Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см².

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1499614

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1499614

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1499609

Способ изготовления арсенид-галлиевой интегральной схемы // 1491262

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к способу изоляции монолитных интегральных схем путем протонной бомбаридовки

Способ анизотропного травления кремния // 1473612

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах // 1473611

Способ радиационной обработки арсенидгаллиевых свч полевых транзисторов // 1468318

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1464797

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия // 1459538

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении