Ключ переменного тока

 

Изобретение может быть использовано для коммутации силовой нагрузки. Цель изобретения - повышенеие КПД. Ключ переменного тока содержит симистор 1, транзисторы 5, 6, диоды 7, 8, конденсатор 9, резисторы 10, 11, управляющий ключ 12. Выполнение ключа 12 в виде транзистора, включенного между коллекторами транзисторов 5, 6, а также между разноименными выводами диодов 7, 8, соединенных другими выводами с управляющим электродом симистора 1, соединение эмиттеров транзисторов 5, 6 с выводом конденсатора 9 и подключение резисторов 10, 11 к выводам 3, 4 питающей сети позволяет осуществить управление симистором 1 без использования балластного резистора в цепи силовой нагрузки 2. 1 ил.

СОНИ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (Д1) Н 03 К 17/56

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (2)) 4469822/24-21: (22). 29.07.88 (46) 30,03.90. Бюл, Ф 1 2 (71) Винницкий политехнический институт (72) Н,И,Байдасов, А.N.Øóèñêèé и А,В.Кобылянский (53) 621.316.56(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1012442, кл, H 03 К 17/56, 1980, Авторское свидетельство. СССР

В 711684, кл. H 03 К 17/56, 1978 (54) КЛЮЧ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА (57) Изобретение может. быть использовано для коммутации силовой нагрузки. Цель изобретения - повышение КПД

ÄÄSUÄÄ 155413() 2

Ключ переменного тока содержит симистор 1, транзисторы 5, 6, диоды 7, 8 конденсатор 9, резисторы 10, 11, управляющий ключ 12. Выполнение ключа

12 в виде транзистора, включенного между коллекторами транзисторов 5, 6 а также между разноименными выводами диодов 7, 8, соединенных другими выводами с управляющим электродом симистора 1, соединение эмиттеров транзисторов 5, 6 с выводом конденсатора 9 и подключение резисторов 10, 11 к выводам 3, 4 питающей сети позволяет осуществить управление симистором 1 без использования балластного резистора в цепи силовой нагрузки, 2. 1ил.

1554130

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для коммутации силовой нагрузки

Цель изобретения — повышение КПД путем обеспечения управления без ис5 пользования балластного резистора в коммутационной цепи.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагае- 10 мого устройства.

Ключ переменного тока содержит симистор 1 в цепи подключения нагрузки 2 к выводам 3 и 4 питающей сети, первый и второй транзисторы 5 и 6, разного типа проводимости, первый и второй диоды 7 и 8, соединенные первыми разноименными выводами с управляющим электродом симистора 1 и присоединенные вторыми разноименными выводами к коллекторам транзисторов

5 и 6 соответственно конденсатор 9, включенный между точкой соединения катода симистора 1 с нагрузкой 2 и точкой соединения.эмиттеров транэис- 25 торов 5 и 6, первый резистор 10, включенный между выводом 3 сети и точкой соединения баз транзисторов 5 и 6

) которая через второй резистор 11 подключена к выводу 4 сети. Между кол.лекторами транзисторов 5 и 6 вклю1чен промежуток эмиттер-коллектор третьего (управляющего) транзистора 12, база-эмиттерный переход которого под- : ключен к выводам 13 и 14 управления, Ключ переменного тока работает следующим образом.

E исходном состоянии сигнал на Ны. ходах 13 и 14 отсутствует, т.е, транзистор 12 заперт. При подаче питающего напряжения на выходы 3 и 4 перная, 40 например, отрицательная полуволна выделяется на промежутке анод — катод закрытого симистора 1 и происходит заряд конденсатора 9 по цепи: вывод 4, нагрузка 2, конденсатор 9, 45 переход база-эмиттер транзистора 6, резистор 10, вывод 3. Ток заряда конденсатора 9 протекает до тех пор, пока отрицательный потенциал сети на выводе 3 превышает (по модулю)

50 напряжение, до которого заряжается конденсатор 9. В момент времени, когда снижающееся по абсолютной величине сетевое напряжение сравнивается с напряжением на конденсаторе 9, ба55 за-эмиттерный переход транзистора б закрывается и заряд конденсатора

9 прекращается, Дальнейшее снижение напряжения сети приводит к появлению отпирающей разности потенциалов между базой и эмиттером транзистора 5, который замыкает цепь разряда конденсатора 9 через диод 8 на входной переход симистора 1, переводя его н открытое состояние.

В течение действия очередной положительной полуволны сетевого напряжения ("плюс".на выводе 3) нагрузка 2 возбуждена,, а конденсатор 9 дозаряжается через открытый симистор I эмиттер-базовйй переход транзистора б и резистор 11. При уменьшении сетевого напряжения происходит запирание транзистора 6 и отпирание транзистора 5 который вновь замыкает цепь разряда конденсатора 9 через диод 8 на входной переход,симистора 1, обеспечивая его удержание в открытом состоянии при очередном переходе сетевого напряжения, через нуль.

В течение следующего отрицательного полупериода конденсатор 9 пере заряжается через резистор 11, базазмиттерный переход транзистора 5 и симистор 1. Затем вследствие уменьшения величины питающего напряжения транзистор 5 закрывается, а открывающийся транзистор 6 замыкает цепь разряда конденсатора 9 черсз диод 7 опять на входной переход симистора

1, Далее указанные процессы повторяются.

Для отключения нагрузки 2 подается сигнал на выводы 13 и 14 Этот сигнал открывает транзистор 12, который через база-коллекторный переход транзистора б . 5) шунтирует цепь заряда (перезаряда) конденсатора 9, исключая в дальнейшем протекание тока от конденсатора 9 через управляющий переход симистора 1, который закрывается при очередном переходе питающего напряжения через нуль.

Ф о р м у л а изобретения

Ключ переменного тока, содержаший симистор в цепи подключения на грузки к выводам питающей:-сети, первый и второй транзисторы разного типа.проводимости, первый и второй диоды, соединенные первыми разноименны" ми выводами1 конденсатор, первый вывод которого соединен с катодом симистора, первый и второй резисторы, соединенные первыми выводами с баСоставитель Шедрин

Редактор С.Лисина Техред Л.Сердюкова Корректор H.Муска

Заказ 465 Тираж 667 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/S

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

5,155413 зами первого и второго транзисторов, управляющий ключ, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения КПД управляющий ключ выполнен в виде третьего транзистора, база-эмиттерный . ! переход которого подключен к выводам управления, а эмиттерно-коллекторный промежуток включен между коллекторами первого и второго транзисторов, с которыми соединены вторые разноименные выводы второго и первого диодов, о

6 присоединенных первыми разноименными выводами к управляЬщему электроду„ симистора, второй вывод конденсатора соединен с эмиттерами первого и второго транзисторов, второй вывод первого резистора соединен с анодом симистора и выводом питающей сети, другой вывод которой ооединен с вторым выводом:второго резистора и подк почен через нагрузку к катоду симистора.