Способ смещения доменной границы в сегнетоэлектрическом носителе информации
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в сегнетоэлектрических накопителях информации. Целью изобретения является повышение скорости смещения доменной границы в носителе информации. Способ основан на создании в сегнетоэлектрическом носителе информации электрического поля с напряженностью, превышающей напряженность порогового поля смещения доменной границы, путем приложения к управляющим электродам последовательности импульсов напряжения длительностью, меньшей времени зародышеобразования, и скважностью менее 0, 1, что позволяет увеличить действующие напряжения и тем самым повысить скорость смещения границы между двумя областями с различным направлением поляризации на два-три порядка без образования новых доменов.
СОЮЗ СОЯЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (g1)g G 11 С 11/22
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н A BTOPCXGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 3837980/31-24 (22) 04.01.85 (46) 23.03.90. Бюл. ¹ 11 (71) Уральский государственный университет им. А.М.Горького (72) В.Я,Шур, В.В.Летучев и Ю.A.Ïîïîâ (53) 681 .327(088.8) (56) Изв. AH СССР, 1983, т. 47, М- 3, с. 465-475, Appl Phys Lett. 1978, v. 32, № 8, р. 455-457. (54) СПОСОБ СМЕЩЕНИЯ ДОМЕННОЙ ГРАНИЦЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ
ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь" зовано в сегнетоэлектрических накопиИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в сегнетоэлектрических нако пителях информации, Целью изобретения является повы,шение скорости смещения доменной границы в носителе информации, Домены с новым направлением поляризации возникают через некоторое время после приложения внешнего электрического поля. Время образования сквозного домена складывается иэ времени образования зародыша критического радиуса и времени его прорастания в полярном направлении до поверхности сегнетоэлектрика и зависит от напряженности приложенного
„„SU„„1552230 А 1
2 телях информации. Целью изобретения является повышение скорости смещения доменной границы в носителе информации, Способ основан на создании в сегнетоэлектрическом носителе информации электрического поля с напряженностью, превышающей напряженность порогового поля смещения доменной границы, путем приложения к управляющим электродам последовательности импульсов напряжения длительностью, меньшей времени зародышеобразования, и скважностью менее 0,1, что позволяет увеличить действующие напряжения и тем самым повысить скорость смещения границы между двумя областями с различным направлением поляризации на два — три порядка без образования новых доменов., фиай электрического поля температуры и конструкции носителя, Непроросшие эа- © родыши успевают самопроизвольно ис- Ю чезнуть за некоторое время. Таким Ю образом, если к пластине сегнето- ф Р электрика прикладывают последова- С> тельность импульсов электрического напряжения длительностью, меньшей времени эародышеобраэования, и скважностью, меньшей 0,1, то перемещение доменной границы осуществляется эа счет бокового движения существующих доменных стенок без возникновения новых доменов, способных исказить информацию, При этом возможно увеличить действующие напряжения и тем самым повысить скорость смещения до
1552230
Формула изобретения
Составитель В.Костин
Техред М.Ходанич Корректор О.Кравцова
Редактор О,Юрковецкая
Заказ 333
Тираж 485
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,103 менной границы, в то время как при известных способах скорость смещения лимитируется амплитудой постоянного электрического поля. Практическая реализация способа в носителе информации на основе германата свинца поз" волила увеличить скорость смещения доменной границы более чем на три порядка, Способ смещения доменной границы
15 в с гнетоэлектрическом носителе информации, основанный на создании в сегнетоэлектрическом носителе информации электрического поля с напряженностью, превышающей напряженность порогового поля смещения доменной границы, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости смещения доменной границы, создание в сегнетаэлектрическом носителе информации электрического поля осуществ" ляют приложением к управляющим электродам последовательности импульсов напряжения длительностью, меньшей времени зародышеобразования, и скважностью менее 0,1.
