Способ получения диодных матричных и полосовых структур

Авторы патента:

G11C11/36 - диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов

1683 29

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Ф Ф

// д/)1/i,/

Кл. 42m, 14а у, т 42m, 4оз

21a>+.6 8 . g/,; ./ф ч21ф 75

2 )4 1 102

МПК GО f р/" /

G 6f

Н 31;

01п ф. / / -

01l

УДК 682.142.659 (088.8)

621.374 (088.8)

621.314.63/64 (088.8) Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29,Х11.1962 (№ 811802/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 1811.1965. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 26.П.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Авторы изобретения

В. И. Савченко и С. Л. Сидоренко

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ

ДИОДНЫХ МАТРИЧНЫХ И ПОЛОСОВЫХ СТРУКТУР

Предмет изобретения

Подписная группа JN 174

Известны способы получения диодных структур с большой плотностью диодов в единице объема.

Предлагаемый способ получения диодных матричных и полосовых структур отличается тем, что для получения диодных структур непосредственно из пластины германия электролитическим прорезанием образуют лунки в и-слое исходной пластины диффузионного п-р-п-германия, затем осаждают металл, на- 10 носят изолирующий рисунок шин и травлением формируют матричную диодную структуру, в которой холостые перекрестия шин заполнены квазиизолирующими столбиками

n-p-n-германия. 15

Сущность способа заключается в следующем, Исходную пластину германия подвергают двусторонней диффузии из пара $Ь в атмосфере водорода при температуре 850 С.

После этого в полученной и-р-и-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением и-слоя в соответствую- 2S щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 вЂ” 90 мм, 30

Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин

0,8 вЂ” 0,9 мм) . Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока j=0,1 вЂ” 0,15 а/см2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а пластину помещают на химическое растворение германия в кипящий 300/0-ный раствор Н20 с добавкой

Na0H и травят до тех пор, пока германий не останется лишь в виде столбиков на холостых перекрестиях шин. Контроль процесса вЂ” визуальный.

Таким образом, получается миниатюрная диодная матрица, представляющая собой две взаимно перпендикулярные системы параллельных шин, в узлах которых расположены диоды, а холостые перекрестия заполнены квазиизолирующими столбиками и-р-и-германия. Плотность расположения диодов в матрице составляет 250 вЂ” 300 диодов в куб. см. Полосовую структуру получают разрезанием матриц.

Способ получения диодных матричных и полосовых структур, отличающийся тем, что, с целью получения диодных структур непосред168329

Составитель А. Соколов

Редактор Л. М. Жаворонкова Техред А. А. Кудрявицкая Корректор T. С. Дрожжина

Заказ 3803/15 Тираж 900 Формат бум. 60 X 90 /s Овъем О,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ственно из пластины германия, электролитическим прорезанием образуют лунки в и-слое исходной пластины диффузионного и-р-п-германия, осаждают металл, наносят изолирующий рисунок шин и травлением формируют матричную диодную структуру, в которой холостые перекрестия шин заполнены квазиизолирующими столбиками п-р-п-германия.