Способ измерения параметра затухания поверхностных магнитостатических волн

 

Изобретение касается электроизмерений, а именно исследования магнитных свойств тонких сферритовых V пленок, и может быть применено для измерения параметра затухания, декремента затухания поверхностных магнитостатических вппн и ширины линии ферромагнитного резонанса в тонких ферритовых пленках. Цель изобретения повьппение точности и распв1рение диапазона измерений - достигается ( тем, что в ферритовой пленке известного способа возбуждают поверхностную акустическут волну, определяют возникший сигнал, отраженной от поверхностной акустической волны, изменяют частоту последней и определяют ее значение, при котором сигнал имеет максимальную величину, измеряют изменение уровня регистрируемого сигнала, определяют ющность поверхностной акустической волны и по измеренной при этой мощности зави- -симости определяют параметр затухания поверхностной магнитостатической волны. Устройство, реализующее данный способ, содержит исследуемую ферриторую пленку 1, широколосковый преобразователь. 2 и циркулятор 3. 1 ил. i (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„SU,,161 671

А1 (51.) 5 С 01 R 33/05 -" = - Ы:В =

- С.Л .-, . . -1,, --L. !"., !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPbfTHRM

ПРИ ГКНТ СССР. (46) 30.06.92,Бюл. Ф 24 (21) 4495643/21 (22) 14..10.88 (71) Институт радиотехники и электроники АН СССР (72) Р.Г. Крышталь, A.Â, Медведь, Я.Л. Лисовский и А.Ф, Попков (53) 62!.317.44 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

К 1045182, кл, 0 01 R 33/05, 1982. (.-l4) СНОСОВ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРА11ЕТРА ЗАТУХАНИЯ ПОВЕРХНОСТНИХ ИАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН (57) Изобретение касается электроиэмерений, а именно исследования магнитных свойств тонких сферритовых

Ъ пленок, и может быть применено для измерения параметра затухания, декремента затухания поверхностных магнитостатических волн и ширины линии ферромагнитного резонанса в тонких ферритовых пленках. Цель изобретения

Изобретение касается электроизме- . рений, а именно исследования магнитных свойств тонких ферритовых пленок, и может быть применено для измерения параметра затухания, декремента затухания поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) и ширины линии ферромагнитного резонанса в тонких ферритовых пленках.

Целью изобретения является по- вышение точности и расширение диапазона и sMep ени й.

Устройство, реализующее способ, - o

° ферритовую пленку 1, широколосковый преобразователь, 2 и циркулятор 3.

Исследуемую ферритовую пленку 1 (выращенную на немагнитной подложке) помещают в касательное магнитное поле Н . С помощью loHpoKolloJIocKQBQFQ преобразователя 2 в пленке 1 возбуждают ПМСВ, которые распространяются . в обе стороны от преобразователя 2 с волновым вектором К, перпендикуляр- 3 Ш ,ным направлению магнитного поля Н .

В пленке 1 одним иэ известных способов возбуждают поверхностную акустическую волну (ПАВ), волновой вектор

q которой направлен параллельно (антнпараллельно) волновому вектору К.

1б 14671 Д яее реализуют условия рассеяния

П СВ на .ПАВ, для чего на заданной ч стоте Е„ в пленке возбуждают ПИСВ, измерят уровень сигнала, отраженной 5

ПМСВ при изменении частоты ПАВ Р (при фиксированной мощности ПАВ) . Сигнал отраженной ПИСВ снимают с преобразователя 2, который при измерении подключают к внешним цепям через Ip циркулятор 3. Частота ПАВ F при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты fo - F максимален, соответствует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу. емой пленки. Частота ПЛВ Fe, при которой имеет максимум сигнала частоты f + F, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране- 2п нии ПИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Г (или F>), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты f. — РА(или f + F ) от частоты f 25

Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты fO Иощность ПАВ ВрН этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зави-. симости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят частот" ную ширину измеренной резонансной кривой на уровне 3 дБ от вершины.

Численное значение этой ширины равна величине параметра затухания ПИСВ на чфстоту fO.

Действительно, расчет, выполненный методом связанных мод, показывает, что при условии сравнительно слабой связи межпу,падающей и отраженной

ITHCB 3Я )>Я,, где о (,) — параметр затухания, яб — коэффициент связи, и . при равенстве модулей групповых ско-ростей падающей и отраженной ПИСВ, частотная зависимость относительного уровня отраженной ПИСВ, снимаемого с микрополосковог6 преобразователя 2, имеет следующий вид:

50 гце ЬЯ - отстройка от резонансной частоты f а. Коэффициент связи Яв 4Р, г@е Р— мощность ПАВ. Частотная ширина зависимости (I) на уровне 3 дБ от вершины равна 3д, т.е. параметру затухания ПИСВ.

Иэ измеренных значений параметра затухания 6Я при необходимости определяют также декремент К и ширину линии ферромагнитного резонанса

2 вН, используя для этого выражения

K - О Я )Ч 2ЬН = -.i-- Îß (2) р Й 8 64

4.О где V - групповая скорость JIHCB.

Прй этом групповую скорость ПИСВ находят из измерения зависимости резонансной частоты рассеяния ПИСВ на ПАВ от частоты ПЛВ, что может быть выполнено в процессе измерения по способу.

Формула изобретения

Способ измерения параметра затухания поверхностных магнитостатических .волн в ферритовой пленке, включаняцнй возбуждение в ней упомянутых волн заданной частоты, о т л и,ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения диапазона измерений, в ферритовой пленке одновременно возбуждают поверхностную акустическую волну, определяют возникший сигнал, пропорциональный амплитуде, поверхностной магнитостатической волны, отраженной от поверхностной акустической волны, изменяют частоту последней и определяют ее значение, при котором сигнал имеет максимальную величину, при полученном значении частоты воэ-. буждаеиоф поверхностной акустической волны измеряют изменение уровня регистрируемого сигнала от частоты возбуждаемой поверхностной магни-, тостатической волны в окрестности пер- воначально заданной частоты, опреде- ляют мощность поверхностной акусти= ческой волны, при которой ширина измеряемой зависимости не зависит от мощности возбуждаемой поверхностной акустической волны, и по измеренной при этой мощности зависимости определяют параметр затухания поверхностной магнитостатической волны.

Составитель А.Романов

Редактор В. Фельдман Техред Д.Олийийк Корректор С. Шевкун

Заказ 2816 Тирам 449 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Уагород, ул, Гагарина, 101