Способ плазменной обработки поверхности

 

Изобретение относится к области и-с ивдппт дзр cvww. -1ЯСЗЛ11 плазменной технологии и может быть использовано для плазменной обработки диэлектрических материалов с целью получения низкосорбционных, защитнодекоративных покрытий на строительных материалах. Цель изобретения - повышение равномерности обработки поверхности по длине дуги. Это достигается наложением,магнитного поля в виде однополярных треугольных импульсов на перемещаемую относительно поверхности дугу, расположенную под углом к этой поверхности. Магнитное поле накладывают в прикатодной области с частотой f V/ds где V - скорость пег-1 ремещения разряда; d - токопроводящий с диаметр дуги. 2 ил. 59

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН р (51)5 Н 0 Н .1 ОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О"П.1РЫТИЯМ

ПРИ П.1НТ СССР. (21) 4461524/ф 25, (22) 18.07.88 (71) Томский инженерно-строительный институт (72) Г.Г. Волокитин, В.И. Кишковский и P.Î. Дедюхи Д З) — 53Эт9.(088.8 (56) Авторское свидетельства СССР

У 1071 187, кл. Н 05 П 1/00, 1982..

Генераторы низкотемпературной плазмы. Теэ. докл. Х Всесоюзн. конференции, Каунас, Минск, 1986,,с. 109110. (54) СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ. (57) Изобретение относится к области

Изобретение относится .к области плазменной технологии и может быть использовано для плазменной обработки диэлектрических материалов с целью получения иизкосорбционных защитно,декоративных покрытий.

Цель изобретения — повьппение равномерности обработки поверхности пав длине дуги.

Ка фиг. 1 приведена форма магнитного поля, накладываемого на разряд; на фиг. 2 (а,б,в,г) — форма дуги при наложении на него магнитного поля в различные моменты времени. На фиг ° 2 изображены дуга 1, катод 2 и анод 3.

Способ плазменной обработки поверхности реализуют следующим образам.

Зажигают разряд между анодов и катодом. Дугу перемещают равномерно вдоль обрабатываемой поверхности путем

2 плазменной технологии и может быть использовано для плазменной обработки.диэлектрических материалов с целью получения низкосорбционных, защитнодекаративных покрытий на строительных материалах.. Цель изобретения — повышение равномерности. обработки поверхности по длине дуги. Это достигается наложением,магнитного поля в ниде .опнополярных треугольных импульсов на перемещаемую относительно поверхности дугу, расположенную под углом к, этой поверхности. Магнитное поле накладывают в прикатодной области c иастатой f > V/d, где У вЂ” скорость пе;". ремещения разряда; Й вЂ” токопроводящий а диаметр дуги. 2 ил. перемещения вдаль поверхности плазменного устройства.. В катодной области на дугу накладывают магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны направлению чака дуги.

Дуговое пятно, взаимрдействующее с поверхностью под действием магнитного поля в виде однополярных треугольных импульсов, сканирует между айодом и катодом.

Равномерность оплавления поверх ности достигается согласованием иастоты накладываемого магнитпогo поля со скоростью перемецения дуги и дна:четром ее токового канала. формула и з о бр е те ни я

Способ плазменной обработки поверхности, включающий зажигание дуги, рае3

1549464

4 4

Фиг.Z

Составитель А. Рудиков

Редактор.Т. Юрчикова Техред М.Дидык .Корректор, И." Муска е

Заказ Ф9 7 Д6П . Тираж 766, Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР .

1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 ! 4

Производственно-издательский комбинат Патент", г. Yarород, ул.: Гагарина, 101; положенной под углом к обрабатываемой поверхности, перемещение дуги равномерно вдоль поверхности и изменение формы дуги путем наложения на нее переменного магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны направлению тока дуги и наложены в прикатодной области разряда, о т л и ч а ю " щ н Й с я тем, что, с целью повышения равномерности обработки поверхнос- ти по длине дуги, магнитное поле формируют в виде однополярных треугольных импульсов с частотой, большей отношения скорости перемещения дуги вдоль поверхности к диайетру.токопровоакще1го шнура дуги.

Способ плазменной обработки поверхности Способ плазменной обработки поверхности 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области масс-спектрометрии и может быть использовано при изотопном анализе образцов твердой фазы

Изобретение относится к плазменной технике и предназг1ачено для определения размеров, площади поверхности и объема плазмы высокого давления

Изобретение относится к области плазменной техники и управляемого термоядерного синтеза и может быть использовано для получения высокотемпературной плазмы и генерирования нейтронного излучения

Изобретение относится к вакуумной и напылительной технике и, в частности, к электродуговым испарителям металлов и сплавов, используемый для нанесения тонких пленок и покрытий в вакууме

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам для ускорения заряженных частиц, и может быть использовано, в первую очередь, для обработки высокоэнергетическими плазменными потоками металлических поверхностей с целью повышения таких их характеристик как чистота поверхности, микротвердость, износостойкость, коррозионная стойкость, жаростойкость, усталостная прочность и др

Изобретение относится к системам тепловой защиты из огнеупорного композитного материала, которые охлаждаются потоком жидкости, и более точно касается конструкции тепловой защиты для отражателя камеры удерживания плазмы в установке термоядерного синтеза, охлаждающего элемента, который использован в конструкции тепловой защиты, и способа изготовления такого охлаждающего элемента

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения электрической энергии путем преобразования тепловой энергии плазмы в электрическую

Изобретение относится к области технологии очистки и обезвреживания отходящих газов, газовых выбросов различных производств и процессов, а также плазмохимического синтеза химически активных соединений с использованием электрических методов, в частности к устройству газоразрядных камер, в которых производят процесс детоксикации и очистки
Наверх