Газовый нагреватель для изготовления и ремонта полупроводниковых приборов

 

Изобретение относится к нагревательным устройствам, в частности к газовому нагревателю, и может быть использовано при производстве и ремонте многокристальных полупроводниковых приборов и гибридных интегральных схем (ГИС). Цель изобретения - повышение качества изготовления и ремонта полупроводниковых приборов путем регулирования величины локального пятна нагрева. Газовый нагреватель содержит корпус 1, полый наконечник 4, керамический сердечник 5 с нагревательным элементом 6. Нагреватель оснащен полой трубкой 8 для регулирования угла расхождения газовой струи, проходящей сквозь сердечник. Одним концом трубка закреплена в корпусе, нагреватель имеет также насадку 9, закрепленную на другом конце трубки в зоне выхода газовой струи из сопла. Термопара расположена внутри насадки с возможностью контактирования с ней, а ее термоэлектроды расположены внутри трубки 8. Нагреватель позволяет регулировать величину теплового пятна, чем достигается качественный и точный разогрев припаиваемого или распаиваемого объекта, не перегревая его. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) щ) В 23 К 3/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A BTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

О ь L.. (1

Фиг./

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЬ(ТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21). 4433722/25-27 (22) 31.05.88 (46) 30.07.90. Бюл . Ф 28 (72) Л.И.Губич и П.И.Рубенчик (53) 621.791.363(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 612756, кл. В 23 К 3/02, 1976. (54) ГАЗОВЫЙ НАГРЕВАТЕЛЬ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И РЕМОНТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

1 (57) Изобретение относится к нагревательным устройствам, в частности к газовому нагревателю, и м.б. использовано прн производстве и ремонте многокристальных полупроводниковых приборов и гибридных интегральных схем (ГИС). Цель изобретения повьппение качества изготовления и ремонта полупроводниковых приборов путем регулирования величины лока

2 ного пятна нагрева. Газовый нагреватель содержит корпус 1, полый наконечник 4, керамический сердечник

5 с .нагревательным элементом 6.

Нагреватель оснащен полой трубкой 8 для регулирования угла. расхождения газовой струи, проходящей сквозь сердечник. Одним концом трубка закреплена в корпусе, нагреватель имеет также насадку 9, закрепленную на другом конце трубки в зоне выхода газовой струи из сопла. Термопара расположена внутри насадки с возможностью контактирования с ней, а ее термоэлектроды расположены внутри трубки 8 ° Нагреватель позволяет регулировать величину теплового пятна, чем достигается качественный и точный разогрев припаиваемого или распаиваемого объекта, не перегревая его. .п.ф-лы, 6 ил.

1581495

Изобретение относится к сварке, в частности к газовым нагревателям.

Цель изобретения - повышение качества изготовления и ремонта много5 кристальных полупроводниковых приборов путем регулирования величины локального пятна нагрева.

На фиг. 1 изображен газовый нагреватель, общий вид, на фиг. 2 — верхняя часть нагревателя, вид сбоку; на фиг. 3 — разрез А-А на фиг. 1, на фиг, 4 — узел I на фиг.l; на фиг. 5 расположение нагревателя при пайке кристаллов; на фиг. 6 — то же, при демонтаже кристалла.

Газовый нагреватель содержит корпус 1 (фиг.1) с токоподводящими шинами 2 и 3, центральным отверстием и отверстием для подвода газа (Фиг,2),20 полый наконечник 4 (фиг ° 1), выполненный иэ кварцевого стекла с соплом на одном конце., закрепленный в

I корпусе полый керамический сердечник 5, расположенный внутри наконечника 4, нагревательный элемент

6 в виде спирали, уложенной в винтовую канавку (не показана) керами-, ческого сердечника 5, и подключенный к шинам 2 и 3, устройство замера температуры нагрева rasa выполненное в виде термопары 7 с термоэлектродами (не показаны), и устройство регулирования размера пятна локальногр нагрева изделия, выполненное. в виде

35 полой трубки 8, проходящей сквозь керамический сердечник 5, одним концом закрепленный с возможностью регулирования в осевом направлении в центральном ртверстии корпуса 1, и насадки 9, закрепленной на. втором конце трубки 8 в зоне выхода газовой струи иэ сопла наконечника 4. Термопара 7. устройства замера температуры расположена внутри насадки 9 с возможностью контактирования с ней (Фиг.4). Нагревательный. элемент 6 расположен на керамическом сердечнике 5 таким образом, что каждый виток спирали смещен относительно предыдущего на угол 15-20 (фиг.3).

