Твердотельный фоточувствительный приемник

 

Твердотельный фоточувствительный приемник, включающий светоэкранирующую маску с металлическим слоем, расположенным на диэлектрических слоях фоточувствительных областей и контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоэлектрических параметров, устранения фоновых засветок и электрических закороток, диэлектрические слои выполнены из разноокрашенного полиимида, причем спектральная область поглощения одних слоев совпадает со спектральной областью пропускания других слоев.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым детекторам гамма-излучения

Фотодиод // 1512430

Изобретение относится к фототермомагнитным детекторам излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к приемникам излучения, н может быть использовано для создания фотоприемников на основе антимонида индия, твердого -раствора кадмий-ртуть-теллур и других

Изобретение относится к оптоэлектронике и может применяться в устройствах для регистрации, счета и длительного запоминания оптических сигналов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия

Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям солнечного излучения, которые могут быть использованы при создании фотоэлектрических генераторов наземного применения

Изобретение относится к гелиотехнике, в частности, к фотоэлектрическим модулям с солнечными элементами для солнечных электростанций

Изобретение относится к гелиотехнике, в частности, к фотоэлектрическим модулям с солнечными элементами для солнечных электростанций

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения электромагнитного излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым ИК приемникам излучения, например к кремниевым приемникам с засветкой с обратной стороны

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам ИК излучения

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам ИК излучения

Изобретение относится к устройствам, изготовленным из узкощелевых полупроводников для работы в инфракрасном диапазоне длин волн

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения электромагнитного излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам излучения, например к кремниевым приемникам с засветкой с обратной стороны

Изобретение относится к гелеоэнергетике

Изобретение относится к приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым фотоприемным устройствам, и может быть использовано в тепловизионных системах, устанавливаемых на стационарных или подвижных объектах

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности, к охлаждаемым полупроводниковым приемникам инфракрасного (ИК) излучения
Наверх