Способ изготовления полупроводниковыхструктур

 

26529!

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

3 аявлено 08.1.1965 (№ 937152/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК Н 01l

УДК 621.315.592.002.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Опубликовано 09.111.1970. Бюллетень ¹ 10

Дата опубликования описания 16Х1.1970

Автор изобретения

С. Ф. Каусов

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Известен способ изготовления полупроводниковых структур с р — и-переходом малой площади (меза-структур), а также многоэлементных схем с несколькими р — и-переходами путем травления пластины полупроводника с уже созданным p — и-переходом большой площади с применением фотолитографии.

Предложенный способ отличается от известного тем, что защитные покрытия наносят на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, попарно смещенных относительно друг друга и частично перекрывающих друг друга, а затем проводят двустороннее травление пластины полупроводника на глубину., превышающую глубину залегания р — n-переходов. Это позволяет упростить изготовление омических контактов с р — и-переходом малой площади.

Предложенный способ заключается в следующем.

На пластине полупроводника любым известным способом создают р — и-переход большой площади. Чтобы получить омические контакты, проводят металлизацию поверхностей пластины, затем с двух сторон пластины полупроводника наносят защитные покрытия в виде ряда локальных участков заданной конфигурации. На противоположных поверхностях пластины соответствующие защитные участки попарно смещены относительно друг друга и частично перекрывают друг друга.

После этого осуществляют химическое травление незащищенных участков пластины с

5 двух сторон на глубину, превышающую глубину залегания р — и-перехода. У полученных структур площадь омпческих контактов более чем в десять раз превышает площадь p — n-переходов.

10 Предложенным способом можно также изготовлять многоэлементные схемы с несколькими р — и-переходами. Для этого на противоположные поверхности пластины полупроводника указанным путем наносят защитные по15 крытия заданного рисунка, соответствующего электрической схеме, после чего проводят описанную химическую обработку пластины.

Предмет изобретения

20 Способ изготовления полупроводниковых структур с р — и-переходом малой площади, а также многоэлементных схем, содержащих несколько р — n-переходов, путем травления пластины полупроводника с р — и-переходом

25 большой площади, созданным на ней любым известным способом, с использованием локальной защиты от травления, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омических контактов р — n-переходом

ЗО малой площади, защитные покрытия наносят

265291

Редактор Б. Б. Федотов Техред А. А. Камышникова Корректор В. Трутнев

Заказ 1600/16 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва %-36, Раушская наб., д. 4, 6

Типография, пр, Сапунова, 2 на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, попарно смещенных относительно друг друга и частично перекрывающих этого проводят травление водника с двух сторон на ющую глубину залегания друг друга, после пластины полупроглубину, превышар — n-переходов.