Многоустойчивый полупроводниковый прибор

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к приборам, вольт-амперные характеристики которых имеют несколько участков с отрицательной дифференциальной проводимостью. Цель изобретения - расширение области применения прибора - достигается путем увеличения разнообразия вольт-амперных характеристик и получения произвольного количества участков с отрицательной дифференциальной проводимостью. Многоустойчивый полупроводниковый прибор содержит биполярный транзистор 4 первого типа проводимости и первый нормально открытый полевой транзистор 5 с каналом первого типа проводимости. Для достижения поставленной цели в устройство введены N параллельно включенных формообразующих цепочек, каждая из которой состоит из нормально открытого полевого транзистора с каналом первого типа проводимости и нормально закрытого полевого транзистора с каналом второго типа проводимости. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (S1)S Н 03 К 3/29

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЛ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (21 ) 4465898/24-2 ) (22) 26.07,88 (46) 30,03.90. Бюл. 11" 12 (72) И.А.Ничипорович, Э.А,Матсон и Д.В.Игумнов (53) 621,374 (088.8) . (56) Solid.-State Electronics. V. 18, 1975, Ф 11, р, 937-941.

1 (54 ) МНОГОУСТОЙ ЧИВЫЙ ПОЛУПРОВ ОДНИКОВЫЙ ПРИБОР . (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к приборам, вольт-амперные характеристики которых имеют несколько участков с отрицательной дифференциальной проводимостью. Цель изобретения — рас„.,SU„„1554112 - Д 1

2 ширение области применения прибора— достигается путем увеличения разнообразия вольт-амперных характеристик и пблучения произвольного количества участков с отрицательной дифференциальной проводимостью. Иногоустойчивый полупроводниковый прибор содержит биполярный транзистор 4 первого типа проводимости и первый нормально открытый полевой транзистор 5 с каналом первого типа проводимости.. Для достижения поставленной цели в устройство введены п параллельно включенных формообразуюших цепочек, каждая из которых состоит из нормапьно открытого полевого транзистора с каналом второго типа проводимости. 2 ил.

1554112

Изобретение относится к полупроводниковой технйке, а именно к приборам, вольт-амперные характеристики которых имеют несколько участков с отрицатель-5 ной дифференциальной проводимостью.

Цель изобретения — расширение области применения прибора эа счет увеличения разнообразия возможных вольтамперных характеристик и получения произвольного (четного или нечетного) количества участков с отрицательной дифференциальной проводимостью.

На фиг, 1 изображена принципиальная электрическая схема многоустойчи- 15 вого полупроводникового прибора; на фиг. 2 — семейство вольт-амперных характеристик прибора, Многоустойчивый полупроводниковый прибор (фиг. !) содержит первый 1, 20 второй 2 и третий 3 внешние выводы прибора, биполярный транзистор 4 первого типа проводимости и первый нор-." мально открытый полевой транзистор 5 с каналом первого типа проводимости, 25 затвор транзистора 5 соединен с коллектором биполярного транзистора 4 и первым внешним выводом 1 прибора, исток полевого транзистора 5 соединен с третьим внешним выводом 3 прибора, сток полевого транзистора 5 соединен с базой биполярного транзистора 4, эмиттер последнего соединен с вторым внешним выводом 2 прибора, три параллельно включенные формообразую35 щие цепочки, каждая из которых состоит из последовательно включенных нормально закрытого и нормально открытого полевых транзисторов 6 и 7, 8 и 9, 10 и 11, затворы полевых 40 транзисторов каждой формообразующей цепочки соединены с коллектором биполярного транзистора 4, исток нормально открытого полевого транзистора каждой формообразующей цепочки 45 соединен со стоком нормально закрытого полевого транзистора этой же цепочки, истоки нормально закрытых полевых транзисторов каждой цепочки соединены с третьим внешним выводом 3 прибора, а стоки нормально открытых полевых транзисторов каждой цепочки соединены с базой биполярного тр анзистора 4 и стоком полевого транзисто- ра 5, 55

Пол упро в одник оный при б ор р аб от ае т следующим образом, К внешнему выводу 1 прибора прокладывает напряжение положительной полярности U относительно внешнего

sv вывода 2 прибора, к внешнему выводу 3 прибора — напряжение положительной полярности U „ oòíîñèòåëüíî внешнего вывода 2 прибора, Величина напряжения вырабатывается из расчета получения необходимого тока через биполярный транзистор I„

При увеличении напряжения U „от нуля до значения U соответствующего напряжения отсечки транзистора 5, происходит размыкание цепи базы транзистора 4 г ток коллектора послед- него начинает спадать. На вольт-амперной характеристике образуется участок с отрицательной дифференциальной про 1 водимостью, транзисторы 6, 8 и 10 в этот момент заперты. В следующий момент времени напряжение U „ достигает значения; U соответствующего пороговому напряжению нормально закрыто"

ro полевого транзистора 6, происходит отпирание тринзистора 6, цепь базы транзистора 4 замыкается и ток коллектора последнего начинает возрастать.

При увеличении напряжения П „ до значения U, соответствующего напряжению отсечки транзистора 7, последний запирается, цепь базы биполярного транзистора 4 размыкается и ток через прибор начинает спадать. Продолжая увеличиваться, напряжение U.ö„ достигает значения 11,, соответствующего пороговому нанряжению транзистора 8,.который открывается.,цепь базы биполярного транзистора 4 замыкается и ток через прибор начинает возрастать, .При достижении напряжением U „çíà÷åíèÿ U - соответствующего напряжению отсечки транзистора 9, последний закрывается, цепь базы биполярного транзистора 4. размыкается и ток коллектора последнего начинает спадать. Формируется очередной участок вольт-амперной характеристики с отрицательной дифференциальной проводимостью, Формирование следующего участка с отрицательной дифференциальной проводимостью при помощи пары транзисторов 10 и 11 происходит аналогичным образом.

На фиг. 2 показано семейство вольтамперных характеристик прибора, Сплош1 ной линией показана вольт-амперная характеристика для U U и, штрихоУ Р11 вой линией — вольт-амперная характеРистика длЯ Пчпр =Ц пр е причем U np, C

"" 2

155411

Т0К

I pp

Напряженив фор мул а из о бретения

Многоустойчивый полупроводниковый прибор содержащий биполярный тран1

5 зистор первого типа проводимости и первый нормально открытый полевой транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор первого полевого транзистора соединен с коллектором 10 биполярного транзистора и первым внешним выводом прибора, эмиттеР биполярного транзистора соединен с вторым— внешним выводом прибора, исток первого полевого транзистора — с третьим внешним 15 выводом прибора, сток первого полевого транзистор а — с баз ой биполярного транзистора, о тли чающий ся тем, что, с целью расширения области применения прибора за счет увеличе- 20 ния разнообразия возможных вольтамперных характеристик и увеличения количестваа - участков с отрицательной дифференциальной провЬдимостью, .в него введены и параллельно включенных фор- 25 мообраэующих цепочек, каждая из которых состоит из нормально открытого полевого транзистора с каналом первого типа проводимости и нормально закрытого полевого транзистора с кана- 30 лом второго типа проводимости приР чем затворы полевых транзисторов каждой Фармообразуюшей цепочки соединены

2 6 с коллектором биполярного транзистора и первым внешним выводом прибора, исток . нормально открытого полевого транзистора каждой формообразующей цепочки соединен со стоком нормально закрыт ого полевого транзистора этой же цепочки,, истоки нормально закрытых полевых транзисторов, каждой формообразующей цепочки соединены с третьим внешним выводом прибора, а стоки.- с базой биполярного транзистора, при этом величины напряжений отсечки U, нормально открытых полевых транзисторов и пороговых напряжений U „,,р нормально закрытых полевых транзисторов каждой формообразующей цепочки соответствует следующим соотношениям:

Unop; Unop1+1

Upop1 < Unop;

Uc c Uo>c iii — — — -=K ;

11отс;, U ore

U oop; Unop;+<

Uo7a з °

Vore д,1- C U pop 1 где К„К Кз- любые вещественные числа, большие единицы о номер ц еп очки;

У вЂ” напряжение отсечки первого полевого транзистора,