Магнитный элемент памяти

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 17.V1.1963 (№ 842588/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.1.1965. Бюллетень ¹ 1

Кл. 42m, 140

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР

МПК б 061

УДК 681.142 (088.8) Дата опубликования описания 1.II.!965

Автор изобретения

Д. Г. Нисневич

Заявитель

МАГН ИТН Ы и ЭЛ ЕМЕНТ ПАМЯТИ

Известны магнитные элементы памяти на двух трансфлюксорах. Такие элементы содержат обмотку записи, обмотку опроса, проходящую согласно через малые отверстия обоих трансфлюксоров, и две выходные обмотки, опрашивающие соответственно малые отверстия первого и второго трансфлюксоров.

Предлагаемый элемент памяти отличается от известных тем, что он имеет обмотку записи «О», прошивающую согласно оба трансфлюксора, обмотку записи «+1», охватывающую магнитопровод вокруг большого отверстия первого трансфлюксора, обмотку записи

« вЂ” 1», прошивающую большое отверстие второго трансфлюксора, и общую выходную обмотку, образованную встречно включенными выходными обмотками обоих трансфлюксоров.

Это позволяет использовать предлагаемыи элемент в качестве троичного. Бл агодаря встречному включению выходных обмоток, компенсируется «помеха» при записи логического «О». При использовании элемента в двоичном режиме возможно получить активный сигнал «О».

На фиг. 1 и 2 изображены различные варианты описываемого элемента.

Элемент выполнен на двух трансфлюксорах 1 и 2. Обмотка 8 записи «О» прошивает согласно оба трансфлюксора; обмотка 4 заПодписная группа № 174

2 писи «+1» проходит через большое отверстие трапсфлк>ксора 1, а обмотка б записи « вЂ” 1» проходит через большое отверстие трансфлюксора 2. Обмотка б опроса пронизывает согласно малые отверстия трансфлюксоров.

Выходные обмотки 7 и 8 обоих трансфлюксоров включены встречно и образуют общую выходную обмотку 9 элемента.

Трансфлюксоры 1 и 2 могут быть выполнены на общей пластине 10 (фиг. 2) из материала с ППГ с двумя большими и двумя малыми отверстиями.

При записи «О» по обмотке 8 подают сигнал, блокирующий оба трансфлюксора. Запись «+1» производят подачей импульса по обмотке 4. При этом трансфлюксор 1 переходит в разблокированное состояние. Запись

« вЂ” 1» осуществляют подачей импульса по обмотке б, который переводит в разблокирован20 нсе состояние трансфлюксор 2.

При воспроизведении по обмотке б опроса подают сигнал и затем снимают выходной си гн ал с об мотки 9.

Выходные сигналы «+1» и « вЂ” 1» различа2 ются полярностью. При воспроизведении

«О» выходной сигнал отсутствует.

Предмет изобретения

Магнитный элемент памяти, выполненный

30 на двух трансфлюксорах, содержащий обмот167358

Составитель А. Соколов

Техред А. А. Камышникова Корректор О. И. Попова

Редактор П. Шлаин

Заказ 3740/12 Тираж 900 Формат бум. 60)(90 /в Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государе венного комитега по делам изобрезений и открытий СГГР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ки записи, общую обмотку опроса, прошивающую согласно малые отверстия обоих трансфлюксоров, и две выходные обмотки, прошивающие соответственно малые отверстия первого и второго трансфлюксоров, отличающийся тем, что, с целью получения троичного элемента, он содержит обмотку записи «0», прошивающую согласно оба трансфлюксора, обмотку записи «+1», пропущенную через большое отверстие первого трансфлюксора, обмотку записи « вЂ” 1», проходящую через большое отверстие второго трансфлюк5 сора, и общую выходную обмотку, образованную встречно включенными упомянутыми выходными обмотками.