Элемент памяти

 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающих устройствах на основе МОП-структур с резервированием, в программируемых постоянных запоминающих устройствах, в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной подстройкой напряжения, частоты и коэффициента усиления. Цель изобретения - увеличение выхода годных элементов памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит второй проводящий слой 7 из поликремния. Второй диэлектрический слой 6 являеется туннельно-тонким. Запись информации производится путем его пробоя напряжением, подаваемым на слой 7 и первую диффузионную область 2. Это позволяет совместить технологию изготовления элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 014 А1 (51) 5 С 1! С 17/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

l!Q ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 4627 341/2 4-2 4 (22) 27. 12; 88 (46) 15. 11,90. Бюл. N - 42 (72) Н.И.Хцынский, В.А,Ярандин, В.П. Сидоренко, А.М. Прокопенко, В,А.Талькова и В.В.Рыжкова (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США У 3792319, кл. 365185, опублик. 1974.

Патент США Р 4203158, кл. 365-185, опублик. 1980. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающих устройствах на основе МОП-структур с резервированием, в программируемых

2 постоянных запоминающих устройствах, в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной подстройкой напряжения, частоты и коэффициента усиления, Цель изобретения — увеличение выхода годных эле.ментов памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит второй проводящий слой 7 из поликремния. Второй диэлектрический слой 6 является туннельно-тонким.

Запись информации производится путем

его пробоя напряжением, подаваемым на слой 7 и первую диффузионную область 2, Это позволяет совместить технологию изготовления элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1607014

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающих устройствах на основе МОП-структур с резервированием, в программируемых постоянных запоминающих устройствах, в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной 1ð подстройкой напряжения, частоты и коэффициента усиления.

Целью изобретения является увеличение выхода годных.

На чертеже представлена структура элемента памяти, разрез;

Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, первую 2 и вторую 3 диффузионную области второго типа 2р проводимости, первый диэлектрический слой 4, первый проводящий слой 5, второй диэлектрический слой 6, второй проводящий слой 7. На чертеже обозначены также программирующая шина 8, 25 управляющая шина 9, шина 10 нулевого потенциала.

Для программирования элемента памяти используется пробой туннельнотонкого слоя 6 (исходное сопротивле- > ние элемента 10 кОм, записанное состояние элемента 1,0 — 30 кОм).

Элемент памяти работает следующим образом.

Режим программирования. Пусть элемент памяти не выбран, Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение низкого уровня, между областями 2, 3 канала не образуется, напряжение программирования от программирующей шины 8 не поступает на первую диффузионную область 2. Пробой второго диэлектрического слоя 6 не происхоцит, элементгимяти остается в исходном состоянии (высокое сопротивление), Элемент памяти выбран. Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2» 3 образуется канал, напряжение программирования от программирующей шины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7 и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле55 мент запрограммирован (записанное состояние — низкое сопротивление) .

Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС

РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих элементов в процессе высокотемпературных операций сборки и термополевых обработок: в процессе эксплуатации отсутствие эффекта "зарастания" с течением времени, характерного для плавких перемычек, нечувствительность состояния элемента памяти (пробнт— не пробит) к воздействию радиационных эффектов.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

1, Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, две диффузионные области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, первый диэлектрический слой, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки между первой и второй диффузионными о блас тями с пере крытием края в торой диффузионной области, первый проводящий слой, расположенный на поверхности первого диэлектрического слоя,второй диэлек триче ский слой, ко торый является туннельно-тонким и расположен на поверхности полупроводниковой подложки над первой диффузионной областью, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, элемент памяти содержит второй проводящий слой из поликремния, расположенный на втором диэлектрическом слое, а первый диэлектрический слой распо" ложен с перекрытием края первой диффузионной области, 2. Элемент памяти по п,1, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления элемента памяти, второй диэлектрический слой выполнен из диоксида кремния или из оксинитрида кремния, или композиции из диоксида кремния„ нитрида кремния, оксинитрида кремния.