Способ магнитографического контроля
Изобретение относится к магнитографической дефектоскопии и может быть использовано при контроле качества ферромагнитных изделий и их сварных соединений. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей за счет определения также и положения дефекта относительно поверхности - достигается за счет того, что на контролируемое изделие с двух сторон укладывают магнитные ленты, намагничивают изделие совместно с магнитными лентами, считывают и синхронно расшифровывают обе магнитограммы. При этом по амплитудам импульсов от дефектов с обеих магнитограмм определяют глубину залегания дефекта. Суммируют амплитуды соответствующих импульсов и по результирующей амплитуде определяют размер дефекта. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.
СОО3 СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (5114 G 01 N 27/85
gl. 1 Г -" 1
Г4 "". T"; i г
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯИ
ПРИ П1НТ СССР (21) 2410045/25-28 (22) 07, 10. 76 (46) 30.06.89. Бюл. II- 24 (72) Е, М, Волков (53) 620. 179, 14(088, 8) (56) Фалькеич А. С. и др. Магнитографический контроль сварных соединений. М.:
Машиностроение, 1966, с. 162-171. (54) СПОСОБ МАГНИТОГРАФИЧЕСКОГО КОНТP ОЛЯ (57) Иэ обретение относится к магнитографической дефектоско|ц и и может быть использовано при контроле качества ферромагнитных изделий и их сварных соединений, Цель изобретеИзобретение относится к контрольно-измерительной технике и может использоваться для неразрушающего контроля ферромагнитных изделий и их сварных соединений °
Цель изобретения — расширение функциональных воэможностей путем определе ыя также и положения дефекта относительно поверхности.
На фиг, 1 представлена схема реализации способа; на фиг.2 — взаимное расположение магнитных лент, дефектов изделия, и их изображение на экранах дефекторов; на фиг ° 3сигнал на экране дефектоскопа после суммирования амплитуд соответствующих импульсов магнитограмм, На схеме реачиэации способа показано иэделие 1 с дефектом 2 и нало„„SU„„1490613 A1 ния — расширение функциональных воэможностей за счет определения также и положения дефекта относительно поверхности — достигается з а счет того, что на контролируемое изделие с двух сторон укладывают магнитные ленты, намагничивают изделие совместно .с магнитными лентами, считывают и синхронно расшифровывают обе магнитограммы. При этом по амплитудам импульсов от дефектов с обеих магнитоIðамм определяют глубину залегания дефекта, Суммируют амплитуды соответствующих импульсов и по результирующей амплитуде определяют размер дефекта. 1 з, и, ф-лы, 3 ил. женные на изделие с двух сторон магнитные ленты 3 и 4. Сигналы от дефектов, считанные с магнитной ленты
3, показаны на экране 5 дефектоскопа, Соответствующие им сигналы, считанные с магнитной ленты 4, показаны на экране 6 дефектоскопа, Способ осуществляется следующим образом, На контролируемое иэделие 1, например сварной шов, вдоль его велика усиления с двух сторон накладыва1 ют магнитные ленты 3 и 4, намагничивают их вместе с изделием 1, затем считывают и расшифровывают полученные магнитограммы, причем расшифровку магнитограмм производят одновременно с обих лент, помещая их синхронно в воспрои3водящие устройст"
14906 13 ва дефекто скопа. На фи r. 2 по к аз ано, что в зависимости от глубины залегания дефектов сигналы на экранах 5 и 6, дефектоскопов имеют различную амплитуду,.По величине импульсов на экранах дефектоскопов проводят расшифровку магнитограмм, Одновременно расшифровка магнитограмм позволяет определить месторасположение дефекта 10 по толщине иэделия, так как при намагничивании изделия поле рассеяния, вызванное дефектом, намагничивает обе ленты в месте расположения ее над дефектом, причем ту иэ них сильнее, 15 ближе к которой расположен дефект, Следовательно, сравнивая амппитуды импульсов от дефекта с обеих лент> можно определить его месторасположение. Поскольку амплитуда импульса 20 от дефекта зависит как от глубины его залегания, так и от размера дефекта, для более точного определения последнего аммппитуды импульсов от дефекта с лент 3 и 4 суммируют 25 (фиг. 3), При суммировании уменьшение амплитуд импульса с одной ленты компенсируется увеличением амплитуды . импульса с второй ленты, в результате чего суммарные амплитуды импульсов от дефектов одинаковогб размер а р а в ны, Таким образом, происходит отстройка от параметров, характеризующнх глубину э алегания, и выделяются параметры, характеризующие размеры дефекта.
Фор мул а из обретения
1 Спо соб магнито гр афи че ского контроля изделий, заключающийся в том, что на поверхность контролируемого изделия накладывают магнитную ленту, намагничивают совместно с изделием, затем считывают и расшифровывают магнитограмму, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей за счет определения также и положения дефекта относительно поверхности, используют дополнительные магнитные ленты, которые перед намагничиванием накладывают на изделие с нескольких сторон, а расшифровку магнитограмм после намагничивания производят совместно, 2. Способ по п,1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности при определении размера дефекта, суммируют амплитуды соответствующих импульсов магнитограмм и размер дефекта определяют по величине реэул ьтирующей амплитуды, 14906 13
Фие. 2
Составитель И,Кесоян
Техред М.Дидык
Корректор M,Ìàêñèèèiïèíåö
Редактор С,Лисина
Заказ 3749/52 Тнр аж 789 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ултород, ул. Гагарина 101
