Способ контроля качества поверхности электропроводящих объектов

 

Изобретение относится к области неразрушающего контроля качества материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в поверхностном слое объекта. Целью изобретения является повышение достоверности контроля за счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки. Цель достигается тем, что регистрация параметров результирующего электромагнитного поля, несущего информацию о качестве поверхности контролируемого объекта 5, осуществляют при помощи определения параметров дифракционной картины, получаемой при освещении поверхности слоя 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией, помещенного в результирующее электромагнитное поле так, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля, параллельным пучкам монохроматического света, под углом, отвечающим условию селективного его отражения. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 G (; ., 27/82

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГГИЯМ

ПРИ ПЮТ СССР! (2 1) 42 15180/25-28 (22) 25.03.87 (46) 30.11.89. Бюл. Н 44 (71) Омский институт инженеров железнодорожного транспорта (72) В.А.Исаков, P.À.Àõìåäæàíîâ и !0.А.Попков (53) 620.179.14 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

IP 949484, кл. G 01 И 27/82, 1982.

Авторское свидетельство СССР

" 1224707, . С О! ц 27/90, 1986.

Блинов Л,И. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. Н., 19?8, с.100-288.

Авторское свидетельство СССР и 781687, кл. С О1 N 27/24, 1969. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ОБЪЕКТОВ (57) Изобретение относится к нераэрушающему контролю качества материалов и может быть использовано для

„„SU„„1525559 А1

2 обнаружения дефектов в поверхностном слое обьекта. Цель изобретения - повышение достоверности контроля за счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки.

Цель достигается тем, что регистра" ция параметров результирующего электромагнитного поля, несущего информацию о качестве поверхности контролируемого обье та 5, осуществляют при помощи определения параметров дифракционной картины, ".олучаемой при магниты " анизотро гней„ помещенного в результирующее электромагнитное поле так, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля, параллельным пучкам монохромат..ческого светэ, под углом, ствечающим условию селективного его отражения.

3 ил.!

525559

Изобретение относится к неразрушающему контролю качества материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в поверхностном слое объектов.

Цель изобретения — повышение достоверности контроля эа счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки.

На фиг ° 1 изображено устройство для реализации способа; на фиг. 2 сравнительная картина расположения и интенсивность дифракционных максимумов над беэдефектным (кривая 1) и дефектным (кривая 2) участками контроля; на фиг. За,б,в - схематическое изображение раскручивания холестерической спирали под действием внешнего поля (а - при отсутствии приложенноГ го электромагнитного поля; б — в при» ложенном поле, иеньшем критического; в - в поле, большем критического).

Устройство для осуществления способа содержит источник электромагнитного поля в виде вихретокового преобразователя 1, слой 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией, расположенной так, чтобы ось 2 его холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля Н, источник 3 параллельного пучка монохроматического света, имеющий воэможность регулировать угол падения пучка, приемно-регистрирующий блок 4, выполненный с воэможностью регулировки угла приема отраженного от поверхности слоя 2 жидкого крис- О талла пучка монохроматического света.

Слой 2 жидкого кристалла размещается над объектом 5.

На фиг. 2 обозначено:

Т - интенсивность дифракционно9 го максимума на бездефектном участке или на воздухе;

I - интенсивность дифракционной

9 картины в точке фиксации положения дифракционного максимума при наличии

50 дефекта; — длина волны падающего монохроматического света;

Р - период спирали жидкого крис9 талла при отсутствии дефекта;

P - период спирали жидкого крис9 талла при наличии дефекта;

5 - угол дифракции;

2 - ось холестерической спирали жидкого кристалла.

Способ осуществляют следующии образом.

В объекте 5 контроля при помощи вихретокового преобразователя 1 возбуждают вихревые токи. В результирующее электромагнитное поле, несущее информацию о состоянии поверхности объекта контроля, помещают слой 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией так, чтобы ось 2 его холестерической спирали была перпендикулярная магнитным силовым линиям поля

H. Освещают под углом поверхность слоя 2 холестерического жидкого кристалла параллельным пучком монохроматического света от источника 3 света, добиваются селективного отражения и при помощи приемно-регистрирующего блока 4 фиксируют возникающую дифракционную картину в отраженных лучах.

Определяют положение и интенсивность дифракционных максимумов, сканируя устройство вдоль поверхности объекта

5 контроля, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки.

По состоянию жидкого кристалла определяют качество поверхности.

Способ позволяет проводить оценку качества электропроводящих объектов сложной формы при значительно меньшем влиянии на результаты контроля внешних полей, автоиатизировать процесс регистрации картины на жидком кристалле, упростить технологию контроля. формула изобретения

Способ контроля качества поверхности электропроводящих объектов; заключающийся в том, что контролируемый объект с раэиещенной íà его поверхности жидкокристаллической ячейкой помещают в электромагнитное поле и определяют состояние жидкого кристалла, по котороиу определяют качество поверхности, о т л и, а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения достоверности контроля, контролируемый объект размещают перпендикулярно силовым линиям электромагнитного поля, в качестве жидкокристаллической ячейки используют слой холестерического жидкого кристалла с положительной

1525559

О фУ жег.8 д Я

6 8

+ g $ п9

Рбд

ОСНОВ Нс

Фиа 5

И РНс

И=О

Составитель А.Бодров

Редактор M.Ïåòðoâà Техред Л.Сердюкова Корректор Н.Король

Заказ 7215/38 Тираж 789 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по зобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д ° 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101 диамагнитной анизотропией, который ориентируют в электромагнитном поле так, чтобы ось холестерической спирали была пер силовым линиям поля, поверхность слоя холестерического жидкого кристалла освещают параллельным пучком монохроматического света, направленным под углом падения лучей, соответствующим селективному отражению, фиксируют в отраженных лучах возникающую дифрак" ционную картину, определяют положение и интенсивность дифракционных максимумов, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки,