Многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C11/08)

G   Физика(403185)
G11C     Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)
G11C11/08                     Многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти ( G11C11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C11/06)(162)
 
.
Наверх