Устройство для формирования плазменного факела

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51) 5 Н 05 Н. 1/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 ,<

1 Ь

rOCVg APCTBEHHblA KOMHTET

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (46) 30. Об, 90. Бюл. N - 24 (21) 4278715/24-25 (22) 15.04.87 (72) С.И.Анисимов, А.В.Бушман, ;А.Л.Великович, Н,Г.Ковальский, Б.П.Крюков, А.А.Ландин, И.A.Ëèáåðìaí, В.Ф.Минин, И.В.Иннин, О.В.Минин. и М.И.Пергамент

° ;(53) 533.9(088.8) (56) Мс Call С.Н,, Plasma Phys, 1983, у. 25, р. 285;

Анисимов С.И, Великович А.П, Новальский Н.Г., Либерман И.А., Пергамент И.И. О воэможности примеI нения импульсных систем для получения кумулятивных струй большой ско.рости. Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 41, . вып. 5, .с. 191-193. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ

ПЛАЗМЕННОГО ФАКЕЛА (57) Изобретение относится к физике высоких плотностей энергии и может использоваться для формирования плазменных струй. Цель изобретения <

Изобретение относится к физике высоких плотностей энергии и может . быть использовано для формирования плазменных струй.

Целью изобретения является увеличение скорости плазменного факела»

На фиг.1 показано устройство для формирования плазменного факела на на фиг.2 - усеченный конус.

Устройство состоит из источника 1 электромагнитного излучения и мишени 2 b виде полого усеченного конуса;

-ЗФ-89

„.SU„„1508938 А 1 увеличение скорости плазменного факе " ла. Устройство содержит источник электромагнитного излучения и мишень в виде полого осесимметричного усеченного конуса, причем диаметр меньшего основания составляет О, 1-0 5 диаметра большего основания, толщина стенки (донышка) в меньшем основании составляет 0,3-3 от толщины боковой стенки конуса, а конус обращен меньшим основанием к источнику электромагнитного излучения. Под действием излучения вследствие давле ния абляцни плазмы с наружной стороны конуса донышко приобретает осевую скорость, а стенки корпуса схло-, пываются, натекая на донышко. Мате-: риал мишени еще до схлопывания.боковых стенок приобретает осевую скорость, причем разворот потока материала боковых стенок происходит вне осеЪой области. В результате происходит струеобраэование с большей. скоростью..1 s.ë. ф-лы, 2 .ил. состоящего иэ боковых стенок 3 и.малого основания (донышка) 4. В устройстве для формирования плазменного факела мишень выполнена в виде полого осесимметричного усеченного конуса, диаметр Ф, меньшего основания,В " которого составляет О, 1-0,5 диамет- ;. . ра Ф большего основания, толщина

d стенки вершины конуса составляет 0,3-3 толщины и боковой стенки конуса в области их сопряжения, а плоскость меньшего основания конуса

150893

3 перпендикулярна направлению падения электромагнитного излучения, Выполнение аблирующей фольги в виде усеченного .полого конуса с указанными геометрическими размерами приводит к тому, что центр разворота потока материала (центр давления) в начальньп момент схлопывания конуса находится не на оси, а на периферий.- 10 в OGJIHcTH coIIpRKPHHH малого основа ния конуса с его боковыми стенками.

Под действием источника излучения на поверхность усеченного конуса происходит абляционное ускорение его мало- 15 ! го основания и одновременно ради.альное схождение стенок конуса к оси.

В результате течение становится регулярным по всей длине образующей конуса и в процессе струеобразования «0 участвует вся его поверхность. Кроме того, еще до схлопывания на ось, материал боковой стенки конуса под подпирающим" действием донышка — ма лого основания KoHyca. — приобретает 25 значительную осевую составляющую компоненту скорости.

При использовании в качестве материала вершины конуса металла с большей плотностью его "подпирающее" 39 действие становится более существенным. Касса этой пластины ограничена:

tf,tt условием движения поршня совместно с точкой разворота потока. Исследования показали, что в этом случае плотность материала вершины составляет 2-3,5 плотности стенки конуса, а его толщина — 0,3-1 толщины стенки конуса.

Устройство работает следующим об- 40 разом.

При падении электромагнитного излучения на поверхность конуса про- исходит его абляционное ускорение.

Под действием излучения цоньппко 4 конуса,на.пинает "метаться" с некоторой осевои скоростью, причем его центральная часть приобретает большую скорость, чем периферийная (в «Сласти сопряжения доньппка с боковой стенкой 3 конуса). Последнее обусловлено большей. массой материала конуса в этой части по сравнению с центральной. В то же время бок: вые стенки конуса приобгетают вследствие специальной геометрии устройства -".евольшую осевую и радиаль1",ю ;:ко,;.. т-". конус начинает схлo..".:..::,.".-. .. „".рп и

Я 4 происходит натекание материала боко- вых стенок конуса на доньппко. В дальнейшем этот процесс натекания развивается и (в отличие от известных механизмов струеобразования) в данном устройстве реализуется режим течения с двумя принципиальными отличительными особенностями. Во-первых, разворот потока материала боковых стенок конуса осуществляется не на оси, а на периферии, центр давления смещен от симметрии конуса. Во-вторых, указанное свойство приводит к тому, что еще до схлопывания материала конуса на ось, он приобретает значительную оссвую составляющую компоненту скорости, Таким образом, происходит принудительное струеобразование.

Кроме того, донышко 4 постоянно

"поддавливает" схлопывающийся материал боковых стенок конуса, что приводит к увеличению давления в точке разворота потока при схлопывания конуса на ось и увеличению времени воздействия этого давления на обраэовывающийся плазменный факел. Последнее, в свою очередь, приводит к значительному ускорению плазменного факела.

Формула изобретения

1 ° Устройство для .формирования плазменного факела, состояшее из источника электромагнитного излучения и мишени, выполненной в виде полого осесимметричного конуса, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью увеличечия скорости истечения вещества, мишень выполнена в виде усеченного конуса с диаметром меньшего основания, составляющим 0,1-0,5 от диаметра большего основания, с толщиной стенки мень1пего основания, составляющей 0,3-3 толщины боковой стенки конуса, причем конус обращен меньшим основанием к н"..точнику излучения так, что стенка меньшего основания перпендикулярна направлению падения электромагнитного излучения.

2. Устройство по п.1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что стенка меньше"o основания конуса выполнена иэ материала с плотностью, в 2-3,5 раза превьпнающей плотность материала конуса, а толщина области сопряжения

::тенок не превышает толщину боковой стенки конуса

1508938,.

Составитель О.Семенов

Редактор В.Трубченко Техред M,Ходанич- Корректор;О.Кравцова

Ю

Ю Ф

Заказ 2)46 Тираж 688 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Уигород, ул. Гагарина, 101

Устройство для формирования плазменного факела Устройство для формирования плазменного факела Устройство для формирования плазменного факела 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к плазмохимической технологии, в частности к прикладной неравновесной плазмохнмик

Изобретение относится к плазменной технике , в частности, к сильноточным коаксиальным плазменным ускорителям с собственным азимутальным магнитным полем, и может быть использовано для их конструирования

Изобретение относится к производству электрической или тепловой энергии, а именно к технике управляемой термоядерной реакции, и может быть использовано в установках управляемого термоядерного синтеза, построенных по принципу токамака

Изобретение относится к ускорительной технике, в частности к способам вывода частиц из кольцевых магнитных систем ускорителей или накопителей заряженных частиц

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в технике плазменного эксперимента и в ускорительной технике

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при разработке бетатронов промышленного назначения

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам для ускорения заряженных частиц, и может быть использовано, в первую очередь, для обработки высокоэнергетическими плазменными потоками металлических поверхностей с целью повышения таких их характеристик как чистота поверхности, микротвердость, износостойкость, коррозионная стойкость, жаростойкость, усталостная прочность и др

Изобретение относится к системам тепловой защиты из огнеупорного композитного материала, которые охлаждаются потоком жидкости, и более точно касается конструкции тепловой защиты для отражателя камеры удерживания плазмы в установке термоядерного синтеза, охлаждающего элемента, который использован в конструкции тепловой защиты, и способа изготовления такого охлаждающего элемента

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения электрической энергии путем преобразования тепловой энергии плазмы в электрическую

Изобретение относится к области технологии очистки и обезвреживания отходящих газов, газовых выбросов различных производств и процессов, а также плазмохимического синтеза химически активных соединений с использованием электрических методов, в частности к устройству газоразрядных камер, в которых производят процесс детоксикации и очистки
Наверх