Патент ссср 159233

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

№ 109233

Класс Н 011; 21g, 1102

С 23f; 4Sd, 1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

r:)1н> я

Подписная группа Ло П2

: i1 I::. ;-:,,":,:;. г,;у Ч

Г. В. Смирнов и В. А. Арсламбеков

h;\ ,ею>> е

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Заявлено 7 августа 1962 г. за Л" 791583 26-9 в 1(омитет по делам изобретений и открытий при Совстс Министров СССР

Опуб,зиковано в «Б оллстсне изобретен:.и н товарных знаков» ¹ 24 за 1963 г.

Известен способ обработки поверхности германия сое,п rcrlrlailrf фтора, например в парах фтористоводородной кислоты, с целью уменьшения скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей тока.

Предлагаемый способ обработки поверхности полупроводников отличается от известного тем, что:la поверхность полупроводника, папр1:мер, кремния, воздействуют безво1ным газообразным фтористым водородом, по химическому составу отличным от парог. фтористогодородной кислоты. Указанное отличие позволяет получить более стаб11льные и низкие зиаче1!ия скорости пове1зхпОстн01(реко:>1би11ац11и lieoel!o»ных носителей заряда.

CyIrrrIocTr предлагаемого способа заключается 1; следующем, Пластины кремния после шлифовки, нанесения lla их торцы ol:1актов и защиты этих контактов (Bo избежание их порчи при травлении) подвергаются тщательному химическому травлепгпо при комнатпой температуре в смеси четырех частей азотной и одной части плавпковой кислот, а затем промывают в бидистиллирова .1пой воде. После этого пластины помещают в .,1еталлический реактор, присосд;1псппый к вакуумной системе, и подвергают воздейстшпо сухого 11 чистого газообразного фтористого годоро:1а при давлении 30 вЂ” 30 л1л рт. ст. и кох1вЂ” иатпой температуре в течение 20 вЂ” 40 .11ин. Последоватсльиость воздействия ra30BI>lx сред иа Т1.1acTIIIII, кре >п1ия следую1ца11: aT >loeôeplf1>llf возДУX, ВаКУP >11> фтОРИСтЫЙ ВОДОР0;1. Ifar> > > ihf, aTI>IOC(f3eP II I>rif Вoa>;I > .>.

После такой обработки зиачеи;1я скорости поверхностной рекомбинации, измеренной во фтористом водороде, вакууме и воздухе, находятся в пределах 50 вЂ” 300 ся1/сек, т. е. в 10 вЂ” 20 раз ниже соответствуМ 159233 ющих значений на тех же образцах до обработки. Значения скорости поверхностной рекомбинации после обработки стабильны и хорошо Воспроизводятся от образца к образцу.

Обработка поверхности кремния по предлагаемому способу снимает гидратироваш1ую окисиую пленку и позволяет исключить применение воды при этом. Отсутствие воды ца поверхности полупроводника исключает основной источник нестабильности параметров поверхности, Предмет изобретения

Способ обработки поверхности полупроводников, например кремния, соединениями фтора, о т л к ч а ю шийся тем, что, с целью получсння низких и стабильных значений скорости поверхностной рекомби ац1н1 неосновных носителей заряда, поверхность кремния подвергают воздсйстви о безводного газообразного фтористого водорода.

Редактор С. Л. Богатырева Тсхред А. А. Камышиикова Корректор М. И. Козлова

Подп. к пси. 11, II вЂ” 64 г. Формат бум, 70 ); 1081;6 Объем 0,18 изд. л, Заказ 35-12 1 Тираж 500 Цсиа 5 коп.

ЦНИ11П11 Государстгс иого комитета по аслам изобрстсний и открытий СССР

Москва, UcIITp, пр. Серова, д. 4.

Типографии, п р. Сап уиоп а, 2.

Способ обработки кристаллов свинцового блеска для детекторов // 5411

Способ обработки свинцового блеска (галена) для детекторов // 3537

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости