Выходной каскад формирователя импульсов

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формирования импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. Целью изобретения является расиирение диапазонов формирования верхнего и нижнего уровней напряжения, повмпение точности и стабильности установки

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„, 14571 (51)4 Н 03 К 5/01

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4098422/24-21 (22) 30.07.86 (46) 07.02.89. Бил. N - 5 (71) Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" (72) Б.П.Кутовой (53) 621.374 (088,8) (56) Эйдукас Д.Н. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем. — M. Радио и связь, 1982, с. 267, рис. 6.21. (54) ВЫХОДНОЙ КАСКАД ФОРМИРОВАТЕЛЯ

ИМПУЛЬ С ОВ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может бытЬ использовано в устройствах формирования импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. Целью изобретения является раснирение диапазонов формирования верхнего и нижнего уровней напряжения, повышение точности и стабильности установки

14571 выходного напряжения, а также быстродействия. Для достижения этой цели в каждый из каналов введен третий ключ, выполненный симметрично второму ключу и состоящий из двух диодов, резистора и транзистора. При этом проводимость транзистора выбрана противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала. Устройство содержит первый.и второй каналы формирования верхнего и

49 нижнего уровней соответственно, которые содержат первые 1 и ? и вторые

3 и 4 ключи на транзисторах 5 — В и

11, !2, Третий ключ 23 первого канала содержит два диода 25 и 26, транзистор 28. Третий ключ 24 второго канала содержит диоды 29 и 30, транзисторы и диоды, входящие в состав ключей соответствующих каналов, по.казаны на чертеже. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формирования импульсных сигналов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. 5

Целью изобретения является расширение диапазонов формирования верхнего и нижнего уровней напряжения и повышение точности и стабильности установки выходного напряжения, уве- 10 личение быстродействия.

На чертеже представлена схема вы модного каскада формирователя импульсов.

Выходной каскад включает первый и второй каналы формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, которые содержат первые 1 и ? и вторые 3 и 4 ключи, выполненные на транзисторах 5 и 6, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 7 и 8 первого ключа 1 первого канала через первый резистор 9 соединены с первой шиной 10 питания, 25 объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 11 и 12 первого ключа 2 второго канала через второй резистор 13 соединены с второй шиной

14 питания, коллектор транзистора 7 соединен с точкой соединения первого

30 и второго диодов 15 и 16, коллектор транзистора 1! соединен с точкой соединения третьего и четвертого диодов

17 и 18, базы транзисторов 5 и 6 вторых ключей первого и второго ка- 35 налов соединены соответственно через третий р езистор 19 с первой шиной 20 опорного напряжения и через четвер2 тый резистор ?1 — с второй шиной 22 опорного напряжения, третий ключ 23 первого канала и третий ключ 24 второго канала.

Третий ключ 23 первого канала содержит два диода ?5 и 26, резистор

27 и транзистор 28 с проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала. Третий ключ 24 второго канала содержит двя диода 29 и 30, резистор

31 и транзистор 32. Коллекторы первого и второго транзисторов 7 и 8 соединены через резисторы 33 и 34 с шиной 14. Коллекторы первого и второго транзисторов 11 и 12 через резисторы 35 и 36 соединены с ниной 10.

Базы первого и второго транзисторов обоих каналов соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами 37 — 40 устройства, Устройство включает выходную пину 41.

Выходной каскад работает следующим образом, Если ня входе 37 напряжение логической "1" отрицательной полярности, на входе 40 напряжение логической

"1" положительной полярности, на входах 38 и 39 напряжение логического "0", напряжение на второй шине 22 опорного напряжения (напряжение нижнего уровня 11„) отрицательной полярности, а напряжение ня шине 20 положительной полярности (напряжение верхнего уровня П, то транзисторы 8 и 11 открыты, я транзисторы 7 и 12 закрыты. Тяк кяк транзистор 8

14571 открыт, а напряжение на шине 20 положительное, то транзистор 28 открыт, Режим транзистора Я устанавливают таким образом чтобы транзистор

?8 закрывался при напряжении на шине 20, близком к нулв. Режим транзистора 11 устанавливают таким образом, чтобы транзистор 5 открывался только при напряжении на шине 20, близком к нули, следовательно, при положительном напряжении на шине 20 транзистор 5 закрыт. Так как закрыт тран49

4 на шине 22 и напряжения коллектор эмиттер открытого транзистора 32.Fcли изменить полярность напряжения на шине 22 на положительнув, транзистор 32 закроется при напряжении близком к нулю, откроется транзистор 6 и на выходной шине 41 будет формироваться положительное напряжение нижнего уровня.

Формула изобретения зистор 12, то закрыт и транзистор

32. Отрицательным напряжением на ши- 15 не 22 транзистор 6 закрыт. Напряжение верхнего уровня положительной полярности на выходной шине 41 определяется разностьн напряжения на шине 20 и напряжения коллектор — эмиттер открытого транзистора ?8, Если

20 изменить полярность напряжения на шине 20 на отрицательнун, транзистор

28 закрывается, открывается транзистор 5 и на шине 41 будет формировать- 25 ся отрицательное напряжение верхнего

В отрицательной области изменения напряжения 11 на шине 20 быстродействие определяется только транзистором 5, который входит в насьш1ение

40 при напряжении U s, близком к нулю, и находится в этом режиме во всей области отрицательных напряжений Уц, Если на входах 37 и 40 напряжение логического "0", на входе 38 напряжение логической "1" отрицательной полярности, на входе 39 напряжение логической "1" положительной полярности, напряжение нижнего уровня U > на шине 2? отрицательной полярности, а напряжение верхнего уровня U> на шине 20 положительной полярности,что транзисторы 7, 12 и 32 открыты,транзисторы 8,11,28, 5 и 6 закрыты. Формирование нижнего уровня на выходной шине 41 происходит аналогично формированию верхнего уровня. Напряжение нижнего уровня на выходной шине определяется разностьв напряжения 11д уровня.

Так как транзистор 28 находится в насыщении во всей области положительных напряжений и закрывается 30 только при напряжении И на шине 20, .близком к нули, а во всем диапазоне изменение U> положительной полярности, быстродействие формирования выходного напряжения определяется толь35 ко транзистором 28.

Выходной каскад формирователя импульсов, содержащий подсоединенные к выходной нине первый и второй каналы формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах по схеме токового переключателя, и второй ключ, выполненный на одном TpRH зисторе, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов первого клича первого и второго каналов через соответственно первый и второй резисторы соединены с первой и второй шинами питания соответственно, коллекторы первых транзисторов первого клнча соответственно первого и второго каналов подсоединены к точкам соединения соответственно первого, второго, третьего и четвертого диодов, вторые электроды которых соединены соответственно с базой и коллектором транзистора второго ключа второго канала и с базой и коллектором транзистора второго ключа первого канала, базы транзисторов вторых кличей первого и второго каналов соединены соответственно через третий резистор с первой шиной опорного напряжения, а четвертый резистор— с второй шиной опорного напряжения, проводимость транзисторов первого ключа совпадает с проводимостью транзистора второго ключа данного канала и противоположна проводимости транзисторов первого ключа второго канала, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазонов формирования верхнего и нижнего уровней напряжения и повышения точности и стабильности установки выходного напряжения, увеличения быстро.ействия, в каждый из каналов введь третий ключ, выполненный симметрично второму ключу и состоящий из дву:: диодов, резистора и транзистора с

Составитель Л, Симонова

Техред М.Дидык

Корректор В,Бутяга

Редактор А.Мотыль

Заказ 7493/57 тираж 879 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 14571 проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала, .эмиттер и коллектор транзистора третьего ключа соединены соответственно с эмиттером и кол5. лектором транзистора второго ключа своего канала, общие точки диодов третьих ключей первого и второго каналов соединены соответственно с кол- 1О лекторами вторых транзисторов первых

49 6 ключей своих каналов, коллекторы транзисторов первых ключей соединены через соответствующие резисторы,вторые выводы которых объединены и подключены соответственно к второй и первой шинам питания, базы первого и в тор ого транзи с торов обоих к ан алов соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами у строй с тва.