Пластинчатый излучатель фазированной антенной решетки

 

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в качестве элемента фазированной антенной решетки (ФАР). Цель изобретения - улучшение согласования в секторе сканирования. Пластинчатый излучатель ФАР содержит металлическую пластину (МП) 1, диэлектрическую опору 2, металлический экран (МЭ) 3, коаксиальный кабель 4, внешний проводник 5 которого соединен с МЭ 3, а внутренний 6 посредством металлического штыря 7, проходящего через отверстие в МЭ 3, подключен к МП 1. Улучшение согласования в секторе сканирования обеспечивается выполнением диэлектрической опоры 2 в виде диэлектрических брусков, размещенных вдоль краев МП 1 и образующих рамку шириной (0,04 - 0,07)λ, где λ - средняя длина волны рабочей полосы частот. Внешняя боковая поверхность каждого диэлектрического бруска и соответствующий край МП 1 расположены в одной плоскости. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю Н 01 G 9/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ЕЮ0ЮРМ. к - ." -, "" „" и 1; у (, р „., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4622758/09 . (22) 19.12.88 (46) 23.07.91. Бюл. М 27 (71) Московский авиационный институт им,Серго Орджоникидзе (72) В.С.Филиппов и Д.В,Татарников (53) 621.396.677(088.8) (56) Филиппов В.С. и Татарников Д.В, Печатные излучатели с поперечно-неоднородной подложкой в плоской ФАР, Известия вузов. Радиоэлектроника, 1988, т,31, М 2, с. 38. (54) ПЛАСТИНЧАТЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ (57) Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано s качестве элемента фазированной антенной решетки (ФАР). Цель изобретения — улучшение со„„. Ы„„1665422 А1 гласования в секторе сканирования. Пластинчатый излучатель ФАР содержит металлическую пластину (МП) 1, диэлектрическую опору 2, металлический экран (M3) 3, коаксиальный кабель 4, внешний проводник 5 которого соединен с М3 3, а внутренний 6 посредством металлического штыря 7, проходящего через отверстие в МЭ 3, подключен к МП 1. Улучшение согласования в секторе сканирования обеспечивается выполнением диэлектрической опоры 2 в виде диэлектрических брусков, размещенных вдоль краев МП 1 и образующих рамку шириной (0,04 — 0,07) Л, где Л вЂ” средняя длина волны рабочей полосы частот, Внешняя боковая поверхность каждого диэлектрического бруска и соответствующий край МП 1 расположены в одной плоскости. 1 ил.

1665422

Составитель Н3.Волков

Редактор..С.Патрушева Техред М.Моргеитал Корректор M,Äeì÷èK

Заказ 2395 Тираж 314 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская иаб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гаг-рина, 101

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в качестве элемента фазированной антенной решетки (ФАР).

Цель изобретения — улучшение согласования в секторе сканирования, На чертеже представлена структурная схема пластинчатого излучателя ФАР.

Пластинчатый излучатель ФАР содержит металлическую пластину (МП) 1 прямоугольной формы, размещенную иа диэлектрической опоре 2, установленной на поверхности плоского металлического экрана (МЭ) 3, коаксиальный кабель 4, внешний проводник 5 которого соединен с МЭ 3, а внутренний 6 посредством металлического штыря 7, проходящего через отверстие в

МЭ 3, подключен к МП 1, Диэлектрическая опора 2 выполнена в виде электрических брусков, размещенных вдоль краев МП 1, причем внешняя боковая поверхность каждого из диэлектрических брусков и соответствующий край МП 1 расположены в одной плоскости. Диэлектрические бруски образуют рамку, ширина которой равна (0,04-0,07)

it, где Л вЂ” средняя длина волны рабочей полосы частот.

Пластинчатый излучатель фазированной антенной решетки работает следующим образом.

Электромагнитное поле, возбуждаемое генератором СВЧ в коаксиальном кабеле 4, наводит электрические токи в МП 1, МЭ 3 и металлическом штыре 7, а также возбуждает поляризационные токи в обьеме диэлектрической опоры 2. Перечисленные токи излучают электромагнитную энергию через торцовые щели между МП 1 и МЭ 3 во внешнее пространство, Выбор диэлектрической опоры 2 в виде рамки толщиной (0,04 — 0,07) является оптимальным для достижения наилучшего согласования излучателя (МП 1) с коаксиальным кабелем 4 в широкой полосе частот и в широком секторе скаиирования. При уменьшении ширины диэлектрической опоры 2 характеристики излучателя близки к характеристикам излучателя беэ диэлектрической опоры, -.е. ухудшится согласование с коаксиальным кабелем 5 в секторе сканирования ФАР, при увеличении ширины ухудшится согласование с линией передачи в Н-плоскости сектора сканирования.

Использование предложенного пластинчатого излучателя в составе ФАР позволяет упростить цепи питания и увеличить энергетический потенциал приемно-передающего комплекса, в составе которого работает ФАР.

Формула изобретения

Пластинчатый излучатель фазированной антенной решетки, содержащий металлическую пластину, прямоугольной формы, размещенную иа диэлектрической опоре, установленной на поверхности глоского металлического экрана, коаксиальиый кабель, внешний проводник которого соединен с металлическим экраном, а внутренний — посредством металлического штыря, проходящего через отверстие в металлическом экране, подключен к металлической пластине, при этом диэлектрическая опара выпалиена в виде первой пары диэлектрических брусков., размещенных вдоль противоположных краев металлической пластины, причем внешняя боковая поверхность каждого из диэлектрических брусков и соответствующий край металлической пластины расположены водной плоск,ости, о т л и ч ею шийся тем, что, с целью улучшения согласования в секторе сканирования, введена вторая пара диэлектрических брусков, расположенная вдоль свободных краев металлической пластииь. идентично .åðaîé паре диэлектрических брусков и образующая сией рамку,,ширина которой равна (0,04-0,07) A., где il, — средняя длина anníat рабочей полосы частот,

Пластинчатый излучатель фазированной антенной решетки Пластинчатый излучатель фазированной антенной решетки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве ионисторов-конденсаторов сверхвысокой емкости с двойным электрическим слоем
Изобретение относится к технологии элементов радиоэлектроники и может быть использовано в производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Изобретение относится к технологии элементов радиоэлектроники и может быть использовано в производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Изобретение относится к порошковой металлургии и может быть использовано в производстве порошковых материалов для изготовления объемно-пористых анодов оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Изобретение относится к электрохимическим преобразователям информации и может быть использовано в устройствах отображения информации, автоматике, вычислительной и измерительной технике в качестве индикаторного элемента

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сейсмологии, гидроакустике, навигации, системах автоматического регулирования и контроля

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к антенным устройствам

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к электрохимическим преобразователям информации, и может быть использовано в качестве датчика силы, ускорения, давления в различных областях науки и техники

Изобретение относится к измерительной технике , в частности, к электрохимическим преобразователям информации, и может быть использовано для измерения расхода жидкости и перепада давления в различных областях науки и техники

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в производстве электрохимических накопителей энергии большой емкости
Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Изобретение относится к производству электролитических конденсаторов

Изобретение относится к производству электролитических конденсаторов
Изобретение относится к области разработки электролитических конденсаторов на основе двойного электрического слоя, которые могут быть использованы в современной энергетике, автомобилестроении и т.д
Изобретение относится к области разработки электролитических конденсаторов на основе двойного электрического слоя, которые могут быть использованы в современной энергетике, автомобилестроении и т.д

Изобретение относится к производству электрохимических накопителей энергии, в частности к производству электрохимических конденсаторов и иных аналогичных перезаряжаемых накопителей энергии

Изобретение относится к производству электрохимических накопителей энергии, в частности к производству электрохимических конденсаторов и иных аналогичных перезаряжаемых накопителей энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве электролитических конденсаторов
Наверх