Метка совмещения на подложке из арсенида галлия для электронной литографии
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - повышение точности совмещения. Метка выполнена в виде углубления в подложке, которое имеет плоское дно. На дне углубления расположены выступы. Поперечное сечение каждого выступа имеет треугольную форму. Такая форма в меньшей степени подвержена сглаживанию при нанесении на подложку технологических слоев. Кроме того при такой форме профиля каждому выступу метки в сигнале совмещения соответствует единичный пик. Это облегчает обработку сигнала. 2 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и микросхем методом электронной литографии. Целью изобретения является повышение точности совмещения за счет выполнения метки в виде выступов с поперечным сечением треугольной формы, расположенных на дне углубления, имеющего плоское дно. Такая метка легко формируется в подложках из арсенида галлия методами травления и обеспечивает такую форму сигнала совмещения, при которой каждому выступу соответствует единичный пик сигнала. Кроме того, такая метка сохраняет свои свойства при нанесении на нее различных технологических слоев. На фиг. 1 показана метка совмещения, план; на фиг. 2 то же, в разрезе. Метка совмещения (см. фиг. 1) выполнена в подложке из арсенида галлия. Она представляет собой углубление в подложке, которое имеет плоское дно. На дне углубления расположены выступы. При этом поперечное сечение каждого выступа имеет треугольную форму (см. фиг. 2). Данная метка может быть сформирована следующим образом. На подложку из полуизолирующего арсенида галлия (АТЧП-5) наносят слой резиста. Методом микролитографии в этом слое формируют маску, соответствующую конфигурации метки. Далее проводят травление в смеси азотной и фосфорной кислот. Время травления выбирают так, чтобы за счет бокового подтрава под края резиста противоположные грани каждого выступа сомкнулись. Это обеспечивает треугольную форму поперечного сечения выступов. При совмещении электронный луч сканирует метку таким образом, чтобы диапазон сканирования не превышал ширины углубления. Одновременно регистрируют ток вторичных или отраженных электронов, который используют в качестве сигнала совмещения. При пересечении электронного луча с каждым выступом на сигнале совмещения образуется единичный пик. По этим пикам определяется положение метки совмещения. Если на метку нанесен технологический слой, например резист, то вершина каждого выступа сохраняет заостренную форму. Это обеспечивает высокое отношение сигнал/шум при регистрации метки.
Формула изобретения
МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
