Способ определения толщины пленки

 

Изобретение относится к измерительной технике, к оптическим методам определения толщины покрытий и пленок. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых толщин посредством измерений параметров поляризации отраженного излучения при различных значениях углов падения, длин волн излучения и показателя преломления окружающей среды. Для этого пленку освещают несколько раз, освещение проводят при различных значениях угла падения излучения, длин волн излучения и показателя прешломления окружающей среды. В качестве параметров поляризации отраженного излучения выбирают первые эллипсометрические периоды. Для каждого случая освещения измеряют первые эллипсометрические периоды, определяют первые и последующие фазовые толщины и вторые и последующие эллипсометрические периоды. Определение толщины ведут до тех пор, пока значения фазовых толщин станут равны друг другу.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„5U„„1548664

А1 (51)5 G 01 В 11/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЦТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (2 1 ) 4365682/24-28 (22) 21.01.88 (46) 07.03.90. Бюл. Р 9 (71) Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола (72) И.Н. Безрядин, В.Д. Линник, О.Н. Миттов, M.M. Стрилец и 3.А.Сысоева (53) 531.715.27(088,8) (56) Щелпакова И.P., Юделевич И.Г., Аюпов Б.M. Послойный анализ материалов электронной техники. — Новосибирск: СО "Наука", 1984, с. 182.

Ржанов А.В. Основы эллипсометрии.Новосибирск: СО "Наука", 1978, с. 6064. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ (57) Изобретение относится к измерительной технике, к оптическим методам определения толцины покрытий и

Изобретение относится к измерительной технике, к оптическим методам определения толщины покрытий и пленок.

Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых толщин посредством измерений параметров поляризации отраженного излучения при различных значениях углов падения, длин волн излучения и показателя преломления окружаюцей среды.

Суцность способа заключается в следующем.

При эллипсометрических измерениях толщины пленки в 1. — х и (i + 1)-х

2 пленок. Цель изобретения — расширение ,циапазона измеряемых толщии посредством измерений параметров поляризации отраженного излучения при различных значениях углов падения, длин волн . излучения и показателя преломления окружаюцей среды. Для этого пленку освещают несколько раз, освецение проводят при различных значениях угла падения излучения, длин волн излучения и показателя преломления окружающей среды. В качестве параметров поляризации отраженного излучения выбирают первые эллипсометрические периоды. Для каждого случая освещения измеряют первые эллипсометрические периоды, определяют первые и последующие фазовые толщины и вторые и последующие эллипсометрические периоды. Определение толщины ведут до тех пор, пока значения фазовых толцин станут равны. друг другу. 1 табл. условиях (g = 1) имеют систему уравнений

d = D.„К + (;,, т 1

Для простоты принято, .та D; < D „, т.е. первый эллипсометрический период с номером 1. меньше первого эллипсометрического периода с номером (1.+1);

К . — целое число эллипсометрических

z.

1 периодов, укладынаюцихся во второй

*3. фазовой толщине

J 1 параметр, равпй О и: и 1, обусловленный тем, что в д; может уложиться иа

Ф il;

D. (2)

2 п,;оа; sin У . а а

1О где Ь; — длина волны падающего света; и ; — показатель преломления акружающей среды; (, — угол падения света; и „ — экспериментально найденный показатель преломления исследуемой пленки.

Из выражения (2) следует, что монотонное изменение первого эллнпсомет- рического периода D возможно путем

1 ! монотонного изменения с увеличением номера i длины волны, угла падения Ц,или показателя преломления окружающей среды п o)

На основе системы уравнений (1) 25 получают для величины d, которую

2. удобно назвать второй фазовой толщиной, значение

К. (D";+DI„)+d +d +,+1 ппп 1 D. 0;+, а

ЗО (3) где целое положительное число К2 равJ но количеству первых эллипсометрических периодов, укладываюшихся во, второй фазовой толщине dj. ! К (di -di. 11 П3 („)

+ 1

К. — !

Квадратные скобки обозначают округление до ближайшего целого положитель2 ного числа, 1 — подгоночныи параметр, 1 равньпЪ 0 или 1 и выбираемый из условия z

0<К <

7. 45 а величину Р-, равную

1

2 в D 1+i

j 9. -D11

141 называют вторым эллипсометрическим периодом с номером j, Подгоночный

2. параметр 1;, равный 0 или 1, выбирают из условия выполнения неравенства (5) 0 аД д

Доказывают,что истинная толщина d связана с d и D 2 уравнением

Й = МЭ . + с1 (6) J

1548664

1 больше эллипсометрических периодов

D;, чем периодов D;,„Й;, d,,— первые фазовые толщины, а первый эллипсометрический период для i-го эксперимента где М - целое положительное число или О, т.е. достаточно показать, что определенные по формуле (1), (3) -(5) величины d>. и D .всегда удовлетворяют г.

1 уравнению (6) при целом значении М.

По определению первых фавовых толщин Й . и первых эллипсометрических периодов можно записать

d = KD; + d; + LD,.;

d=KD.,+d;„, 1+1 (7) (10) М=L+1.

Л так как 1 и ?, по определению, целые числа, то и М является целым.

Это и доказывает справедливость утверждения, что рассчитанные по формулам (3) и (5) величины d, D2 явля3 „1 ются второй фазовой толщиной и «торым эллипсометрическим периодом. Аналогичные рассуждения можно привести и для любых других (4+1)-х эллипсометрических периодов и фазовых толцин.

Таким образом, из m измерений может быть рассчитано (m-1) значение

2 вторых фазовых толщин d и вторых эллипсометрических периодов D ..Рас 2

J полагая полученные результаты расчета в порядке монотонного изменения

D . с увеличением порядкового номера

) и вновь применяя к ним формулы (3) †(5), получают (ш-2) значения третьих фазовых толцин Й . и третьих эллипсометрических периодов D ..,. За 7 тем вычисляют значения d, D; и так до расчета величин с 2, d 2 и d,.

Совпадение этих величин между собой свидетельствуют о том, что полученное числовое значение и является искомой фактической толщиной исследуемой пленки. В противном случае, если Й.„ Ф с12 Ф с1 „ количество измерений надо увеличить.

Пример. Исследованы тонкие слои термической двуокиси кремния на кремнии. а где К и L — некоторые целые числа.

Систему уравнений (7) удобно преобразовать к виду

K(D; +D;+i)LD; + d ° + d а.1 ° (9)

Подставив (3), (5), (8) и (9) в (6). и разрешив его относительно М, получают

1". П 1

Р,, D;"Ä5 "

Формула изобретения

Второй эллипсоУгол падения

Чо град

Показа- Первый

Третий эллипсоПервая фазовая толщина нм

Вторая фазовая толщина d. нм

Третья фазовая толщина

1 з

1 эллипсо тель преломления и,. метрический пе1 риод D., нм метрический пе1 риод D -, J нм метрический период D -, 3

1 нм

55,5 3575,4 301,3

38 4500 5 302 3 17394

23

Э t

1,47 245,5

1,48 263,6

1,47 280

301,65

Составитель Б. Евстратов

Редактор Н. Бобкова Техред Л,Сердюкова Корректор М, Самборская

Заказ 136 Тираж 492 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101

5 15486

Результаты измерения показателей преломления и фазовых толщин, полученных на эллипсометре ЛЭМ-2 (1

= 632,8 нм) при различных углах падения, представлены в таблице.

Таким образом, практическое равен-. ство фазовых толцин.d;, d z d позволяет определить величину толщины пленки. Это значение толцины близко к величине 302 нм, определенной по известной методике со стравливанием части пленки и оценке ее толщины на

МИИ-4 с последующим уточнением по эллипсометрическим измерениям. 15

Способ определения толщины пленки

I заключающийся.в том, что освещают 20 пленку монохроматическим поляризованным излучением, измеряют параметры поляризации отраженного излучения, по которым определяют толщину пленки, отличающийся тем, 25 что, с целью расширения диапазона измеряемых толщин, пленку освещают ш раз, освещение проводят при различных значениях угла падения излучения, длин волн излучения и показателя пре- 30 ломления окружающей среды, по параметрам поляризации отраженного излучения выбирают первые эллипсометрические периоды, для каждого случая освещения измеряют первые.эллипсометри- ! \

64 6 ческие периоды D; и определяют первые фазовые толцины д ., определяют ! ! вторые и следуюцие фазовые ."олщины !

1Ф! Ч"

d . и эллипсометрические периоды D °

J I по рекуррентным формулам

1 d — 4 (П;., — Ь., шах ч

В!., - О I (+1) e — эллипсометрические периоды;

1. — параметр, равный 0 или 1 и 1и выбираемый из условия

v+!

0(K " ((! (тах (Р Р )

)и — 1,...,(ш-1), i = 1 (-y+1)

1,...,m- 1. индекс i относится к предыдущему g -му, a j — к последующему (ч+1)-му этапу определения,, D., D,, We — эллипсометрические периоды, монотонно изменяюпртеся с возрасганием номера i, d;, d;,, d;—

4 !+!

4-е и (4+1)-е фазовые толщины с номерами i i+1 и j соответственно, а определение т.олцины ведут до тех пор, пока значения фазовых толщин

tn- Ill-f

d u dz станут равны друг другу и последунцей величине ш-й фазовой толщины,d которую принимают искомой толщиной пленки.

Способ определения толщины пленки Способ определения толщины пленки Способ определения толщины пленки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области оптических измерений и может быть применено для градуировки оптико-электронных кварцевых гравиметров

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля толщины тонких пленок в процессе их напыления

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для контроля толщины кристаллических пластин интерференционно-поляризационного фильтра в процессе доводки

Изобретение относится к измерению толщины пластинок оптическими методами

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для определения толщины и качества нанесения анодированного слоя на алюминиевую ленту

Изобретение относится к измери тельной технике и может быть использовано для контроля количества резины на валках каландра

Изобретение относится к испытательной технике и позволяет проводить контроль и отбраковку ситалловых элементов, прошедших гидролитическую обработку перед соединением их путем оптического контакта

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении толщин движущихся пластин

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения толщин пленок

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх