Датчик влажности

 

Изобретение относится к датчикам влажности. Целью изобретения чвлпется повышение стабильности работы датчика влажности, выполненного на диэлектоичсской подложке, на которой расположены два электрода, влзгочувствительний саой и влагопроницаемый золотой электрод. Цель достигается за счет того что поверч влагопроницаемого золотого электрода расположен слой, состоящий из того же материала, что и впагочувствительный слой, а толщина влагопроницаемого золотого электрода находится в пределах 10-30 нм. Изменение характеристик датчика составляет менеэ 1,5% отк. влажности за 6 мес. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИ/.ЛИСТИНЕСКИх

РЕСПУБЛИК (st)s G 01 N 27/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

Г!О ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

r (21) 4606499/25 (22) 17.11,88 (46) 15.02.91. Бюл.М 6 (71) Московский институт электронной техники (72) А.И.Бутурлин, А,Я,Дикевич, В,А,заикин, Г.Б,Чахунашвили и М,А.Ярышевский (53) 543,247(088.8) (56) Патент Франции N. 2486656, кл, G 01 И 27/22, 1982.

Патент Японии М57-3905, кл. G 01 М 27/22, 1982.

Изобретение относится к аналитическому приборостроению, а именно к датчикам для измерения влажности газов, Целью изобретения является повышение стабильности работы датчика.

На чертеже представлен датчик влажности.

Датчик влажности содержит диэлектрическую подложку 1, на которой расположены два электрода 2, влагочувствительный слой 3, влагопроницаемый золотой электрод 4 поверх них и над влагопроницаемым золотым электродом слой 5, состоящий из тою же материала, что и вгагочувствительный слой.

Датчик работает следующим образом, Молекулы воды, диффундируя через слой 5 и проникая через влагопроницаемый золотой электрод 4, сорбируются на влагочувствительном слое 3 и меняют его.„.. Ж,„, 1627962 А! (54) l,ÀÒ×ÈÊ ВЛАЖНОСТИ (5 ) Изобретение относится к датчикам влажности, Целью изобретения является повышение стабильности работы датчика впажI.îñòè, выполненного на диэлектоичгской подложке, на которой расположень1 два электрода, влагочувствительннй с. ой и влагопроницаемый золотой электрод. Цель достигается за счет того, что поверх влагопроницаемого золотого электрода расположен слой, состоящий из того же матер ала, что и влагочувствительный слой, а толщина влагопроницаемого зслотого электрода находится в пределах 10 — 30 нм. Изменение характеристик датчика составляет менее

1,5% отн, влажности за 6 мес. 1 ил. диэлектрическую проницаемость. В зависимости от влажности окружающей среды изменяется количество сорбированной воды и, следовательно, емкость датчика, измеряемая между двумя электродами 2, Формула изобретения

Датчик влажности, содержащий диэлектрическую подложку и расположенные на ней два электрода, на которые нанесены влагочувствительный слой и влагопроницаемый золотой электрод поверх них, отл и а ю шийся тем, что, с целью повы аления стабильности работы датчика, над влагопроницаемым электродом расположен слой, состоящий из того же материала, что и влагочувствительный слой, а толщина влагопроницаемого золотого электрода находится в пределах 1030 нм.

1627962

Составитель B. Алешин

Техред М.Моргентал Корректор А. Осауленко

Редактор Н. Горват

Заказ 336 Тираж 396 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул.Гагарина, 101