Способ изготовления кмдп интегральных схем

 

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и энергией, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов примеси n-типа удовлетворила условию

где - дисперсия пробега ионов n-типа, а имплантацию ионов примеси p-типа проводят после создания маски, но до ее травления с энергией ионов, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов p-типа была не меньше толщины маски.