G11C11/08 Многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти ( G11C11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C11/06)(162)