Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Авторы патента:

Асина С.С.

Сурма А.М.

Шмелев В.В.

Ныгес М.Т.

H01L21/26 - воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение H01L 21/324)

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 10¹¹-10¹³ см^-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr⁹⁰.

Изобретение относится к радиоэлектронике

Способ изготовления кремниевых многослойных структур // 1597027

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов // 1595274

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам // 1589926

Изобретение относится к методам импульсной лазерной обработки полупроволняковых структур и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для беэпакуумного локального изготовления контактов

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире // 1586457

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения эпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ отжига имплантированных слоев кремния // 1584649

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем с применением техники ионного легирования

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1584645

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем // 1575832

Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах // 1575829

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером шоттки // 1574110

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении