Состав для очистки поверхности антимонида индия

 

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Цель - повышение качества очистки поверхности. Состав для очистки поверхности антимонида индия включает, мас.%: оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC₆H₄O(CH₂C₂H₄O)_nH, где n = 9 - 12, в количестве 0,18 - 0,22, гексаметафосфат натрия 0,65 - 0,85, вода до 100. Состав снимает органические и минеральные загрязнения и обеспечивает полную смачиваемость водой очищенных пластин. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Цель повышение качества очистки поверхности. При содержании оксиэтилированного моноалкилфенола, например Неонола АФ-9-10 или Неонола АФ-9-12, менее 0,18 или более 0,22 мас. адгезии контакта нет, что свидетельствует о низком качестве очистки. При содержании гексаметафосфата натрия менее 0,65 или более 0,85 мас. адгезии также нет. П р и м е р 1. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-10 и гексаметафосфата натрия с концентрациями 0,18 и 0,65 мас. соответственно. В 200 мл полученного раствора погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 7 мин при 60^оС, вращая кассету. После обработки пластины промывают в токе деионизованной воды в течение 3-4 мин, проверяют на качество очистки поверхности по методу разрыва водной пленки, сушат на центрифуге при скорости вращения ротора 3000 об/мин, далее подложки поступают на вакуумное напыление контактного слоя, затем их проверяют на качество адгезии напыленной пленки к поверхности пластины ИСЭС. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. П р и м е р 2. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-10 и гексаметафосфата натрия с концентрациями 0,20 и 0,75 мас. соответственно. В полученный раствор погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 5 мин при 65^оС, вращая кассету, далее проводят операции по примеру 1. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. П р и м е р 3. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-10 и гексаметафосфата натрия с концентрациями 0,20 и 0,85 мас. соответственно. В полученный раствор погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 7 мин при 60^оС, вращая кассету. Далее проводят операции по примеру 1. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. П р и м е р 4; В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-12 и гексаметафосфата натрия с концентрациями 0,18 и 0,65 мас. соответственно. В 200 мл полученного раствора погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 7 мин. при 60^оС, вращая кассету. Далее проводят операции по примеру 1. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. П р и м е р 5. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-12 и гексаметафосфата натрия с концентрацией 0,20 и 0,75 мас. соответственно. В полученный раствор погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 7 мин при 65^оС, вращая кассету, и далее проводят операции по примеру 1. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. П р и м е р 6. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 мОм) готовят раствор смеси Неонола АФ-9-12 и гексаметафосфата натрия с концентрациями 0,22 и 0,85 мас. соответственно. В полученный раствор погружают пластины ИСЭС в кассете и обрабатывают в течение 5 мин при 65^оС, вращая кассету. Далее проводят операции по примеру 1. Показатели качества очистки пластин приведены в таблице. Данный состав обеспечивает высокую эффективность процесса очистки. Он полностью снимает с поверхности антимонида индия органические и минеральные загрязнения, не вносит дополнительных механических загрязнений. Как видно из таблицы, состав обеспечивает полную смачиваемость водой очищенных пластин и высокую адгезию нанесенных на них контактных слоев. Кроме того, состав улучшает санитарно-гигиенические условия труда, так как входящие в него вещества не относятся к вредным. Время очистки составляет 5-7 мин, что повышает производительность процесса. Состав обладает высокой устойчивостью к гидролизу, что позволяет многократно (15 раз и более) использовать его и хранить продолжительное время. Выход годных пластин, отмытых в данном составе, составляет 100% а в составе по прототипу 40%

Формула изобретения

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, содержащий поверхностно-активное вещество, гексаметафосфат натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки поверхности, в качестве поверхностно-активного вещества используют оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RO₆H₄O(CH₂C₂H₄O)_nH, где n = 9 - 12, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC₆H₄O(CH₂C₂H₄O)_nH - 0,18 - 0,22 Гексаметафосфат натрия - 0,65-0,85 Вода - До 100

РИСУНКИ

Рисунок 1