Детектор на полупроводниковом диоде

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.VI11.1963 (¹ 853988j26-9) Кл. 21а>, 42 с присосдинением заявки ¹

Приоритет

МГЭИК Н ОЗЙ

УДК 621.376.2 (088.8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Опубликовано 18,Н,1965. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 15.III.19б5

Лвтор изобретения

Г. A. Дер

Заявитель

ДЕТЕКТОР НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ДИОДЕ смещая тем самым и рабочую точку детектора с участка А на участок Б. При выходе рабочей точки па участок Б процесс детектирования аналогичен работе ооычных детектороь, 5 при котором на нагрузке 2 происходит падение напряжения пульсирующего характера, а амплитуда пульсаций меняется по закону мод ляции.

Напряжение пульсаций сглаживается емко10 cTblo 8 >< D форме c» ггала модуляции nr;,tгается а вход последующего каскада.

ОТД мокино использовать так же как второй детектор для автоматической регулировки усиления, так как прп высоком ровне вход15 ного сигнала рабочая точка ОТД смещается правее участка Б и коэффициент передачи . адает.

Детектор на полупроводниковом диоде, цепь нагрузки которого шунтирована емкостью фильтра, от гика;ои,ийся тем, что, с целью повышения его чувствительности и использова25 ния в качестве второго детектора без внешнего источника смещения, в качестве упомянутого диода использован «обращенный» туннельный диод.

Подписная гру г>га И 89

Описываемый детектор на полупроводниковом диоде по сравнению с известными обладает повышенной чувствительностью и может быть также использован в качестве второго детектора без внешнего источника смещения.

Это достигается тем, что в качестве детектора используется «обращенный» туннельный диод (ОТД).

На фиг. 1 изображена эквивалентная схема описываемого детектора; на фпг, 2 — характеристика туннельного диода: а — обычного (ТД), б — «обращенного» (ОТД), Входной сигнал подается на катод «обращенного» туп диода 1, анод которого подключен и сопротпвленшо нагрузки 2, шупгнровапной емкостью 3.

При подаче на вход детектора высокочастотного сигнала в положптельньгй полупериод через емкость 4 диода 1 протекает ток, при этом омическое сопротивление 5 диода 1 возрастает, При отрицательном полупериоде входного сигнала ток через емкость 4 протекает в обратном направлении, но величина сопротивления 5 диода 1 резко падает. В результате возникающий разностный ток протекает через емкость 4 только в одном направлении и через несколько первых периодов входного сигнала происходит заряд емкости 4, Предмет пзобретенпя

Составитель Й. Белоуеой

Редактор Л. Струве Техред А. А. Камышникова Корректор Ю. М. Федулова

Заказ 288/14 Тираж 600 Формат бум. 60+90 /з Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр. пр, Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Детектор на полупроводниковом диоде Детектор на полупроводниковом диоде 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к преобразовательной технике, в частности к детектированию амплитудных значений сигнала

Изобретение относится к устройствам преобразования сигналов для радиоприемных устройств

Изобретение относится к приемникам прямого преобразования для систем связи, таким как портативные сотовые телефоны, беспроводные телефоны, пейджеры и т.д

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к устройствам для детектирования амплитудно-модулированных колебаний, и может быть использовано в приемопередающей и измерительной аппаратуре

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к радиоприемным устройствам

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоизмерительных и радиоприемных устройствах

Изобретение относится к технике СВЧ для детекторного преобразования непрерывных и импульсно-модулированных сигналов

Изобретение относится к способу и системам управления летательными аппаратами с пункта управления, связанным с декодированием сигнала (команд наведения) с широтно-импульсной модуляцией и частотной манипуляцией гармонического колебания (ШИМ-ЧМн) на борту ракеты, применяемым в оптических линиях связи, либо с дополнительной амплитудной модуляцией несущего колебания (ШИМ-ЧМн-АМ) - в аналоговых радиолиниях
Наверх