технологии машиностроения

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано при обработке сверхтвердых материалов на операции предварительной огранки

Изобретение относится к абразивному производству

Изобретение относится к технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при одновременной обработке дна и стенок пазов

Изобретение относится к полировочным композициям и способам удаления царапин и других дефектов с разнообразных пластиковых поверхностей с целью улучшения их прозрачности и оптического качества

Изобретение относится к машиностроению, а именно к обработке материалов резанием, и может быть использовано на машиностроительных предприятиях для эффективной чистовой обработки заготовок из различных металлов, предрасположенных к дефектообразованию

Изобретение относится к абразивной обработке и позволяет совместить процесс очистки и правки круга, с процессом шлифования для повышения эффективности шлифования и улучшения качества обрабатываемой поверхности

Изобретение относится к абразивной обработке и позволяет совместить процесс очистки и правки круга, с процессом шлифования для повышения эффективности шлифования и улучшения качества обрабатываемой поверхности

Изобретение относится к машиностроению, а именно к обработке материалов абразивным инструментом, и может быть использовано на машиностроительных и других предприятиях, где необходима эффективная чистовая, отделочная обработка заготовок из различных металлов, предрасположенных к дефектообразованию

Изобретение относится к глубинному периферийному шлифованию материалов, предрасположенных к дефектообразованию в виде прижогов и микротрещин

Изобретение относится к упрочнению поверхности деталей, в частности поверхностно-пластическим деформированием, с использованием энергии ультразвуковых колебаний
Наверх