Насадка 9 устройства регулирования размера пятна локального нагрева изделия выполнена, например, в виде полусферы (Фиг ° 4).

Нагреватель работает следующим

55 образом.

В отверстии для подвода rasa корпуса 1 (фиг.2) подается газ (аргон, азот) давлением 0,1-0,15 MIIa и расходом 0,1-0,4 м /ч.

На нагревательный элемент 6 через шины 2 и 3 подается напряжение 36 В.

Газ, проходя через витки спирали о

6, нагревается до 700-800 С и, выходя из сопла наконечника 4, обтекает насадку 9, образуя пятно локального нагрева изделия определенного размера.

Для изменения размера пятна локального нагрева изделия (фиг.5 и 6) 8еобходимо переместить насадку 9 в осевом направлении от сопла наконечника

4. При удалении насадки 9 от сопла размер пятна локального нагрева уменьшается (фиг.5), а при приближении— увеличивается (фиг.6) .

Перемещение насадки 9 осуществляется за счет перемещения в осевом направлении трубки 8 в корпусе 1.

В процессе присоединения (пайки) кристаллов 10 (фиг. 5,6) к подложке ll расположение газовых нагревателей может быть односторонним (фиг.5) или двусторонним (не показано), когда второй нагреватель расположен симметрично первому. В обоих случаях они располагаются под углом 30-45 в связи с тем, что инструмент 12 для посадки кристаллов не позволяет подать струю газа вертикально вниз в зону присоединения,. В этом случае .(при з расположении нагревателя под углом к месту присоединения) струя нагретого газа обтекает кристалл 10 и зону присоединения на подложке 11, pasoгревая их, и инструментом 1 2 производят присоединение кристалла 10.

При демонтаже кристалла 10 (фиг.6) струя газа подается вертикально, разогревая кристалл 10 и зону присоединения на подложке 11, после чего инструментом 12 кристалл 10 сдвигается с подложки 11.

Применение газового нагревателя позволит более*качественно и точно разогреть в изделии то место, где необходимо произвести технологическую операцию присоединения или демонтажа электронных компонентов, не опасаясь превысить границы зоны локального нагрева и перегрева изделия °

1 ф

Формула изобретения

1 .Газовый нагреватель для изготовле— ния и ремонта полупроводниковых при2. Нагреватель по п. 1, о т л ич а ю щ и и с. я тем, что насадка выполнена в виде полусферы.

3. Нагреватель по пп. 1 и 2, о тл и ч а ю шийся тем, что он снабжен термопарой, размещенной внутри насадки с возможностью контактирования с ней, а термоэлектроды термопары расположены в трубке. !

5 1581 495 6 боров, содержащий корпус с токоподво- ния газовой струи из сопла, трубка дящими шинами, закрепленный в корпу- установлена в корпусе с возможностью се наконечник с соплом, установлен- осевого перемещения в жаропрочном ный в наконечнике полый жаропрочный сердечнике.

5 сердечник с намотанным на нем спиральным нагревателем, соединенным с токо= подводящими шинами, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения качества изготовления и ремонта многокристальных, полупров одниковых приборов пу тем р егулиров а ния в еличкны локального пятна нагрева, он снабжен полой трубкой с насадкой на конце для регулирования угла расхождеГпд

1581495

Составитель E. Хохрина

Техред А,Кравчук

Корректор М.Кучерявая !

Редактор Л.Веселовская

Заказ 2055 Тираж 646 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101