Диэлектрический резонатор

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение механической прочности резонатора. Диэлектрический резонатор содержит диэлектрический образец 1 в виде пленки толщиной 5-100 мкм на основе твердого раствора алюмината лантана - титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетратитаната, где лантаноид - самарий и неодим. Пленка спеканием закреплена на подложке 2, которая имеет толщину 0,2-1,0 мм и выполнена из поликора, оксида магния или сапфира. Цель достигается выполнением образца 1 в виде пленки, закрепленной спеканием на подложке 2. Даны ил. выполнения резонатора дисковой и прямоугольной формы. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 Н 01 P 7/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И A ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ fHHT СССР (21) 4259798/24-09 (22) 04,05.87 (46) 07.05.89. Бюл. ¹ 17 .(72) Т.Н.Вербицкая, Л.П.Мудролюбова, Б,А.Ротенберг, Л.В.Светлова, A.Í.Ñåëüâè÷, Л.С.Соколова и Т.Н.Нарытник (53) 62 1.372.412(088,8) (56) Патент США 3919672, кл. Н 01 P 1/20, 1975.

Microvave Journal. 1980, v, 21, ¹ 12, р. 62. (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР (57). Изобретение относится к технике

СВЧ. Цель изобретения — повышение

„,ЯО,„, 147827О д1 механической прочности резонатора.

Диэлектрический резонатор содержит диэлектрический образец t в виде пленки толщиной 5-100 мкм на основе твердого раствора алюмината лантана— титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетратитаната, где лантаноид — самарий и неодим.

Пленка спеканием закреплена на подложке 2, которая имеет толщину 0,21,0 мм и выполнена из поликора, ок.сида магния или сапфира. Цель достигается выполнением образца 1 в виде пленки, закрепленной спеканием на подложке 2. 2 ил.

Изобретение относится к иэделиям техники СВЧ и может быть использовано для создания частотно-избирательных устройств СВЧ-трактов и колеба5 тельных систем СВЧ-антогенератосов.

Цель изобретения — повышение механической прочности дизлектрического резонатора.

На фяг. 1 представлена конструк- 10 ция диэлектрического резонатора дисковой и прямоугольной формы; на фиг. 2 — группа диэлектрических резонаторов дисковой формы.

Диэлектрический резонатор содержит 15 дизлектпическяй образец 1 в виде пленки .толщиной 5- 100 мкм на основе ,твердого раствора алюмината лантана— титаната кальция или твердого раствора барийлантаноидного тетратитана". 20 та, где лантаноид — самарий и неодям которая закпеппена на подложке 2 спеканием, при этом подложка 2 имеет толщину 0-,2-1,0 мм и выполнена яз поликора, окисда магния либо сапфира. 25

Резонатор работает следующим образом.

При по" òóïëåíèè электромагнитной, волны на диэлектрический резонатор в нем возбуждаются колебания, струк- ЗО тура и резонансная частота которых определяется выбором формы и резонансных размеров, диэлектрического образца 1, а также значением относи" тельной диэлектрической проницаемос35 ти материалов. Добротность и термостабяльность резонатора определяется, в основном, тангенсом угла потерь и ТК материала соответственно. Ввиду того, что диэлектрический образец 1 резонатора выполнен в виде пленки с повышенными значечиями

20-100, закрепленной спеканием на подложке 2 с относительно малыми значениями Е (Я 10-16), то электромагнитное поле сосредотачивается преимущественно в пленкедиэлектричес" кого образца 1, а подложка 2 выполняет функции носителя, благодаря чему достигается повьппение механической прочности диэлектрического резонатора.

Основные характеристики дизлектркческого резонатора, такие как резонансная частота, добротность я термостабильность определяются пара55 метрамя диэлектрического образца 1 в виде пленки на основе твердого раствора алюмината-лантана — титаната кальция или твердого раствора бааийлантаноидного тетратитаната, которые octsMTcR практически неизменными пря закреплении пленки на подложке 2 спеканием. Влияние подложки приводит лишь к незначительным изменениям укаэанных характеристик диэлектрического резонатора.

Выполнение диэлектрического образца 1 в виде пленки закрепленной на подложке 2 спеканяем, позволяет повысить механическую прочность высокодобротных, термостабильных диэлектрических резонаторов, предназначенных для использования в коротковолновой час и сантиметрового и миллиметрового диапазона воли, где для обеспечения резонансных размеров диэлектрического резонатора требуются диэлектрические образцы 1 яз укаэанных материалов толщиной менее

200 мкм„

При этом изготовление и обработка сплошных диэлектрических образцов 1 малой толщины существенно затруднены из-эа хрупкости используемых диэлектрических материалов (керамика) °

Выбор толщины подложки 2 в пределах 0,2-1,0 мм позволяет яспопь" зовать в качестве носителя диэлектрической пленки подложки стандартных микрополосковых линий, т.е. реализовать схемы функциональных устройств СВЧ на диэлектрических резонаторах в интегральном исполненли. Иэ монолита, состоящего иэ ди.электрической пленки и подложки 2, можно изготавливать диски (шайбы) и прямоугольники заданньгл размеров япи специальными приемаии частично удалять цленку с подложками 2, ос" тавляя на ней -.ребуемых размеров пленки, выполняющие функцииреэонаторов

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Диэлектрический резонатор, содержащий диэлектрический образец, имеющий резонансные размеры, выполненный яз материала с относительной диэлектрической проницаемостью Е

20-100, температурным коэффициентом

ТК 0 и тангенсом угла потерь

10 - 10 я закрепленный на подлож-ке, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности, диэлектрический образец

В

Составитель Л.Аиексейчик

Редактор А.Мотыль Техред Л. Олийнык Корректор И.Демчик

»»»» »»

Заказ 2368/51 Тирам 606. Подписное

9HHHI9f Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн FXHT СССР

113035, Москва, N-ЗЗ, Рауиская наб., д. 4/5 йроизводственно-издательский комбинат Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, ®1 выполнен в виде пленки толщиной 5 "

100 мхм на основе твердого раствора алюмината лантана - титаната кальция нли твердого раствора барийлантаноид- > ного тетратитаната, где лантаноидсамарий и неодим, которая закреплена на подложке спеканиеи, при этом под:ложка имеет толщину 0,2-1,0 им и выполнена нз полнкора„ оксида магния ларбо сапфира.