Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является расширение температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения. Источник содержит ферромагнитный корпус, выполненный из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, например пермаллоя. Внутри корпуса расположены друг против друга два плоских постоянных магнита с полюсными наконечниками . Магниты прямоугольной формы выполнены , например, из феррита бария, а полюсные наконечники выполнены из магнитомягкого материала. Каждый из магнитов с полюсными наконечниками соединен с экранирующим корпусом при помощи установленной на внутренней стенке корпуса прокладки, выполненной из термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения. В качестве прокладки, играющей роль элемента коррекции магнитного поля смещения , могут быть использованы, например, магнитные наконечники и биметаллические пластины. Корпус, магниты, магнитные наконечники и прокладки соединены в источнике , например, при помощи склеивания. 1 ил. сл С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕ СКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 С 5/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ ЬСТВУ (21) 4618822/24 (22) 09.12.88 (46) 30.01.91. Бюл. № 4 (72) И.В, Дударенко, А.А. Кулыгин и

Э.С. Сенкевич (53) 681.327.66 (088.8) . (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 557777556622, кл. G 11 С 5/00, 1977.

Авторское свидетельство СССР № 830558, кл, G 11 С 5/00, 1981. (54) ИСТОЧНИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ СМЕЩЕНИЯ ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является расширение температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения. Источник содержит ферромагнитный корпус, Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения — расширение температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения.

На чертеже изображена конструкция предложенного источника магнитного поля смещения.

Источник содержит ферромагнитный корпус 1, выполненный из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, например пермаллоя, Внутри корпуса расположены друг против друга два плоских постоянных магнита 2 с полюсными. БЫ 1624520 А1 выполненный из магнитомягкого материала с большой магнитной проницаемостью, например пермаллоя. Внутри корпуса расположены друг против друга два плоских постоянных магнита с полюсными наконечниками. Магниты прямоугольной формы выполнены, например, из феррита бария, а полюсные наконечники выполнены из магнитомягкого материала. Каждый из магнитов с полюсными наконечниками соединен с экранирующим корпусом при помощи установленной на внутренней стенке корпуса прокладки, выполненной иэ термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения, В качестве прокладки, играющей роль элемента коррекции магнитного поля смещения, могут быть использованы, например, магнитные наконечники и биметаллические пластины. Корпус, магниты, магнитные наконечники и прокладки соединены в источнике, например, при помощи склеивания.

1 ил. наконечниками 3. Магниты 2 прямоугольной формы выполнены, например, из феррита бария,а полюсные наконечники 3 выполнены из магнитомягкого материала, Каждый из магнитов 2 с полюсными наконечниками

3 соединен с экранирующим корпусом 1 при помощи установленной на внутренней стенке корпуса 1 прокладки 4, выполненной из термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения. В качестве прокладок 4, играющих роль элемента коррекции магнитного поля смещения, могут быть использованы, например, биметаллические пластины. Корпус 1, магниты 2, магнитные наконечники 3 и прокладки 4 соединены в

1624520

Составитель Ю.Розенталь

Техред М.Моргентал Корректор H.Êîðîëü

Редактор М.Келемеш

Заказ 194 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета пп изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 источнике, например, при помощи склеивания.

Предложенный источник работает следующим образом.

При изменении температуры прокладки

4 иэ термочувствительного материала деформируются, при этом изменяется величина рабочего зазора h, а значит, и напряженность постоянного магнитного поля в зазоре. Установив зависимость величины зазора от температуры h(T), можно подбирать параметры источника, обеспечивающие температурную зависимость напряженности магнитного поля смещения.

При расчете параметров источника необходимо учитывать температурную зависимость магнитного поля, создаваемого постоянным магнитом, HnM = f (Т). Деформация термочувствительных прокладок 4 при изменении температуры вызывает также соответствующее изменение магнитного поля в рабочем зазоре: Н =VQ. Суммарная температурная зависимость поля в зазоре является промежуточной: Н(Т) = Н(Нпм, Нз).

Подбирая материал и размеры прокладок, можно добиться любой необходимой зависимости поля смещения в рабочем зазоре от температуры без изменения состава материала магнита, что расширяет температурный диапазон работы источника магнит5 ного поля смещения.

Формула изобретения

Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий

10 корпус иэ ферромагнитного материала, внутри которого расположены друг против друга два плоских постоянных магнита с полюсными наконечниками и элемент коррекции магнитного поля смещения,о т л и—

15 ч а ю шийся тем, что. с целью расширения температурного диапазона работы источника магнитного поля смещения, элемент коррекции магнитного поля смещения выполнен в виде двух параллельно располо20 женных прокладок иэ термочувствительного материала с соответствующим коэффициентом температурного расширения, каждая иэ которых размещена между плоским постоянным магнитом и внутрен25 ней стенкой корпуса из ферромагнитного материала и скреплена с ними.

Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах Источник магнитного поля смещения для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании запоминающих устройств на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологическим устройствам контроля кодовых матриц постоянных запоминающих устройств

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к технологическим устройствам для изготовления блоков памяти

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления матриц на кольцевых ферритовых сердечниках для запоминающих матриц

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологическим устройствам для изготовления запоминающих матриц на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике и, в частности, к устройствам для прошивки матриц запоминающих устройств на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления ферритовых матриц для оперативной памяти ЭВМ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх