Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2, 7 мкм, а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм. Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450 - 750°С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из эвтектики магний-алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 1 21/58
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР 41 "Ць Ц ю,I
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ - =.. с, Формула изобретения
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4441498/21 (22) 15.06.88 (46) 30,08.91. Бюл. ¹ 32 (71) Калужский завод автомотоэлектрооборудования им,.60-летия Октября (72) В.А.Суворов (53) 621.382(088,8) (56) Заявка Японии N 50 — 1626, кл. 93/5с 21, 1975.
Авторское свидетельство СССР
¹ 730202, кл. Н 01 1. 21/58, 1979. (54) СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА С КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЕМ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изгоИзобретение относится к мйкроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Цель изобретения — повышение надежности соединения.
Сущность изобретения заключается в том, что на сОединяемые поверхности кристалла и кристаллодержателя наносят слои металла: на кристалл — магний, на кристаллодержатель — алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450750 С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до формирования паяного шва.
II1 р и м е р. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм, а на кристалл напыляют слой магния толщи„„59ÄÄ 1674293 А1 товлении полупроводниковых приборов.
Цель изобретения — повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С.
Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний — алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых йриборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм. Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из эвтектики магний — алюминий площадью
0,16 мм, а затем присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде.
Применение данного способа позволяет повысить устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям., Способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем, включающий нанесение слоев металла на соединя1б74293
Составитель Е, Панов
Редактор Ю. Петрушко Техред М,Моргентал Корректор Т. Колб
Заказ 2931 Тираж 361 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР l13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производстве Ю издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 емые поверхности кристалла и кристаллодержателя, размещение между ними припойной прокладки эвтектического состава, нагрев до образования из прокладки жидкой прослойки, выдержку и охлаждения до формирования паяного шва, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности соединения, в качестве металла, наносимого на поверхность кристалла, используют магний, а на поверхность кристаллодержателя — алюминий, используют
5 прокладку из алюминий-магниевого сплава, а температуру нагрева выбирают равной
450-750 С.
