Патент ссср 161074

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

OIINCAHNE

ИЗОБРЕТЕНИЛ

K АВТОРСКОМУ СВИАВТВЛЬСТВУ № 161074

Класс

21g, 11вв

+ъ "„-" ь "",, 1 iles====

МПК

Н О11

Заявлено 15.Х.1962 (¹ 798839/26-9) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликовано 09.1 1 l.1964. Бюллетень № 6

УДК

Г е

Подписная группа № 82

И. И. Паталах, И. М. Кустанович и Л. С. Полак с.-:

СПОСОБ СОЗДАНИЯ р — и ПЕРЕХОДОВ

Известны способы создания органических полупроводниковых материалов с определенным типом проводимости за счет введения в них в качестве примеси атомов металла.

Предложен способ создания р — п переходов на органических и неорганических полимерных полупроводниковых материалах, основанный на использовании различия знаков носителей тока в поверхностном слое и объеме этих полимеров.

Способ осуществляется следующим образом.

Поверхность пслимерного полупроводникового образца освобождается от адсорбированных веществ (например, прогревом в вакууме), на свободную от адсорбции поверхность накладывается электрод так, чтобы поверхность полупроводникового материала с электродом была надежнс защищена от адсорбции, после чего на незащищенный участок образца адсорбируют вещество (например, кислород, йод, бром), имеющее противоположный объемному тип проводимости, в результате чего образуется р — и переход на этом участке. На участке с противоположным типом проводимости создается омический контакт.

Предлагаемый способ получения р — и перехода в полимерных полупроводниковых материалах дает возможность применять эти материалы в качестве радиотехнических деталей, работа которых основана на использовании свойств р — n перехода.

Предмет изобретения

Способ создания р — и переходов на органических и неорганических полимерных полупроводниковых материалах, основанный на использовании различия знаков носителей тока в поверхностном слое и объеме этих полимеров, отличающийся тем, что, с целью использования указанных материалов для изготовления полупроводниковых приборов, поверхность полимерного полупроводникового образца очищают от адсорбированного слоя примесей одним из известных способов (например, прогревом в вакууме), на участке очищенной поверхности создают омический контакт, электрод которого защищает поверхность соприкосновения от адсорбции примесей. на незащищенный участок образца адсорбируют вещество, имеющее противоположный объемному тип проводимости, после чего на участке с противоположным типом проводимости создают смический контакт.

Патент ссср 161074 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству мощных полупроводниковых приборов-транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов с высоковольтными p-n-переходами
Наверх