Бистабильная ячейка

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для электронной коммутации низкоомных электрических цепей. Цель изобретения - расширение области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки. Цель достигается тем, что в устройство введены второй вход 13 управления, третий и четвертый транзисторы 5 и 7 разных типов проводимости, конденсатор 11 и тиристор 10. Внешняя нагрузка 12 включается между шиной 9 питания и эмиттером второго транзистора 2. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (g1)g Н 03 К 3/286

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ )rgb

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO.ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4468507/24-21 (22) 29.07.88 (46) 07.10.90. Бюл. Р 37 (71) Институт сильноточной электроники СО АН СССР (72) В.Т.Шкатов (53) 621.374 (088.8)(56) Авторское свидетельство СССР

В 1257810, кл. Н 03 К 3/286, 1986.

Авторское свидетельство СССР

У 1338014, кл. Н 03 К 3/295, 1987. (54). БИСТАБИЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА (57) Изобретение относится к импульс„„Я0„„1598126 A 1

2 ной технике и может быть использовано в устройствах для электронной ком" мутации низкоомных электрических цепей. Цель изобретения — расширение области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки.

Цель достигается тем, что в устр< йство введены второй вход 13 управления, третий и четвертый транзисторы 5 и 7 разных типов проводимости, конденсатор 11 и тиристор 10. Внешняя нагрузка 12 включается между риной 9 питания и эмиттером второго транзистора

2 ° 1 ил.

1598126

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для электронной коммутации низкоомных электрических цепей.

Цель изобретения - расширение области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки.

На чертеже приведена схема устройства. 10

Устройство содержит первый транзистор 1- первого типа проводимости, второй транзистор 2 второго типа проводимости, соединенные перекрестными коллекторно-базовыми связями и образующими аналог р — n — - р — иструктуры, первый и второй резисторы 3 и 4, шунтирующие эмиттерные перехоДы указанных транзисторов, третий транзистор 5 первого типа прово- 20 димости, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, а база соединена с первым входом 6 управления, четвертый транзистор 7 25 второго типа проводимости, эмиттерный переход которого соединен через третий резистор 8 с шиной 9 питания, коллектор соединен с анодом тиристора 10 и через конденсатор 11 — с базой первого транзистора 1, а база— с эмиттером второго транзистора 2 и выводом нагрузочного элемента 12.

Управляющий электрод тиристора 10 соединен с вторым входом 13 управления, катод тиристора 10 соединен с эмиттерами первого 1 и второго 2 транзисторов и с общей шиной 14.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы

1, 2, 5, 7 и тиристор 10 закрыты, конденсатор 11 не заряжен, схема, почти не потребляет тока. При подаче положительного управляющего им 45 пульса на вход 6 транзистор 5 открывается и устанавливает транзисторы

1 и 2 аналога в проводящее состояние, которое самоподдерживается.

Через нагрузочный элемент 12 идет ток. Падением напряжения на нагрузоч50 ном элементе 12 открывается транзистор 7, через него и резистор 8 заряжается конденсатор 11 ° При подаче на вход 13 положительного управляющего импульса тиристор 10 срабатывает и разряжает конденсатор на резистор 3 и управляющий переход транзистора 1. Так как ток разряда в этой цепи направлен против первоначального, то транзисторы 1 и 2 аналога запираются, ток в нагрузке прекращается, транзистор 7 закрывается, тиристор 10 выключается при окончании разряда конденсатора 11 через резистор

3. Схема возвращается в исходное состояние.

Предлагаемое устройство может быть реализовано на различных парах транзисторов в аналоге р-и-р-и-структуры от слаботочных до мощных, может работать при токе в нагрузке 1-100 А, при напряжении питания 10-1000 В, частоте переключения входных сигналов менее 10 кГц и обеспечивает фронт и спад импульса тока в активной нагрузке 0,1-1 мкс. Возможно использование предлагаемого устройства в качестве частотного размыкателя цепей с индуктивной нагрузкой.

Формула изобретения

Бистабильная ячейка, содержащая первый и второй транзисторы первого и второго типов проводимости, нагрузочный элемент, первый вход управления, общую шину и шину питания, первый и второй транзисторы образуют аналог р-п-р-п-структуры, база второго транзистора соединена через первый резистор с его эмиттером, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью расширения области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки, в нее введены второй вход управления, третий транзистор первого типа проводимости, четвертый транзистор второго типа проводимости, конденсатор, тиристор, второй и третий резисторы„ коллектор и эмиттер третьего транзистора соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, база третьего транзистора соединена с первым входом управления, база первого транзистора через второй резистор подключе- на к эмиттеру первого транзистора, к катоду тиристора и к общей шине, а через конденсатор — к точке соединения анода тиристора и коллектора четвертого транзистора, база которого подключена к эмиттеру второго транзистора и первому выводу нагрузочного элемента, второй вывод которого соединен с шиной питания и первым выводом третьего резистора, вто1598126 6 равляющий электрод тиристора подключен к вто рому входу управления. рой вывод которого подключен к эмиттеру четвертого транзистора, а упСоставитель П,Бестемьянов

Техред Л.Олийнык Корректор С.Шекмар

Редактор А.Мотыль

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 Заказ 3069 Тираж 663 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5