Способ контроля процесса кристаллизации

 

Изобретение относится к области автоматического контроля процессов химической технологии. Цель изобретения - повышение точности определения момента начала кристаллизации, дисперсности и концентрации твердой фазы. Для этого реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами: основным с частотой 1,0÷10 МГц и дополнительным с частотой 0,1÷0,8 МГц, измеряют частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительного изменения частоты прошедшего основного импульса по достижению ею своего экстремума определяют начало процесса кристаллизации, по величине поглощения дополнительного импульса определяют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений в реакционной массе основного и дополнительного импульсов определяют дисперсность твердой фазы. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) 9 А1 (59 4 G 01 N 15/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ разом.

OCV4APCTBEHHblA КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4343578/31-25 (22) 14.12,87 (46) 30.07,89. Бюл. Н - 28 (71) Ленинградский технологический институт им. Ленсовета (72) Н ° В.Лобанов, В.В.Платонов, Г.В.Сумароков, А.С.Третьяков и П.С.Зубарев (53) 539.215.4:66.063.52(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 895478, кл, G 01 N 15/02, 1982.

Авторское свидетельство СССР

Р 1286951, кл. G 01 N 15/02, 1987. (54) .СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ (57) Изобретение относится к области автоматического контроля процессов химической технологии. Цель изобретения — повышение точности определения момента начала кристаллизации, Изобретение относится к химической технологии, в частности к автоматическому контролю процессов кристаллизации, грануляции, измельчения, и может быть использовано в химической промьпиленности.

Целью изобретения является повышение точности определения момента начала кристаллизации, дисперсности и концентрации твердой фазы.

Поставленная цель достигается путем увеличения поглощения ультразвука в области малых концентраций за счет изменения режима ультразвукового прозвучнвания реакционной массы.

2 дисперсности и концентрации твердой фазы, Для этого реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами. основным с частотой 1,0-10 МГц и дополнительным с частотой О,1 — 0,8 11Гц, измеряют частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительно изменения частоты прошедшего основного импульса по достижению ею своего экстремума определяют начало процесса кристаллизации, по величине

Ъ поглощения дополнительнîro импульса определяют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений в реакционной массе основного и дополнительного импульсов определяют дисперсность твердой фазы. 2 ил.

На фиг. 1 показан график зависимости изменения частоты f (кривая а) первой производной f (кривая б) относительно изменения частоты после начала кристаллизации; на фиг, 2 принципиальная схема установки для осуществления предлагаемого способа, Установка содержит технологический аппарат 1, ультразвуковой датчик 2, ультразвуковой измерительный прибор 3 и вычислительное устройство 4.

Способ осуществляют следующйм об509 4

Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет повысить

10 з 1497

В технологическом аппарате 1 находится реакционная масса, в которой образуются кристаллы. Реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами, подаваемыми с ультразвукового датчика 2: основным с частотой 1,0- 10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц.

При прохождении ультразвука через среду, в которой начинается рост кристаллов, происходит относительное изменение частоты основного импульса (фиг. 1 кривая а). Начало этого изменения, которое можно выдели ь по экстремуму первой производной (кривая б), соответствует началу кристаллизации.

Ультразвуковым измерительным прибором 3 измеряют поглощение и частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительного изменения частоты этого импульса, рассчитываемой вычислительным уст— ройством 4 при достижении ею своего экстремального значения, определяют начало процесса кристаллизации.

Ультразвуковым йзмерительным прибором 3 измеряют величину поглощения дополнительного импульса.

В зависимости от величины погло щения дополнительного импульса опрелеляют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений основного и дополнительного импульса, прошедших через реакционную массу, вычислительное устройство 4 рассчитывает дисперсность твердой фазы.

40 точность определения момента начала кристаллизации (менее 5 мин) и повысить точность определения дисперсности и концентрации твердой фазы (пorрешность не более 5-7X), а также автоматизировать процесс измерения и обеспечить его непрерывность. формулаизобретения

Способ контроля процесса кристаллизации путем прозвучивания реакционной массы ультразвуковыми импульсами и определения дисперсности твердой фазы по измеряемой величине поглощения ультразвука в суспензии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации, дисперсности и концентрации твердой фазы, реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами, основным импульсом с частотой 1,0-10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц, измеряют частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительного изменения частоты прошедшего основного импульса по достижению ею своего экстремума определяют начало процесса кристаллизации, изме- . ряют величину поглощения дополнитель— ного импульса, по которой определяют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений в реакционной массе основного и дополнительного .импульсов определяют дисперсность твердой фазы.

1497509

ovuno к исваиизации

Pue. j

Составитель M.Ðorà÷åâ

Редактор Ю. Середа Техред M,Дидык .Корректор Т.Малец, Заказ 4436/44 Тираж 789 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæroðîä, ул. Гагарина,101