Устройство для зонной плавки с градиентом температуры

Авторы патента:

H01L21/268 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

Устройство для зонной плавки с градиентом температуры, включающее корпус, систему параллельных ИК-ламп накаливания и кассету с полупроводниковыми подложками, установленную с возможностью возвратно-поступательного движения относительно ИК-ламп и соединенную с приводом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества устройства за счет повышения однородности температуры в плоскости подложек, оно дополнительно содержит второй привод и пластину, установленную с возможностью возвратно-поступательного движения относительно корпуса и связанную с вторым приводом, причем первый привод закреплен на пластине, а второй - на корпусе, а амплитуды движения кассеты и пластины различаются на полуцелое число расстояний между ИК-лампами.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1464797

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия // 1459538

Способ легирования слоя поликристаллического кремния // 1452399

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1452398

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС

Способ изготовления мдп-больших интегральных схем // 1436768

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин // 1436767

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1419418

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов // 1393232

Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем // 1345956

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков // 2242063

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Система контроля технологического процесса для лазеров, используемых в литографии // 2258253

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Способ халькогенизации поверхности gaas // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Способ формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений // 2426191

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности

Способ восстановления порогового напряжения мдп-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок // 2426192

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Способ получения слоя поликристаллического кремния // 2431215

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов // 2444084

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Способ формирования топологии интегральной микросхемы // 2098885

Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч