Устройство для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя

 

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя. Целью изобретения является повышение помехоустойчивости и КПД устройства. Дополнительный диод 17 препятствует протеканию тока через резистор 15 в направлении, противоположном протеканию сформированного импульса по цепи: общая точка плеч фазосдвигающего моста, диод 13, резистор 15, конденсатор 7, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. Аналогично диод 16 препятствуетпротеканию встречного тока в резисторе 14 второй ключевой схемы в момент времени, когда на средней точке вторичной обмотки трансформатора 1 напряжение меняет знак с минуса на плюс. Устройство обладает более высокими КПД и помехоустойчивостью, особенно при резких скачках напряжения сети и при величинах тока меньше тока отпирания тиристора. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

150 4 Н 02 М 1 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

pÄ nba р

T ! h .33!r 1(Фиг.1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4128399/24-07 (22) 23.09. 86 (46) 15.04.89. Бюп. 11 14 (72) Ю.Е.Ворошилов и Я.А.Мачинский (53) 621.316. 727(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 858203, кл. Н 02 М 1/08, 1980.

Авторское свидетельство СССР

У 989702, кл. Н 02 М 1/08, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ПРИБОРАМИ СТАТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (57) Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя. Целью изобретения является повышение помехоустойчивости и

КПД устройства. Дополнительный диод

ÄÄSUÄÄ 1473()32 А1

17 препятствует протеканию тока через резистор 15 в направлении, противоположном протеканию сформированного импульса по цепи: общая точка плеч фазосдвигающего моста, диод 13, резистор 15, конденсатор 7, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1.

Аналогично диод 16 препятствует про" теканию встречного тока в резисторе

14 второй ключевой схемы в момент времени, когда на средней точке вторичной обмотки трансформатора 1 нап" ряжение меняет знак с минуса на плюс.

Устройство обладает более высокими

KIIg и помехоустойчивостью, особенно Q при резких скачках напряжения сети и при величинах тока меньше тока отпирания тиристора. 2 ил.

С:

1473032

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя.

Цель изобретения — повышение помехоустойчивости и коэффициента полезного действия устройства.

На фиг.1 приведена электрическая схема устройства для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя; на фиг. 2 — графики, поясняющие его работу.

Устройство (фиг.1) содержит входной трансформатор 1, переменный резистор 2 и конденсатор 3, образующие фазосдвигающий мост, две ключевые схемы, состоящие из тиристоров 4 и 5 с накопительными конденсаторами 6 и

7 и включенные в диагональ фазосдвигающего моста через разделительные диоды 8-11.

Разделительные диоды 12 и 13 подкпючены так, что анод каждого из них 25 присоединен к управляющему электроду тиристора одной из ключевых схем, а катод — к аноду того же тиристора.

Положительные обкладки накопительных конденсаторов 6 и 7 через резисторы

14 и 15, включеные в проводящем направлении дополнительные диоды 16 и

17, подключены к анодам тиристоров

4и5.

Устройство работает следующим образом, В полупериод, когда плюс напряжения на диагонали фазосдвигающего моста приложен к средней точке вторичной обмотки трансформатора 1, а ми- 40 нус — к общей точке соединения элементов плеч фазосдвигающего моста, происходит заряд конденсатора 7 по цепи: средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1, переход управляющий электрод — катод тиристора 5, диод 10, конденсатор 7, диод 11, общая точка элементов, включенных в плечи фазосдвигающего моста. При достижении током величины открытия тиристора 5 большая часть зарядного тока накопительного конденсатора 7 протекает по цепи: средняя точка вто ричной обмотки трансформатора 1, ди од. 12, переход анод — катод тиристора 5, диод 10, конденсатор 7, диод

I1, общая точка элементов, включенных s плечи фазосдвигающего моста (фиг.2а, б) .

Напряжение на конденсаторе 7 возрастает по синусоидальному закону до амплитудного значения напряжения на диагонали фазосдвигающего моста (фиг.2с), диоды 10 и 11 не дают возможности разряжаться конденсатору 7 при последующем уменьшении напряжения на диагонали фаз осдвигающего моста в промежуток времени 90180 эл.град.

В момент времени, когда на средней точке трансформатора 1 приложенное напряжение меняет знак с плюса на минус, а на общей точке элементов фазосдвигающего моста — с минуса на плюс, появляется ток заряда конденсатора 6 (фиг.2е ), который протекает по цепи: общая точка элементов фазосдвигающего моста, переход управляющий электрод — катод тиристора 4, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. После включения тиристора 4 большая часть зарядного тока конденсатора 6 протекает через диод

13 и переход анод — катод тиристора

4 (фиг.2а,б ), а конденсатор 7 (! начинает разряжаться по цепи положительная обкладка конденсатора 7, резистор 15, диод 17, переход анодкатод тиристора 4, отрицательная обкладка конденсатора 7.

В связи с тем, что время включения тиристора сравнительно мало, на резисторе нагрузки -15 формируется импульс с круглым фронтом (фиг.2д).

Дополнительный диод 17 препятствует протеканию тока через резистор нагрузки 15 в направлении, противоположном протеканию сформированного импульса по цепи: общая точка соединения плеч фазосдвигающего моста, диод

13, резистор нагрузки 15, конденса- тор 7, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. Аналогично дополнительный диод 16 препятствует протеканию встречного тока в резисторе нагрузки

14 второй ключевой схемы в момент времени, соответствующий 360 эл. град., когда на средней точке трансформатора 1 приложенное напряжение меняет знак с минуса на плюс. Таким образом., устройство позволяет получить за период два импульса, сдвинутых относительно друг друга на 180 (фиг.2д, д ) °

i 473032

СдвиГая напряжение диагонали фазосдвигающего моста относительно напря-;, жения сети, осуществляют сдвиг форми- руемых импульсов.

Устройство обладает более высоким коэффициентом полезного действия и более высокой помехоустойчивостью, особенно при резких скачках напряжения сети, когда скачок встречного тока через нагрузку имеет максимальное значение, и при величинах тока меньше величины отпирания тиристора, когда большая часть тока протекает через нагрузку в встречном направлении, так как дополнительно установленные диоды препятствуют протеканию встречного тока через резисторы нагрузки.

Формула изобретения

Устройство для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя, содержащее фазосдви- 2g гающий мост, первый и второй тирнс торы, катод каждого из которых через первый и второй разделительные диоды соответственно соединен с положительной обкладкой первого и второго конденсаторов соответственно и одним выводом первого и второго нагрузочных резисторов соответственно, отрицательные обкладки первого и второго конденсаторов соединены с катодами второго и первого тиристоров соответственно и анодами третьего и четвертого соответственно разделительных диодов, катоды которых соединены с управляющими электродами второго и первого тиристоров соответственно, управляющие электроды тиристоров соединены с их анодами через пятый и шестой разделительные диоды и подключены в диагональ фаэосдвигающего моста, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и КПД устройства, другие вы- воды первого и второго нагрузочных резисторов соединены с анодами второго и первого тиристоров соответственно через первый и второй дополнительные разделительные диоды.

1473032 с 11

Vj

Редактор М.Недолуженко

Тираж 645

Заказ )723/54

Подписное

ВЯИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. ° д. 4/5

Дроиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул. Гагарина,101

Vg

Составитель А.Меркулрва

Техред Л.Сердюкова Корректор М.Пожо