Индуктивно-частотный способ измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок с цилиндрическими доменами

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодержащих пленок для запоминающих устройств цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности способа. В соответствии со способом измерение константы магнитострикции тонких магнитных пленок осуществляют путем одновременного воздействия на пленку радиочастотным переменным магнитным полем и полем подмагничивания, параллельным плоскости пленки и перпендикулярным оси ее легкого намагничивания, и созданием в пленке равномерно распределенного механического напряжения. При этом о величине константы магнитострикции судят по смещению поля эффективной магнитной анизотропии в соответствии с выражением λ=δН<SB POS="POST">111</SB>M<SB POS="POST">*</SB>00S/P<SP POS="POST">.</SP>(H/R)<SP POS="POST">2</SP>1609(3+Y), где M<SB POS="POST">*</SB>00S - намагниченность насыщения

R,H - соответственно радиус и толщина системы пленка-подложка в виде диска

Y - коэффициент Пуассона. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 ()9) (11) (ц 4 G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4321618/24-24 (22) 28.10.87 (46) 15.08.89. Бюл. & 30 (71) Донецкий физико-технический институт АН 7ССГ (72) А.М, Гришин, В.Ф. Дроботько, Н,Н. Усов и В.А. Шаповалов (53) 681,327.66(088.8), (56) J.Appl.Phys, 1982, v.53, Р 1, р, 596-600.

J.Àðð1. Phys. 1982, v. 53, у 3, р. 2466-2470. (54) ИНДУКТИВНО-ЧАСТОТНЫЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОНСТАНТЫ МАГНИТОСТРИКЦИИ

ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК С ЦИЛИНДРИЧЕСКИМИ ДОМЕНАМИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодер жащих пленок для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных

Изобретение относится к высислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодержащих пленок для запоминающих устройств ня цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) °

Цель изобретения — повышение точности способа.

Сущность предложенного способа поясняется при помощи чертежа, на котором показана экспериментальная зависимость величины смещения поля эффективной магнитной анизотропии

2 доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности способа.

В соответствии со способом измерение константы млгнитострикции ТоНКНх магнитных пленок осуществляют путем одновременного воздействия на пленку радиочастотным переменным магнитным полем и полем подмагничивания, параллельным плоскости пленки и перпендикулярным оси ее легкого намагничивания, и созданием в пленке равномерно распределенного механического напряжения. При этом о величине константы магнитострикции судят по смещению поля эффективной магнитной анизотропии в соответств)ы с выражением )ni= ГН „, М /P (Ь/R) 16/9

"(3 + Y ), где М5 — намагниченность насьпцения; R, h — соответственно радиус и толщина системы пленка — подложка в виде диска; Y — коэффициент

Пуассона 1. ил. ь Нп, от давления P (растяжение пленки) .

В соответствии с предложенным способом измерение константы магнитострикции тонких магнитных пленок осуществляется путем одновременного воздействия на пленку радиочастотным переменным магнитным полем и полем подмагничивания, параллельным плоскости пленки и перпендикулярным оси ее легкого намагничивания, и созданием в пленке равномерно распределенного механического напряжения. При

Б.Н,д. М, /Ь 16

tran p jRj 93 7) где Г1 — намагниченность насыще5 ния;

R u h — - соответственно радиус и толщинл системы плен10 ка — подложка в виде диска; 15

Y . — коэффициент Пуассона.

Формула изобретения

Составитель Ю. Розенталь

Техред Л. Олийнык Корректор М. Васильева

Редактор М. Недолуженко

Заказ 4878/50

Подписное

BHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101

1501158 этом о величине константы магнитострикции судят по смещению поля эффективной магнитной анизотропии в соответствии с вьпоажением

Пример. В соответствии с предлагаемым способом проведено изменение константы магнитострикции

Я„, на индуктивно-частотной установке в модернизированным измерительным датчиком. Он предусматривал возможность равномерного механического нагружения исследуемой пленки. Это достигалось закреплением подложки в качестве мембраны и откачиванием ипи накачиванием воздуха с одной стороны от нее. Использовалась стандартная пленка граната (УБ ЬиСа)

° (FeGa)> 0„> с осью легкого намагничивания <ТТХ), перпендикулярной плоскости пленки. Намагниченность насыщения пленки 4 Мs = 190 Э. Пленка нанесена на галлий - гадолиниевую 35 подложку (коэффициент Пуассона Y =

d í„, ç

0,29) толщиной h = 0,527 мм, которая свободно опиралась на кольцо радиуса R = 14 мм. К системе пленкаподложка прикреплялась многослойная катушка индуктивности диаметром 5 мм.

По разные стороны системы пленка— подложка создавалась разность давлений Р до 1 атм.Измерения дифференциальной магнитной восприимчивости велись на частоте I МГц в планарном магнитном поле до 2 КоЭ. По смещению поля, магнитной анизотропии расчетным путем по приведенной формуле определена константа магнитострикции i -2,55 10 с точностью + 37.

Индуктивно-частотный способ измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок с цилиндрическими доменами, основанный на одновременном воздействии на тонкую магнитную пленку радиочастотным переменным магнитным полем и полем подмагничивания, - параллельным плоскости пленки. и перпендикулярным оси ее легкого намагничивания, о т л и ч а ю ш и йс я тем, что, с целью повышения тонности измерения, создают в тонкой магнитной пленке равномерно распределенные механические напряжения и судят о величине константы магнитострикции по смещению поля эффективной магнитной анизотропии.

Индуктивно-частотный способ измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок с цилиндрическими доменами Индуктивно-частотный способ измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок с цилиндрическими доменами 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с накопителями на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к устройствам управления для памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) в кассетном исполнении и может быть использовано в составе внешних запоминающих устройств на ЦМД в устройствах с числовым программным управлением

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти ЭВМ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в устройствах контроля запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано прй разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения магнитных накопителей оперативных запоминающих устройств и управлявмых оптических транспарантов

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх