Способ дефектоскопии тонких магнитных пленок

 

Изобретение относится к дефектоскопии магнитных материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в тонких магнитных пленках (ТМП). Цель изобретения - повышение надежности дефектоскопии. Для этого на ТМП действуют внешним магнитным полем Н<SB POS="POST">о</SB>, в 2 раза превышающим коэрцитивную силу Н<SB POS="POST">с</SB> пленки и направленным вдоль оси легкого намагничивания. В поле Н<SB POS="POST">о</SB> происходит намагничивание пленки в направлении действия магнитного поля. Затем по токовой шине, расположенной на поверхности ТМП, пропускают электрический ток, создающий поле Н<SB POS="POST">1</SB>*98Н<SB POS="POST">о</SB> + Н<SB POS="POST">с</SB>, направленное противоположно полю Н<SB POS="POST">о</SB>. В результате на участках действия поля Н в местах нахождения дефектов возникают домены обратной намагниченности, которые фиксируются с помощью магнитооптического эффекта Керра. Перемещение шины по поверхности пленки позволяет выявить все дефекты.

союз советских соцИАлистичесних

РЕСПУБЛИН

G 01 N 27/82

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4247237/25-28 (22) 01.04,87 (46) 07.09, 89 ° Бюл. N 33 (71) Иркутский государственный педагогический институт (72) А,В, Гаврилюк и Б,В. Гаврилюк (53) 620.179 ° 14(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 849060, кл. G 0 1 N 27/82, 1979. (54) СПОСОБ ДЕФЕКТОСКОПИИ ТОНКИХ

?1АГНИТНИХ ПЛЕНОК (57) Изобретение относится к дефектоскопии магнитных материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в тонких магнитных пленках (ТИП), Цель изобретения — повышение надежности дефектоскопии ° Для этого

Изобретение относится к дефекто. скопии магнитных материалов, приводящих к снижению величины поля Н> зарождения доменов, и может быть использовано для обнаружения дефектов в тонких магнитных пленках (Т?Ш) с плоскими магнитными доменами, Цель изобретения — повышение надежности дефектоскопии тонких магнитных пленок с плоскими магнитными доменами за счет возможности выявления дефектов, приводящих к снижению величины поля Н зарождения доменов, Способ осуществляют следующим образом.

TMII с намагниченностью> лежащей в плоскости образца, помещают в однородное магнитное поле величиной Нр, „„Я0„„1506345 A 1 на ТМП действуют внешним магнитным полем Н, в 2 раза превышающим коэрцитивную силу Н пленки и направленным вдоль оси легкого намагничивания.

В поле Нд происходит намагничивание пленки в направлении действия магнитного поля. Затем по токовой шине, расположенной на поверхности ТМП, пропускают электрический ток, создающий поле H 7 Нр+Н, направленное противоположно полю Нр, В результате на участках действия поля Н в местах нахождения дефектов возникают домены обратной намагниченности, которые фиксируются с помощью магнитооптического эффекта Керра ° Перемещение шины по поверхности пленки позволяет выявить все дефекты. большей величины коэрцитивной силы

Н в 2 раза, направление которого параллельно оси легкого намагничивания (ОЛН), Под воздействием этого поля происходит перемагничивание исследуемой пленки в направлении действия магнитного поля, Затем на поверхность ТМП накладывают токовую шину и пропускают по ней импульсный электрический ток ° При этом ширина токовой шины должна быть меньше ширины пленки, а поле, создаваемое током шины, должно удовлетворять соотношению Н, Н +Н, поскольку должно быть достаточным для того, чтобы компенсировать поле Н, и вызвать зарождение домена под шиной, На участке пленки, содержащей дефект в области

1506345

Благодаря тому, что на ТМП действуют локальным магнитным полем обратной полярности, домены возникают только на тех участках пленки, где имеются дефекты. Воздействие на TMII локальным магнитным полем осуществляют путем подачи тока в токовую шину, В результате обеспечивается надежность регистрации дефектов. Кроме того, использование токовой шины позволяет осуществить многократную проверку полученных результатов, 15 Визуализацию доменов можно осуществлять с помощью простых методов, не требующих высокого разрешения, например с помощью магнитооптического эффекта Керра, 20 формула изобретения

Составитель И, Ре

Техред М.Ходанич

Редактор А. Коэориз

Заказ 5422/45 Тираж 789 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5 действия поля Н, образуется домен обратной намагниченности. Длина доме" на определяется шириной шины и амплитудой поля Н,. После прекращения действия поля Н, домен коллапсирует под действием поля Н . Если вновь подействовать полем на пленку, то домен возникает на прежнем месте °

Таким образом, действуя периодически полем на участок пленки с дефектом, можно вызывать появления и исчезновения доменов. Если в пленке имеются дефекты, то они приводят к снижению величины поля зарождения домена Н . При отсутствии дефектов поле Н равно полю анизотропии Н>, 3

При их наличии поле Н> меньше H„. Если действовать периодически импульсами поля Н, то домен периодически У появляется и исчезает с частотой следования импульсов поля и его можно легко наблюдать с помощью магнитооптического эффекта Керра, рассматривая поверхность пленки со стороны стеклянной подложки. Перемещая шину по поверхности пленки или пленку относительно шины, можно выявить все имеющиеся в пленке дефекты. Зная величину тока, протекающего по шине, не 30 трудно рассчитать соответствующую ему величину поля,, действующего на пленку.

По появлению доменов обратной намагниченности судят о наличии и местоположении дефектов на пленке, а по величине тока в токовой шине — о

«размерах дефектов.

II р и м е р, На пленку с HÄ=20 Э и Нс 2 Э действуют внешним магнитным 40 полем величиной 4 Э. Затем на поверхность пленки накладывают проводник диаметром О, 1 мм. По яроводнику пропускают импульсный ток частотой

20 Гц с длительностью импульсов 45

10 мкс и амплитудой 1 A. После этого шину перемещают по пленке. В результате на участках пленки, содержащих дефекты, периодически возникают и исчезают домейы обратной намагниченности, Способ дефектоскопии тонких магнитных пленок, заключающийся в том, что на тонкую магнитную пленку воздействуют постоянным магнитным полем l!, направленным параллельно ее о плоскости, затем постоянным магнитным полем Н, противоположного направления и наблюдают образование доменов обратной намагниченности, по которым определяют наличие и местоположение дефектов в пленке, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности дефектоскопии тонких магнитных пленок с плоскими магнитными доменами, воздействие постоянным магнитным полем Но осуществляют в направлении оси легкого намагничивания, воздействие постоянным магнитным полем Н противополож1 ного направления осуществляют в импульсном режиме с помощью токовой шины, величины полей Н, и Н „выбирают из условий Н, 2Н, Н,)Н,+Н, где Н, — коэрцитивная сила пленки, и дополнительно измеряют величину тока в токовой шине, соответствующую появлению доменов обратной намагниченности, по которой определяют размеры дефектов, кунова

Корректор;Т. Малец

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðoä, ул. Гагарина,101