Способ контроля загрязнения фоторезиста микрочастицами
Изобретение относится к контрольно - измерительной технике, в частности к оптическим способам контроля загрязненности жидких сред, и может найти применение в электронной промышленности при контроле качества фоторезистивных материалов. Цель изобретения - повышение надежности контроля за счет визуализации невидимых микрочастиц. К фоторезисту добавляют поверхностно-активное вещество алкилбензилдиметиламмоний хлорида в количестве 0,02 - 0,2% объема фоторезиста, затем после паузы продолжительностью 3 - 5 мин, фоторезист освещают коллимированным световым пучком и осуществляют микроскопическое наблюдение фоторезиста, подсчитывая число частиц, попавших в поле зрения за определенное время. По этому числу судят о загрязнении фоторезиста. Повышение надежности достигается тем, что добавка ПАВ приводит к адсорбции его на микровключениях и "слипании" нескольких частиц в одну крупную, в результате чего увеличиваются размеры микровключений, что делает возможным оптическое обнаружение ранее невидимых частиц.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к оптическим способам контроля загрязнения жидких сред, и может найти применение в электронной промышленности при контроле качества фоторезистивных материалов. Целью изобретения является повышение надежности контроля за счет визуализации невидимых частиц. Способ контроля загрязнения фоторезиста микрочастицами осуществляют следующим образом. В отфильтрованный фоторезист добавляют поверхностно-активное вещество (ПАВ) алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы [CnH2n+1N+(CH3)2CH2C6H5]Cl-, где n 10-18 катамина АБ в количестве 0,02-0,2% от объема фоторезиста. Далее дают раствору отстояться в течение 3-5 мин для обеспечения гомогенности. Приготовленный таким образом фоторезист помещают в оптическую кювету и освещают коллимированным световым пучком, например излучением гелий-неонового лазера, после чего визуально посредством микроскопа подсчитывают число частиц, попавших в поле зрения микроскопа в течение заданного времени. По этому числу частиц судят о загрязненности фоторезиста микровключениями. В фоторезисте могут находиться скрытые микрочастицы: кристаллиты или их ассоциаты, которые недоступны обычным оптическим способам обнаружения. При добавке ПАВ катамина АБ эти скрытые частицы приобретают оболочки из ПАВ, в результате чего происходит укрупнение этих частиц и последующее объединение ("слипание") их, т.е. образование конгломерата ранее невидимых частиц. Таким образом, добавка катамина АБ позволяет укрупнить скрытые частицы и тем самым визуализировать в пучке коллимированного излучения, что обеспечивает повышение надежности контроля при отбраковке фоторезиста. Использование концентрации добавки катамина АБ в количестве менее 0,02 об. не обеспечивает выявления скрытых частиц. Увеличение концентрации добавки катамина АБ в количестве более 0,2 об. нецелесообразно, так как наблюдаемых в микроскоп частиц становится так много, что их подсчет затруднен. Использование изобретения позволяет гарантированно использовать в литографическом процессе качественный фоторезист, что обеспечить воспроизводимость литографического процесса, т.е. повысит процент выхода годных изделий.
Формула изобретения
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЗАГРЯЗНЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА МИКРОЧАСТИЦАМИ, включающий освещение кюветы с фоторезистом коллимированным световым излучением, определение количества микрочастиц в единице объема исследуемого фоторезиста, суждение по этому количеству о загрязнении фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контроля за счет визуализации невидимых микрочастиц, в исследуемый фоторезист до освещения добавляют поверхностно-активное вещество алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы [CnH2n+1 N+(CH3)2CH2C6H5] Cl-, где n составляет величину в пределах 10 18, в количестве 0,02 0,2% объема фоторезиста, и по истечении интервала времени 3 5 мин определение количества микрочастиц в единице объема осуществляют с помощью микроскопического наблюдения фоторезиста путем подсчета числа частиц, попавших в поле зрения в течение заданного интервала времени.
