Пространственно-временной модулятор света
Изобретение относится к технической физике. Цель изобретения - увеличение дифракционной эффективности, уменьшение управляющих напряжений, расширение спектрального диапазона и мощности модулируемого излучения. Пространственно-временной модулятор света содержит пластину кристалла среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, с прозрачным электродом, нанесенным на нее с одной стороны, и диэлектрическим зеркалом - с другой, пластину фотополупроводника с прозрачным электродом с одной стороны и источник электрического напряжения, подключенный к прозрачным электродам. Для достижения цели в модулятор введена стеклянная металловолоконная шайба, которая металлическими жилами приклеена к пластине электрооптического кристалла со стороны диэлектрического зеркала и к пластине фотополупроводника со стороны свободной поверхности. Металлические жилы шайбы выступают над поверхностью ее стеклянного тела на расстояние, не меньшее толщины оптического клея, а диаметр жил и шаг их заполнения в стеклянной шайбе меньше минимального периода пространственной решетки информативного сигнала. 1 ил.
СОЮЗ COBETCHHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU „„1594478 (51)5 6 02 Р 1/03
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ вЂ” 1ц л,с н б
i „ м ) "с н1
ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
1 (2!) 4468559/24-25 (22) 25,07,88 (46) 23.09.90, Бюл. ¹ 35 (72) А,А,Бережной и Т.Н.Шерстнева (53) 535. 8 (088. 8) (56) Бережной А.А, и др. Пространственно-временные электрооптические модуляторы .света для систем оптической обработки информации, ОМП, 1984, № ll с. 52, Андрианова И.И, и др, Исследование устройства записи изображений на основе кристалла магнониобата свинца, -Квантовая электроника, 1975, т. 2, ¹ 1, с. 152-155, (54) ПРОСТРАНСТВЕННО-ВРЕМЕННОЙ МОДУЛЯТОР СВЕТА (57) Изобретение относится к технической физике. Цель изобретенияувеличение дифракционной эффективности, уменьшение управляющих напряжений, расширение спектрального диапазона и мощности модулируемого излучения, Пространственно-временной моду.1
Изобретение относится к технической физике, а именно к устройствам управления оптическим излучением для целей оптической обработки информации, и может быть использовано для записи и ввОда в реальном масштабе времени двумерных изображений в когерентно-оптические системы обработки и нфор м ации, 2 лятор света содержит пластину кристалла среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, с прозрачным электро" дом, нанесенным на нее с одной стороны, и диэлектрическим зеркалом — с другой, пластину фотополупроврдника с прозрачным электродом с одной стороны и источник электрического напряжения, подключенный к прозрачным элек- тродам. Для достижения цели в модулятор введена стеклянная металловоло! конная шайба, которая металлическими ,I жилами приклеена к пластине электрооптического кристалла со стороны диэлектрического зеркала и к пластине фотополупроводника со стороны свободной поверхности. Метаплические жилы шайбы выступают над поверхностью ее стеклянного тела на расстояние, не С. меньшее толщины оптического клея, а диаметр жил и mar их заполнения в стеклянной шайбе меньше минимального периода пространственной решетки информативного сигнала. 1 ил, Ж
Целью изобретения является увеличение дифракционной эффективности, уменьшение управляющих напряжений, .расширение спектрального диапазона и мощности модули ру е мо го и э., 1 уч е ния, На чертеже представлена схема модулятор а.
Пространственно-временной модулятор содержит пластину крист;лла 1
1594478
30 среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, на одну поверхность которого нанесены прозрачный электрод 2, а на
5 другую — диэлектрическое зеркало 3 и слой фотополупроводника 4 с.прозрачным электродом э, Эти пластинь! приклеены с двух сторон к стеклянной шайбе 6 с впаянными металЛическими жткча- 0 ми 7.
Модулятор работает следующим образом.
Темновое сопротивление слоя фотэ- полупроводника выбирается так, что в отсутствие записывающего (информативного) изображения на слое фотополупроводника все напряжение от внешнего источника падает на этом слое, т,е. напряжение на кристалле в этом 2О случае отсутствует. При проектировании изображения на поверхность фотополупроводника его сопротивление пространственно модулируется в соответст-. вии с пространственным распределением 25 интенсивности света в изображении, Это приводит к тому, что на кристалл попадает напряжение от внешнего источника тем больше, чем больше интенсивность света в данной точке изображения.
Напряжение на кристалл попадает локально ч ерез металлические жилы стек-лянной шайбы, т. е. электрический потенциал на,поверхности кристалл.а име35 ет дискретную структуру в отличие от структуры самого изобра кения. При этом величина локального потенциала, приложенного к кристаллу, зависит от интенсивности света в данной точке записываемого изображения, а электрическое поле в объеме кристалла существенно неоднородное, но с круговой симметрией, Так как срез кристалла в устройстве соответствует максимальному 45 поперечному электростатическому эффекту, то изменение показателя преломления в этом кристалле наблюдается только за счет поперечных составляющих поля. Поэтому в данном случае изменение двупреломления кристалла происход т только sa счет затяжки электрического поля за геометрические размеры жилы шайбы, В связи с этим диаметр жилы в шайбе выбирается минимально возможным, 55
В пределе наиболее выгодным следует считать тсчечный контакт жилы с поверхностью кристалла. Для передачи фрагментов информативного изображения без искажений шаг заполнения штырей в шайбе должен быть меньше, чем минимальная пространственная частота, содержащаяся в этом фрагменте, Только в этом случае отсутствуют потери информации в процессе пространственной модуляции. При этом, так как информативное изображение передается, на поверхность кристалла в виде дискретного значения потенциала значительно меньшего размера, чем период информативной решетки, то ориентация векторов этой решетки в этом изображении для его последующего воспроизведения .при считывании не имеет зйачения. Кроме того, за счет дискретизации электрического потенциала появляется возможность воспроизведения нулевых пространственных частот, Формул а из обретения
Про с тр ан ств енно-вр е ме иной модулятор света, содержащий пластину кристалла среза, соответствующего максимальному поперечному электрооптическому эффекту, с прозрачным электродом, нанесенным на нее с одной сторо- . ны, и диэлектрическим зеркалом — с другой, пластину фото полупроводника с прозрачным электродом с одной стороны и источник электрического напряжения, подключенный к прозрачным электродам, о т.л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, уменьшения управляюп;их напряжений, расширения спектрального диапазона и мощности модулируемого излучения, в него дополнительно введена стеклянная металловолоконная шайба, которая металпическими жилами приклеена к пластине электрооптического кристалла со стороны диэлектрического зеркала и пластине фотополупроводника со стороны свободной поверхности, причем металлические жилы шайбы выступают над поверхностью ее стеклянного тела на расстояние, не меньшее, чем толщина оптического клея, а диаметр жил и шаг их заполнения в стеклянной шайбе выбраны меньше минимального периода пространственной решетки информативного сигнала.
1594478
Составитель А. Парфенов
Техред М.Дидик
Редактор М,Бланар
Корректор 0,Öèóù
Заказ 2827 Тираж 466 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/S
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
