Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур
Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью 
при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения параметров, по полученной зависимости jн(Т) определяют величину энергии Eо, разделяющую пустые и заполненные при температуре Tо пограничные состояния, охлаждают структуру до начальной температуры Tо, устанавливают на ней напряжение такой величины, при которой положение уровня Ферми Fs на границе раздела равно величине Eо, по окончании релаксации тока повторно нагревают структуру с постоянной скоростью при поддержании постоянства ее высокочастотной емкости и снимают температурную зависимость вытекающего равновесного тока jр, устанавливают соответствие между рядом точек 
на шкале температур зависимости jн(Т') и рядом точек 
на шкале температур jр(Т'') из соотношения 
и находят зависимость сечения захвата от энергии Ei по формуле 
где 
; Nс - эффективная плотность состояний в зоне проводимости; Nо - концентрация мелких доноров; q - заряд электрона; 
90 - поверхностный потенциал, обеспечивающий равенство Fs и Eо при Tо; vт - тепловая скорость основных носителей заряда,
k - постоянная Больцмана.
