Патент ссср 166759

 

О П И С А Н И Е 166759

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Kä 21а4, 71

21g, 11о

Заявлено 04.III.1963 (№ 822774/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.Х11,1964. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 11.1.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК О 01г

Н 011

УДК (Ъ вЂ” ч

- —.с, --> ЛОТ," Т ó, БКВЛ,",, Автор изобретения

С. М. Пшеничников

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ TPИОДОВ

Подписная аррпла Л3 142

В известных способах измерения времени выключения полупроводниковых триодов на базу открытого триода, включенного по схеме с заземленным эмиттером, подают запирающие импульсы и определяют изменение амплитуды выходных импульсов, снимаемых с коллекторной нагрузки, например, при помощи осциллографа.

В предложенном способе измерения времени выключения полупроводниковых триодов повышение точности измерения достигается модуляцией запирающих импульсов по длительности и измерением амплитуды выходных импульсов по глубине их амплитудной модуляции, что исключает ошибки, связанные с погрешностью, вызываемой разбросом тока насыщения триода.

Блок-схема устройства для измерения времени выключения триодов по описываемому способу приведена на чертеже.

На базу испытуемого триода 1, включенного по схеме с заземленным эмиттером, от источника постоянного тока 2 подается напряжение, поддерживающее триод 1 в открытом состоянии. Запирающие импульсы, промодулированные по длительности посредством широтного модулятора 3, подаются на базу триода 1 от генератора 4, Выходные импульcbl, снимаемые с коллекторной нагрузки 5, падаются на измеритель б глубины амплитудной модуляции, соединенный с модулятором 8. Питание коллекторной цепи триода 1 осуществляется от источника постоянного тока 7. По глубине амплитудной модуляции сигналов, снимаемых с нагрузки 5, опреде5 ляют скорость выключения триода 1, так как глубина модуляции при длительности запирающих импульсов меньшей длительности времени выключения триода, пропорциональна этому времени.

10 При применении описанного способа исключается ошибка, связанная с изменением тока насыщения испытуемых триодов, так как отсчет ведется по разности амплитуд тока коллектора, а не по их абсолютной ве15 личине.

Способ может быть использован в установках для контроля импульсных параметров полупроводниковых триодов.

Предмет изобретения

Способ измерения времени выключения полупроводниковых триодов, основанный на подаче на базу триода, включенного по схеме с заземленным эмиттером, запирающих

25 импульсов и определении изменения ампличуды выходных импульсов, снимаемых с коллекторной нагрузки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, запирающие импульсы модулируют по длительЗ0 ности, а измерение амплитуды выходных имподаются на измеритель б глубины амплитудной модуляции.!

66759

Составитель 3. С. Кучейнин

Редактор Н. С. Коган Техред 1О. В. Баранов Корректор Т, С. Дрожжина

Заказ 3592/14 Тираж 925 Формат бум. 60;к.90 /8 Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретении и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 166759 Патент ссср 166759 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх