Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах

 

Изобретение относится к радиоэлектронике . Целью изобретения является повышение процента выхода годных . Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии , формирования поверх нее диэлектрического слоя 4, дополнительное нанесение слоя фоторезиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопровода, противоположной рабочей , и проявление, напыление второго металлического слоя, удаление второго металлического слоя 6 со слоем фоторезиста. 9 ил. а Э (Л

С(МОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51) 5 Н 03 Н /08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ф

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ П.1НТ СССР

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.01.93. Бюл. 1 2 (21) 4421647/22 (22) 06. 05,88 (71) Институт радиотехники и электроники АН СССР (72) Ю.В.Гуляев, И.М.Котелянский и M.À.Ìàãoìåäîâ (56) Якутонис С,, Якутонекс В ° Само" формирование в полупроводниковой технологии. Вильнюс: Ионслас, 1985, с.131.

Андреев A,Ñ,, Гуляев Ю.В., Кмита А.Н. и др ° Фильтры на ПАВ на основе встречно-штыревых преобразователей с субмикронными межэлектродными зазорами. - Радиотехника, 1987, М 11, с.10-14..,Я0 ИЗБ А 1 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ

УСТРОЙСТВ, РАБОТАЮЩИХ Hh АКУСТИЧЕСКИХ

ВОЛНАХ (57) Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение процента выхода годных. Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии, формирования поверх нее диэлектрического слоя 4, дополнительное нанесение слоя фоторезиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопровода, противоположной рабочей, и проявление, напыление второго металлического слоя, удаление второго металлического слоя 6 со слоем фоторезиста. 9 ил.

1535332

Изобретение относится к радиоэлектронике,l1 может быть использовано при изготовлении акустоэпектроиных устройств на поверхностных и обьемных акустических волнах (АВ).

Целью изобретения является увеличение выхода годных.

На фиг. 1-9 представлена последовательность операций способа иэгoTQB- 1р пения элементов устройств, работающих на AB.

Способ изготовления элементов уст" ройств, работающих иа АВ, включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста 1 на рабочей поверх" ности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии, Формирование поверх нее диэлектрического 20 слоя 4, дополнительное нанесение слоя фотореэиста 5, его экспонирование со стороны поверхности звукопровода, про" ,тивоположной рабочей, и проявпенйе, напыление второго металлического слоя, удаление второго металлического слоя ,6 со слоем фотореэиста, Пример. На рабочую поверхность эвукопровода 2 иэ ниобата пар тия методом центрифугирования наносили слой фоторезиста 1 марки ФП-PH-7 тол30 щиной 0,8 мкм (фиг, 1) с последующей ,его сушкой при 90 C в течение 30 мин.

Затем слой фотореэиста 1 засвечивали через фотошаблои, содержащий рисунок группы полосок первого металлическо- Ç5 го слоя, после чего в фотореэисте 1 вскрывались окна путем его проявления в 0,53-ном КОН (фиг. 2) и проводилась его последующая вторичная сушка при 115 С в течение 30 мии. о 40

Затем на оставшиеся участки фоторезиста 1 и вскрытые участки рабочей поверхности эвукопровода 2 методом магнетронного распыления в аргоиовой

45 плазме наносили металлическии слои 3 (фиг. 3), состоящий иэ подслоя нихрома толщиной 0,03 мкм и слоя алюминия толщиной О,!5 мкм. Для подавления кристаллизации окисла алюминия при

его последующем оксидировании в це- 50 лях создания на поверхности полосок металла оксидного слоя, в алюминий мишени магнетрона в виде добавки вводился германий (11). Давление в вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55 при температуре звукопровода 200 С.

Цапее проводипесь операция "взрыва" - удаление участков фотореэиста

1 со слоем находящейся на них металлиэации путем выдержки в сосуде, содержащем растворитель фоторезис-а в течение 20 мин, и обработки ультразвуком в течение 2 мин, В результате формировалась группа полосок первого металличес <ого слоя (фиг. 4) .

Затем иа рабочую поверхность звукопровода 2 и иа группу полосок первого металлического слоя 3 методом магиетрониого распыления кремниевой мишени в кислородноаргоновой плазме (процентное соотношение кислорода и аргоиа 504/503) наносилась пленка двуокиси кремния 4 толщиной 0,025 мкм (фиг. 5). Полученная структура эа" тем покрывалась слоем фотореэиста

5 (фиг, 6), который высушивался и засвечивался через фотошаблон, содержащий рисунок периметра встречноштыревого преобразователя (ВШП), причем источник засветки и фотошаблои располагались над поверхностью звукопровода, противоположной его рабочей поверхности. фотошаблои совмещался со структурой, уже сформированной «а рабочей поверхности так, чтобы группа полосок первого металлического, слоя полностью содержалась в окне фотошаблона. Излучение засветки (дли" на волны света порядка 0.2 мкм и менее - ближний ультраФиолет) проходило через фотошаблои, через эвукопровод 2, иэ ниобата лития (слабо. поглощающий ближнее ультрафиолетовое излучение) и достигало фотореэиста 5, пройдя также прозрачный тонкий слой двуокиси кремния 4. Фоторезист 5 засвечивался лишь в тех участках, которые не были затенены полосками металла первой группы 3 (Фиг. 6). Засвеченные участки фотореэиста 5 затем удалялись (фиг. 7). После этого наносился слой

6 металлиэации, также состоящий из подслоя нихрома (0,03 мкм) и слоя алюминия (0,15 мкм) (фиг. 8) . Участки фотореэиста со слоем металлизации удалялись методом "взрыва", в результате в промежутках менарду полосками металла первой группы формировались полоски металла второй группы, на чем и завершался процесс изготовления ВШП (фиг. 8).

Цругой вариант конкретной реализации яэложенного слособа заключался в изготовлении той же структуры (ВШП), однако операция нанесения слоя диэлектрика на поверхность полосок ме5

153 талла первой группы заключалась в оксидировании их поверхности методом отжига в атмосфере (на воздухе) при

400 С в течение 5 мин. Толщина слоя оксида, формируемого на поверхности полосок металла (алюминий с добавкой германия),опять же была равна

0,025 мкм . Как уже говорилось выше, добавка германия ингибировала процесс кристаллизации оксидной пленки, что ,приводило к улучшению ее изолирующих свойств.

Изготовленные предложенным спосо.бом ВШП имели зазор между соседними электродами (между соседними полосками металла первой и второй групп)у равный 0,025 мкм, что на порядок меньше, чем величина зазоров, получаемая ранее известным способом. Толщина слоя диэлектрика изменялась от точки к точке в пределах 13 в случае нанесения пленки двуокиси кремния и

53 в случае оксидирования поверхности полосок металла. В обоих случаях слой диэлектрика был однороден, обладал хорошей морфологией и высоким пробойным напряжением, Именно зти

5332

6 характеристики позволили достичь 801 выхода годных изделий при использовании описанного способа в лаборэ5 торных условиях.

Формула изобретения

Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах, включающий формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода группы полосок первого металлического слоя, напыление второго металлического слоя, удаление части второго металлического слоя со слоем фоторезиста, проявление, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения .процента выхоДа годных, после формирования группы полосок nepeoro металлического слоя методом обратной фотолитографии поверх нее формируют диэлектрический слой, на который дополнительно наносят слой фотореэиСта, проводят его экспонирование со стороны поверхности эвукопровара,,противоположной рабочей, после чего осуществляют проявление.

Фиг.4

1535332

Составитель Л.Орлова

Техред Л. Сердюкова

Редактор Л.Волкова

Корректор Л,Патей

Закаэ 1087 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по иэобретениям и открытиям лри ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раувская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 10