Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полностью соответствующей контролируемому образцу, деформирующим воздействием на поверхности исследуемого образца формируют периодическую структуру из чередующихся с постоянным периодом из интервала значений от 0,1 мкм до 2 длин экстинкции рентгеновского излучения областей с нарушенной и ненарушенной структурой, определяют деформацию в тестовом образце по интенсивности сателлитных пиков, возникающих при дифракции рентгеновского излучения на периодических нарушениях поверхности, и по ней судят о деформации контролируемого образца.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области неразрушающих испытаний материалов и может быть использовано для контроля малых деформаций монокристаллических пластин полупроводниковых материалов
Изобретение относится к определению температурного коэффициента свободной поверхностной энергии металлических монокристаллов
Изобретение относится к вискозиметрии и может быть использовано в металлургии для измерения вязкости металлических и шлаковых расплавов
Изобретение относится к области научного приборостроения и может использоваться при рентгенографическом исследовании эластичных материалов типа полимерных пленок и нитей, а также мягких биологических материалов
Изобретение относится к области рентгеноструктурного анализа и может использоваться для исседования напряженного состояния кольцевых образцов
Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу монокристаллов, а более конкретно - к микрофокусным аппаратам для исследований псевдокосселевским методом
Изобретение относится к рентгенографическому исследованию различных материалов в виде плоских образцов, а также к высокотемпературной рентгенографии катализаторов непосредственно в условиях химической реакции
Изобретение относится к физической химии, а именно к средствам рентгенографического контроля взаимодействия пористых сорбентов с растворами реагентов при технологических изысканиях
Изобретение относится к рентгеновскому приборостроению и может использоваться для фазового анализа материалов
Изобретение относится к научному приборостроению, в частности к средствам рентгенографического исследования структуры жидких кристаллов
Изобретение относится к области медицины, а именно к гемостазиологическим аспектам акушерства и гинекологии, и может быть использовано врачами других специальностей
Изобретение относится к области ядерной энергетики для космических аппаратов и, в частности, к теневым радиационным защитам (РЗ), выполненным из гидрида лития, и касается технологии изготовления в части проведения контроля их геометрии, определяющей контур теневой защищаемой зоны, создаваемой защитой на космическом аппарате
Изобретение относится к технике рентгеноструктурного анализа и касается методов настройки и юстировки гониометрических устройств рентгеновских дифрактометров типа "ДРОН"
Изобретение относится к технологии анализа биологических материалов, а именно к способам определения фракционного состава (ФС) липопротеинов (ЛП) в плазме крови методом малоуглового рентгеновского рассеяния (МУРР) для последующей диагностики состояния организма человека
Изобретение относится к устройствам для рентгеновской типографии и может быть использовано для определения структуры сложного неоднородного объекта и идентификации веществ, его составляющих
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для оценки качества деталей при их изготовлении и ремонте, а конкретно - дефектоскопии с использованием радиоактивных источников ионизирующего излучения и коллимированных блоков детекторов
