Высокочастотный спектрометр
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 06.VI.1962 (№ 781276/23-4) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.XI.1964. Бюллетень № 22
Дата опубликования описания 25.1.1965
Кл. 421 4гв
МПК G Oln
УДК
Государственный комитет по делам изобретений н открытий СССР
Автор изобретения
Б. И. Шабад
Заявитель
ВЪ|СО КО ЧАСТОТНЫ и Сп ЕКТРОМЕТР
I.G поля препятствует катод 8, понизирует MOлекулы газа. Под воздействием постоянного магнитного поля и вращающегося электрического поля, образованного двумя парами пластин 1, ионы описывают вокруг пучка электронов спиральные траектории в плоскостях, перпендикулярных магнитному полю.
При этом знак резонансных ионов, собираемых на коллекторе 4, определяется направле10 нием вращения электрического поля.
15 Высокочастотный спектрометр, содер>кащий камеру, помещенную в постоянное магнитное поле, источник электронов, две пластины, на которые подается переменное высокочастотное электростатическое поле, и коллектор ионов, 20 отличающийся тем, что, с целью раздельной селекции положительно н отрицательно заряженных частиц, камера спектрометра снабжена дополнительной парой пластин, на которые подается переменное напря>кение, сдвинутое
25 по фазе на — так, что внутри камеры пер2 пендикулярно магнитному полю создается вращающееся электрическое поле, направление вращения которого определяет знак резо30 нансных ионов.
Подписная группа № 50
Известен высокочастотный масс-спектрометр, так называемый омеготрон, состоящий из камеры, помещенной в постоянное магнитное поле, источника электронов, двух пластин, к которым приложено переменное высокочастотное электростатическое поле, и коллектора ионов. Применение омеготрона ограничивает возможность раздельного измерения концентраций поло>кительно и отрицательно заряженных ионов, образующихся в исследуемом образце газа.
В предлагаемом высокочастотном спектрометре камера снабжена дополнительной парой пластин, на которые подается переменное напряжение, сдвинутое по фазе на — по срав-2 нению с напряжением, подаваемым на первую пару пластин.
Основные элементы прибора изображены на чертеже.
В замкнутом пространстве в вакууме ортогонально расположены постоянное магнитное поле и переменное электростатическое поле
E sin ы1, приложенное к пластинам 1. Ортогонально первой паре пластин 1 расположена вторая пара пластин 2 с переменным электрог. статическим полем Е sin(tet + — ).
Очень тонкий пучок электронов, движению которых параллельно направлению магнитноПредмет изобретения
166533
Гедактор dr. Г. Герасимова Техред А. Кудрявицкая Корректор О. И. Попова
Заказ 3691/14;Тираж 850 Формат бум. 60+90>/< Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр, Сапунова, 2
