Способ изготовления матриц из пленочных диодов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l2335l

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Кл. 42m, 32

Заявлено 16.V1,1958 (Л 601S93/26) с присоединением заявки М

ЧПК G 06с

Приоритет

Опубликовано 17.Х1.1966. Бюллетень М 23

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК

Дата опубликования описания 1.1.1967

Авторы изобретения

В. Б. Толутис и Ю. К. Пожела

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ИЗ ПЛЕНОЧНЫХ ДИОДОВ

Известные способы изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных устройств, характеризуются сложной технологией производства и не дают возможности получать многослойные матрицы с большой плотностью точек.

Для устранения указанных недостатков предлагается наносить пленки диодов одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например на анодированный алюминий, и получать их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме, На фиг. 1 изображена принципиальная схема матрицы, получаемой по предлагаемому способу; на фиг. 2 и 3 — схема нанесения электродов на подложку.

Матрица представляет собой прямоугольную сетку электродов, места пересечения которых представляют собой диоды. Выпря «ляющую ячейку — диод составляют тонкие металлические слои а, и b, и тонкий слой полупроводника между ними. Металлы подобраны так, что в контакте одного из них с полупроводником возникает запирающий слой, который и обуславливает выпрямляющие свойства такой ячейки. В общем случае диодная ячейка может быть и более сложной, например, она может состоять из двух металлических электродов и двух или даже из трех полупроводниковых слоев между ними.

Матрица изготовляется путем нанесения друг на друга соответствующих веществ испарением в вакууме через трафареты на непро водящую подложку 1. В качестве подложки для матрицы служит анодированный алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро10 дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода — алюминий илн магний. Нанесение электродов и

lS селена производится в вакууме порядка

10 4 — 10 . лтм рт. ст. через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по20 лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюм1шня, селен наносится поперечными полосками 3 (фиг. 3).

Во время напыления селена температура подложки поддерживается в пределах 60—

25 70-"С. После напыления селена подложка помещается в печь, в которой. она прогревается при 200 — 210 С около 30 мин. желательно нагревать и охлаждать подложку постепенно.

После этих операций поверхность селена

30 должна иметь мелкокристаллическую ровнро

123351 7(//

//

/ // "/

// 4 г 3

Фиг. /

Уиг. 2

Редактор P. Киселева Техред А. А. Камышникова Корректоры: С. Н. Соколова и В. В. Крылова

Заказ 390672 Тираж 1075 Формат бум. 60Х90 /з Объем 0,16 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 поверхность. Второй электрод наносится полосками на селен поперек полосок нижнего электрода. Если вторым электродом является алюминий или магний, то этим процесс изготовления матриць1 кончается. Когда вторым электродом является золото или платина, то1 после нанесения этого электрода матрица прогревается в печи 15 мин при 200 — 210 С, Толщина электродов может не превышать нескольких десятых микрона. Толщина слоя 10 селена выбирается в зависимости от режима работы. В общем случае она не превышает

15 — 20 мм. Для крепления проводов на концы электродов испарением в вакууме или шопированием наносится слой олова, свинца или 15 висмута, В случае шопирования можно применять сплав Вуда или Розе. Наносимый слой не должен касаться отверстий. Через отверстие пропускается многожильная изолированная проволока диаметром в 0,12 — 0,15 мм с залуженным концом, который и припаивается сплавом Вуда или Розе к утолщенным местам электродов.

Предмет изобретения

Способ изготовления матриц из пленочных диодов, предназначенных для вычислительных устройств, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и получения сложных многослойных матриц с большой плотностью точек, пленки диодов наносят одна на другую на изолирующую основу с микрорельефом, например анодированный алюминий, и получают их испарением соответствующих веществ, например золота и кристаллического селена, в вакууме.