Раствор для травления антимонида индия

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой и гибридной технологиям, и может быть использовано при формировании рисунка схемы методом фотолитографии. Цель изобретения - улучшение качества травления за счет повышения его равномерности. В раствор для травления антимонида индия, включающий органическую кислоту, перекись водорода и азотную кислоту, дополнительно вводят фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты используют винную или лимонную кислоту. Компоненты раствора берут в соотношении, об.%: 30%-ная винная или лимонная кислота 66,7 - 72,7; 30%-ная перекись водорода 15,5 - 23,3; 65%-ная азотная кислота 3,3 - 5,7; 40%-ный фторид аммония 2,9 - 6,2; 1%-ный алкилсульфонат натрия 1,7 - 2,9. Неровность поверхности 3 - 5 мкм. Подтрав защитной пленки 3 - 5 мкм. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой и гибридной технологиям, и может быть использовано при формировании рисунка схемы методом фотолитографии. Цель изобретения улучшение качества травления за счет повышения его равномерности. При выходе за пределы указанных интервалов содержания компонентов раствора процесс травления становится трудно контролируемым из-за большого количества газовых пузырей. П р и м е р. Для приготовления раствора в ванночку из фторопласта наливают 25 мл лимонной кислоты, затем вводят 2 мл азотной кислоты и 1 мл фторида аммония. Далее 1 мл алкилсульфоната натрия вводят в ванночку пипеткой и перемешивают, а 6 мл перекиси водорода вливают непосредственно перед травлением. После очистки пластины в кипящем изопропиловом спирте и в парах изопропилового спирта ее подвергают термообработке при температуре 423±5 К в течение 30 мин для удаления остатков органических паров. Для создания защитной маски применяют фоторезист ФП-383. Формирование фоторезистивной маски проводят по стандартной технологии в соответствии с картой 10-типового технологического процесса "Микросборки гибридные тонкопленочные", ОСТ 25875-79. Травление проводят в описанном растворе при температуре 291-298 К в фторопластовой ванночке. Пластину помещают в кассету так, чтобы она при травлении находилась в горизонтальном положении, и производят травление, перемещая кассету вверх-вниз. Конец травления определяют визуально по изменению цвета пластины от золотисто-желтого до светло-серого (цвет подложки из арсенида галлия). Время травления 45 с (измеряют по секундомеру). Полноту стравливания пленки антимонида индия контролируют под микроскопом МССО при увеличении 58^х. Контроль качества травления и измерение геометрических размеров элементов проводят после удаления фоторезиста под микроскопом "Биолам М". Другие примеры отличаются лишь соотношением компонентов и временем травления. Составы травителя, время травления, а также характеристики полученного изделия приведены в таблице. Как видно из таблицы, предлагаемый раствор улучшает качество травления. Газовыделение и коалесценция незначительные, что облегчает доступ травителя к пленке антимонида индия, способствует повышению равномерности процесса травления, обеспечению заданных геометрических размеров элементов. Величина подтрава составляет 3-5 мкм, неровность края травления 3-5 мкм. В результате повышается выход годных до 85% (по способу-прототипу 75%).

Формула изобретения

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий органическую кислоту, перекись водорода, азотную кислоту, отличающийся тем, что с целью улучшения качества травления за счет повышения его равномерности, раствор дополнительно содержит фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты винную или лимонную кислоту при следующем соотношении компонентов, об. Винная или лимонная кислота (30%-ная) 66,7 72,7 Перекись водорода (30%-ная) 15,5 23,3 Азотная кислота (65%-ная) 3,3 5,7 Фторид аммония (40%-ный) 2,9 6,2 Алкилсульфонат натрия (1%-ный) 1,7 2,9

РИСУНКИ

Рисунок 1